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公开(公告)号：CN1954188B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200580006859.2
申请日：2005-03-14
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01C19/5719
Abstract: 主基板(1)配置有：从动质量体(11)，该从动质量体(11)以沿与支撑基板(2)的表面相交的方向振动的方式被驱动；和探测质量体(12)，该探测质量体(12)通过驱动弹簧(13)与从动质量体(11)联接，并且适合在沿支撑基板(2)的平面中位移。沿从动质量体(11)和探测质量体(12)的布置方向延伸的两个探测弹簧(15)分别被连接到探测质量体(12)的相对侧；并且探测弹簧(15)的其它端通过联接部分(16)被连接在一起。
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公开(公告)号：CN1954188A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580006859.2
申请日：2005-03-14
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01C19/5719
Abstract: 主基板(1)配置有：从动质量体(11)，该从动质量体(11)以沿与支撑基板(2)的表面相交的方向振动的方式被驱动；和探测质量体(12)，该探测质量体(12)通过驱动弹簧(13)与从动质量体(11)联接，并且适合在沿支撑基板(2)的平面中位移。沿从动质量体(11)和探测质量体(12)的布置方向延伸的两个探测弹簧(15)分别被连接到探测质量体(12)的相对侧；并且探测弹簧(15)的其它端通过联接部分(16)被连接在一起。
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公开(公告)号：CN102057506A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121124.2
申请日：2009-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01L33/00 , F21S2/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/486 , F21S4/20 , F21Y2115/10 , H01L24/97 , H01L33/58 , H01L33/642 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H05K1/0287 , H05K1/0298 , H05K1/112 , H05K1/181 , H05K1/189 , H05K2201/10106 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了LED模块和使用LED模块的发光装置。LED模块包括柔性布线基底和表面安装型LED封装。柔性布线板在其表面形成有包括第一电极垫和第二电极垫的供电端子，并形成有电连接到图案化的布线的图案化的布线。表面安装型LED封装包括LED芯片和安装基底。安装基底在其前表面形成有凹进部分，而在其后表面形成有第一连接电极和第二连接电极，当安装基底安装在柔性布线基底上时，第一连接电极和第二连接电极分别与第一电极垫和第二电极垫电连接。LED芯片布置在凹进部分中，以通过外部连接电极和供电端子接收电流。
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公开(公告)号：CN101248337A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680030068.8
申请日：2006-08-16
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01J5/20 , H01L27/146
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/20 , H01L31/0284 , H01L31/103
Abstract: 一种红外传感器单元，具有共同形成于半导体衬底(10)上的热红外传感器及相关的半导体器件。电介质顶层(12)覆盖上述衬底以掩盖形成于该衬底的顶面中的半导体器件(20)。热红外传感器(30)承载于传感器座(40)上，该传感器座借助热绝缘支撑件(52)而被支撑于半导体器件的上方。传感器座和支撑件是由叠置于电介质顶层的顶部上的多孔材料制成的。
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公开(公告)号：CN1946629A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580007234.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81B2203/0353
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，沿包括相对较大的厚度尺寸的半导体衬底的主基板(1)的厚度方向，在一个表面上形成凹入部分(7)。然后，沿主基板(1)的厚度方向，利用在另一个表面提供的氧化膜(6a)形成的开口作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成通孔(4a、4b)。开口(8)在与凹入部分(7)相对应的区域中具有较窄的宽度，而在其余区域具有较宽的宽度。因此，较宽宽度的通孔(4a)穿透主基板(1)和较窄宽度的通孔(4b)到达凹入部分(7)的下表面的各自必要时间可以近似相等，从而近似同时地完成较宽宽度的通孔(4a)和较窄宽度的通孔(4b)的共同蚀刻工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101460816A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020773.4
申请日：2007-05-23
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01J5/10 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为提高热绝缘性，将热红外感测元件(30)承载在多孔材料制成的传感器支座(40)上，并通过在基板上凸出的锚固柱(52)使该热红外感测元件向上离开基板(10)。传感器支座形成有一对共面的梁(42)，所述梁上承载有从感测元件(30)延伸出的引线(32)。引线(32)和梁(42)固定到锚固柱(52)的上端，以将感测元件(30)保持在基板(10)上方的预定高度。梁(42)和引线(32)通过分子间附着作用而彼此结合，以使感测元件(30)以及传感器支座(40)能够一起支撑到锚固柱(52)上。
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公开(公告)号：CN101460816B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780020773.4
申请日：2007-05-23
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01J5/10 , G01J5/20 , H01L27/14 , H01L31/101
CPC classification number: G01J5/10 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为提高热绝缘性，将热红外感测元件(30)承载在多孔材料制成的传感器支座(40)上，并通过在基板上凸出的锚固柱(52)使该热红外感测元件向上离开基板(10)。传感器支座形成有一对共面的梁(42)，所述梁上承载有从感测元件(30)延伸出的引线(32)。引线(32)和梁(42)固定到锚固柱(52)的上端，以将感测元件(30)保持在基板(10)上方的预定高度。梁(42)和引线(32)通过分子间附着作用而彼此结合，以使感测元件(30)以及传感器支座(40)能够一起支撑到锚固柱(52)上。
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公开(公告)号：CN101248337B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680030068.8
申请日：2006-08-16
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01J5/20 , H01L27/146
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/20 , H01L31/0284 , H01L31/103
Abstract: 一种红外传感器单元，具有共同形成于半导体衬底(10)上的热红外传感器及相关的半导体器件。电介质顶层(12)覆盖上述衬底以掩盖形成于该衬底的顶面中的半导体器件(20)。热红外传感器(30)承载于传感器座(40)上，该传感器座借助热绝缘支撑件(52)而被支撑于半导体器件的上方。传感器座和支撑件是由叠置于电介质顶层的顶部上的多孔材料制成的。
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公开(公告)号：CN1946629B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580007234.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81B2203/0353
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，沿包括相对较大的厚度尺寸的半导体衬底的主基板(1)的厚度方向，在一个表面上形成凹入部分(7)。然后，沿主基板(1)的厚度方向，利用在另一个表面提供的氧化膜(6a)形成的开口作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成通孔(4a、4b)。开口(8)在与凹入部分(7)相对应的区域中具有较窄的宽度，而在其余区域具有较宽的宽度。因此，较宽宽度的通孔(4a)穿透主基板(1)和较窄宽度的通孔(4b)到达凹入部分(7)的下表面的各自必要时间可以近似相等，从而近似同时地完成较宽宽度的通孔(4a)和较窄宽度的通孔(4b)的共同蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN100485911C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200580010304.5
申请日：2005-03-29
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B7/0048 , B81B7/007 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81B2207/097 , G01P1/023 , G01P15/0802 , H01L2224/16225 , Y10T29/49002
Abstract: 一种传感器系统，包括传感器器件(10)和用于驱动器件(10)的集成电路(20)。该器件(10)包括硅基材料的传感器主体(1)、硅基材料的上密封构件(2)和硅基材料的下密封构件(3)。上密封构件(2)和下密封构件(3)以密封方式接合在一起以共同在其中容纳主体(1)。器件(10)和电路(20)被形成为堆叠体。主体(1)通过穿通上密封构件(2)的导电通路(4)以及设置在上密封构件(2)的外表面上的安装电极(5)，与电路(20)的布线图样(12)相连。器件(10)通过电路(20)与MID衬底(30)相连。
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