公开(公告)号：CN100483717C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510066881.8

申请日：2005-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  高桥桂太

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明公开了一种非易失半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于将电荷离散地积累在叠层绝缘膜内的非易失半导体存储装置，即使被紫外线照射，也能够在不使成本增加的情况下，进行阈值电压的控制。非易失半导体存储装置，具有：在衬底1上形成的由离散地积累电荷的叠层绝缘膜2B构成的栅极绝缘膜、栅极电极3A及在衬底1的表面层中形成的夹着栅极电极3A的作为源极或者漏极发挥作用的一对扩散区域4。在栅极绝缘膜中的区域，并且是在栅极电极3A中的与一对扩散区域4对着的端部、和一对扩散区域4之间存在的区域中的至少一个区域中，存在有将紫外线照射到栅极电极3A而产生的电荷积累起来的固定电荷积累区域；在一对扩散区域4中的存在于固定电荷积累区域下侧的至少一个扩散区域4，被设置成在相对于衬底面垂直的方向上，与固定电荷积累区域重叠且超出该固定电荷积累区域的样子。

公开(公告)号：CN1613153A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN03800841.6

申请日：2003-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543

Abstract: 在半导体衬底的表面区域上形成成为位线的多个杂质扩散层，在半导体衬底的多个杂质扩散层上侧形成多个埋入绝缘膜。存储器元件的栅极在埋入绝缘膜之间经捕获膜形成，具有和埋入绝缘膜的高度位置大致相等的高度位置的多个第一多晶硅膜，和在多个埋入绝缘膜和多个第一多晶硅膜上施加形成、将多个第一多晶硅膜之间电连接起来的第二多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1163489A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102164.3

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/72 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82

Abstract: 提供了一种设有高性能且可靠性高的MOS型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在已形成器件隔离4的硅衬底1上边形成栅极氧化膜2和栅极电极3。其次用4步大倾角离子注入法从25°倾斜的方向上注入氮离子在栅极氧化膜2的两个端部形成氮氧化层5a，在硅衬底1内形成氮扩散层6a。之后，通过注入杂质离子以形成低浓度源·漏区7；在栅极电极3的两侧面上形成侧壁8之后，通过注入杂质离子以形成高浓度源漏区9。