半导体发光元件
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100428513C

    公开(公告)日:2008-10-22

    申请号:CN200610084057.X

    申请日:2006-05-19

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/08

    Abstract: 本发明揭示一种能从衬底效率良好地取出发光层产生的光的半导体发光元件。包含:具有透光性的衬底(10);设在所述衬底(10)的入射面(11)侧并利用通电发光的发光层(23);以及设在所述衬底(10)的入射面(11)侧或出射面(12)侧并使所述发光层(23)通电的一对N电极(22)和P电极(25),并且在所述衬底(10)的出射面(12)形成取出来自所述发光层(23)的光的槽部(13)。

    半导体发光元件
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1866562A

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN200610084057.X

    申请日:2006-05-19

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/08

    Abstract: 本发明揭示一种能从衬底效率良好地取出发光层产生的光的半导体发光元件。包含:具有透光性的衬底(10);设在所述衬底(10)的入射面(11)侧并利用通电发光的发光层(23);以及设在所述衬底(10)的入射面(11)侧或出射面(12)侧并使所述发光层(23)通电的一对N电极(22)和P电极(25),并且在所述衬底(10)的出射面(12)形成取出来自所述发光层(23)的光的槽部(13)。

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