公开(公告)号：CN117242900A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280028939.1

申请日：2022-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  大野敏和 ,  沼田至优

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件以及无机绝缘层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极。第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极。无机绝缘层覆盖第一像素电极、第二像素电极、第一发光层及第二发光层的各侧面。无机绝缘层的氢浓度及碳浓度都优选足够低。

公开(公告)号：CN115863782A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310118098.X

申请日：2021-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 齐藤丞 ,  门马洋平 ,  福岛邦宏 ,  细海俊介 ,  种村和幸 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平 ,  大野敏和 ,  三上真弓 ,  高桥辰义 ,  岛田知弥

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/485

Abstract: 本发明涉及一种锂离子二次电池。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。

公开(公告)号：CN115398675A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180011909.5

申请日：2021-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门马洋平 ,  大野敏和 ,  小松良宽 ,  山崎舜平

IPC: H01M4/525

Abstract: 当正极活性物质经反复加压或充放电等后产生分裂或裂缝时，容易引起过渡金属的溶出、过度副反应等。当正极活性物质表面有裂缝、凹凸、台阶或粗糙处等时，应力容易集中于一部分，从而正极活性物质容易分裂。与此相反，表面越平滑且相似于球形状，应力集中越得到缓和，从而正极活性物质不容易分裂。于是，本发明人制造表面平滑且凹凸少的正极活性物质。例如在使用显微镜图像进行图像分析的情况下，该正极活性物质具有如下值：凸度的中值为0.96以上；分形维数的中值为1.143以下；或者圆形度的中值为0.7以上。

公开(公告)号：CN114730873A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080081095.8

申请日：2020-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松良宽 ,  嵯峨诗织 ,  门马洋平 ,  门间裕史 ,  大野敏和 ,  山崎舜平

IPC: H01M4/525

Abstract: 使用钴酸锂作为正极活性物质的二次电池有因进行反复充放电等而电池容量降低的问题。提供一种劣化少的正极活性物质粒子。该正极活性物质的制造方法包括将容纳锂氧化物及氟化物的容器配置在加热炉内的第一工序以及在含氧气氛下对加热炉内进行加热的第二工序，第二工序的加热温度为750℃以上且950℃以下。通过采用上述制造方法，可以使正极活性物质粒子包含氟，氟提高正极活性物质表面的润湿性而实现均匀化及平坦化。通过上述工序得到的正极活性物质在以高电压反复进行充放电时晶体结构不容易崩塌，包括具有这样特征的正极活性物质的二次电池的循环特性大幅度地提高。