-
公开(公告)号：CN101248337B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680030068.8
申请日：2006-08-16
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01J5/20 , H01L27/146
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/20 , H01L31/0284 , H01L31/103
Abstract: 一种红外传感器单元，具有共同形成于半导体衬底(10)上的热红外传感器及相关的半导体器件。电介质顶层(12)覆盖上述衬底以掩盖形成于该衬底的顶面中的半导体器件(20)。热红外传感器(30)承载于传感器座(40)上，该传感器座借助热绝缘支撑件(52)而被支撑于半导体器件的上方。传感器座和支撑件是由叠置于电介质顶层的顶部上的多孔材料制成的。
-
公开(公告)号：CN100562971C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200480034906.X
申请日：2004-10-27
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在红外辐射元件(A)中，绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上，其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率，加热层(3)形成于绝热层(2)上，其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率，用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成，且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源，有可能延长红外辐射源的寿命。
-
公开(公告)号：CN100399487C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n-型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n-型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加給直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n-型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
-
公开(公告)号：CN1217374C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02124448.0
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，具有n型硅基板(1)、在n型硅基板(1)的1个表面上形成的漂移层(6)(强电场漂移层)、在漂移层(6)上形成的表面电极(7)。通过外加电压，使表面电极(7)相对于n型硅基板(1)为正极，从而由n型硅基板(1)注入漂移层(6)中的电子在该漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)被释放出。在该电场放射型电子源(10)的制造过程中，形成漂移层(6)时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后，在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光，同时进行阳极氧化。
-
公开(公告)号：CN1216393C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN99801925.9
申请日：1999-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法，场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上，从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3，以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状，跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7，能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子，所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1383570A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN01801858.0
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 一种电场放射型电子源(10),在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有:由导电性层构成的下部电极(8);含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6);由金薄膜构成的表面电极(7)。而且,外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极,并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移,通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层,据此,就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7),从而降低耗电量。
-
公开(公告)号：CN1249525A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN99120728.9
申请日：1999-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/025 , H01J2201/3125 , Y10S977/939
Abstract: 一种场致发射型电子源及其制造方法,在n型硅基板主表面侧形成强电场漂移单元,在该单元上形成金薄膜构成的表面电极。在n型硅基板背面形成欧姆电极。表面电极配置在真空中,且相对欧姆电极作为正极,通过施加直流电压,从n型硅基板注入的电子在强电场漂移单元漂移经表面电极发射。强电场漂移单元由与作为基板的n型硅基板的厚度方向垂直的剖面呈网孔状的电子进行漂移的漂移单元和填满在网孔中导热性比漂移单元好的散热单元构成。
-
公开(公告)号：CN1825521A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004888.1
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
-
公开(公告)号：CN1825520A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004887.7
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
-
公开(公告)号：CN1260767C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN00131773.3
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 电子源设有作为导电衬底的n型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Cr构成的第一层，在第一层上形成Au构成的第二层，并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期稳定性，与简单物质Cr相比，在接近发射电子能量的能量区中的能态密度更低，且电子很少散射，电子发射效率更高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.036 seconds)
