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公开(公告)号：CN101627438A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007464.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的非易失性存储装置以及非易失性数据记录介质是一种具有通过施加电脉冲而电阻变化的非易失性存储元件的非易失性存储装置，其具备实行第一写入的第一写入电路(106)和实行第二写入的第二写入电路(108)。其中，第一写入通过向非易失性存储元件施加第一电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第一电阻值变化到第二电阻值；通过施加与第一电脉冲相反极性的第二电脉冲，从第二电阻值变化到第一电阻值；通过向非易失性存储元件施加第三的电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第三电阻值变化到第四电阻值，通过施加与第三电脉冲同极性的第四电脉冲，从第四电阻值变化到第五电阻值。
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公开(公告)号：CN102077348B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201080001974.1
申请日：2010-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具备该非易失性存储元件的半导体存储装置。该非易失性存储装置即使在某个非易失性存储元件产生不良的情况下，也能够有效防止对于与不良的非易失性存储元件同一行或同一列的其他非易失性存储元件无法进行写入、读出。该非易失性存储元件，包括：具有非线性的电流-电压特性的电流控制元件(112)；基于施加的电压脉冲在低电阻状态和电阻值比低电阻状态高的高电阻状态之间可逆地转换的电阻变化元件(105)；和熔断器(103)。电流控制元件(112)、电阻变化元件(105)和熔断器(103)串联连接。熔断器(103)在电流控制元件(112)实质上成为短路状态时断开。
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公开(公告)号：CN101622673B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200880006041.4
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H01L27/1021
Abstract: 本发明提供非易失性存储装置及向非易失性存储装置的数据写入方法。该非易失性存储装置包括：存储阵列(102)，其包括：在第一平面内相互平行形成的多个第一电极配线(WL)；在平行于第一平面的第二平面内相互平行且与多个第一电极配线立体交叉的多个第二电极配线(BL)；分别对应于第一电极配线及第二电极配线的各个立体交叉点设置，具有电阻值可随着供给到对应的第一电极配线与对应的第二电极配线间的电流脉冲而可逆变化的可变电阻层的非易失性存储元件(11)；选择第一电极配线的选择装置(13)；存储阵列内部或外部的，连接到第一电极配线上进一步将施加到第一电极配线上的电压限制到规定的上限值以下的电压限制机构(15)。连接第一选择装置和电压限制机构的一个第一电极配线上连接有多个非易失性存储元件。
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公开(公告)号：CN101395716B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200780007376.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。
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公开(公告)号：CN101622673A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006041.4
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H01L27/1021
Abstract: 本发明提供非易失性存储装置及向非易失性存储装置的数据写入方法。该非易失性存储装置包括：存储阵列(102)，其包括：在第一平面内相互平行形成的多个第一电极配线(WL)；在平行于第一平面的第二平面内相互平行且与多个第一电极配线立体交叉的多个第二电极配线(BL)；分别对应于第一电极配线及第二电极配线的各个立体交叉点设置，具有电阻值可随着供给到对应的第一电极配线与对应的第二电极配线间的电流脉冲而可逆变化的可变电阻层的非易失性存储元件(11)；选择第一电极配线的选择装置(13)；存储阵列内部或外部的，连接到第一电极配线上进一步将施加到第一电极配线上的电压限制到规定的上限值以下的电压限制机构(15)。连接第一选择装置和电压限制机构的一个第一电极配线上连接有多个非易失性存储元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101395716A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007376.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。
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公开(公告)号：CN103180948B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280003077.3
申请日：2012-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2211/5648 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。
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公开(公告)号：CN103250252B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280004074.1
申请日：2012-10-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/55 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储装置具备第1电极（103）、第2电极（106）和电阻变化层（104），电阻变化层（104）具备：第1氧化物层（104a），含有第1金属的氧化物；第2氧化物层（104b），在第1氧化物层（104a）和第2电极（106）之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与第1氧化物层（104a）相比氧不足率小；及局部区域（105），在第1氧化物层（104a）及第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接配置，不与第1电极（103）相接，与第2氧化物层（104b）相比氧不足率大，氧不足率与第1氧化物层（104a）不同。
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公开(公告)号：CN103348472B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280007159.5
申请日：2012-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储元件包括第1电极（103）、第2电极（106）、和夹在第1电极（103）和第2电极（106）之间的由金属的氧化物构成的电阻变化层（104），被配置在第1电极（103）上的电阻变化层（104）包括：具有ρx的电阻率的第1氧化物层（104a）；被配置在第1氧化物层（104a）上且具有ρy（其中，ρx＜ρy）的电阻率的第2氧化物层（104b）；被配置在第2氧化物层（104b）上且具有ρz（其中，ρy＜ρz）的电阻率的第3氧化物层（104c）；和在第3氧化物层和第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接地配置，并不与第1氧化物层（104a）接触，电阻率比第3氧化物层（104c）低，且电阻率与第2氧化物层（104b）不同的局部区域（105）。
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公开(公告)号：CN103270592A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201280004259.2
申请日：2012-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件以及非易失性存储装置。非易失性存储元件具备第一电极（103）、第二电极（106）以及电阻变化层（104），电阻变化层（104）包括：第一氧化物层（104a），由具有p型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；第二氧化物层（104b），与第一氧化物层（104a）以及第二电极（106）之间相接地配置，由具有n型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；氧储存区域（110），配置在第一氧化物层（104a）内，不与第一电极（103）相接，与第一氧化物层（104a）相比含氧率更高；以及局部区域（105），在第二氧化物层（104b）内与氧储存区域（110）相接地配置，与第二氧化物层（104b）相比含氧率更低。
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