-
公开(公告)号：CN113924657A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080041969.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域，n型区域与遮蔽膜重叠，i型区域与绝缘膜重叠。
-
-
公开(公告)号：CN115968502A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202180050368.7
申请日：2021-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成导电体，在导电体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成第三绝缘体，在第三绝缘体上形成氧化物，进行第一加热处理，以及在进行第一加热处理之后，接着进行第二加热处理，其中第一加热处理的温度低于第二加热处理的温度。
-
公开(公告)号：CN112864380A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011363231.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种由充放电循环引起的容量下降得到抑制的正极活性物质。此外，提供一种即使反复充放电也不容易崩塌结晶结构的正极活性物质。本发明的一个方式是一种包含钛、镍、铝、镁、氟的正极活性物质，在其表面上的凸部包括钛、镍及镁不均匀地分布的区域。优选不在凸部而在正极活性物质的表层部铝不均匀地分布。
-
公开(公告)号：CN116157903A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180055621.8
申请日：2021-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种特性的不均匀小且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积氧化物；在氧化物上沉积第一绝缘体；在第一绝缘体上沉积导电体；在导电体上沉积第二绝缘体；通过进行加热处理，氧化物及第一绝缘体中的氢移动到第二绝缘体并被吸收。通过溅射法沉积第二绝缘体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114946052A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008362.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质。另外，提供一种劣化少的正极活性物质粒子。另外，提供一种劣化少的蓄电装置。另外，提供一种安全性高的蓄电装置。另外，提供一种新颖的蓄电装置。本发明的一个方式是一种二次电池，包括正极以及负极，其中，正极包括正极活性物质，正极活性物质具有由层状岩盐型晶体结构表示的结晶，结晶的空间群由R‑3m表示，正极活性物质是包含锂、钴、钛、镁及氧的粒子，粒子的表层部中的镁浓度高于粒子的内部的镁浓度，并且，在正极活性物质中，粒子的表层部中的钛浓度高于粒子的内部的钛浓度。
-
公开(公告)号：CN112352318A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043643.5
申请日：2019-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物、第三氧化物上的第一导电体、第四氧化物上的第二导电体、第二氧化物上的第五氧化物、第五氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三导电体。第五氧化物与第二氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面、第三氧化物的侧面及第四氧化物的侧面接触。第二氧化物包含In、元素M及Zn。第一氧化物及第五氧化物各自包含第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个。第三氧化物及第四氧化物各自包含元素M。第三氧化物及第四氧化物具有其元素M的浓度比第二氧化物高的区域。
-
公开(公告)号：CN115398675A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180011909.5
申请日：2021-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525
Abstract: 当正极活性物质经反复加压或充放电等后产生分裂或裂缝时，容易引起过渡金属的溶出、过度副反应等。当正极活性物质表面有裂缝、凹凸、台阶或粗糙处等时，应力容易集中于一部分，从而正极活性物质容易分裂。与此相反，表面越平滑且相似于球形状，应力集中越得到缓和，从而正极活性物质不容易分裂。于是，本发明人制造表面平滑且凹凸少的正极活性物质。例如在使用显微镜图像进行图像分析的情况下，该正极活性物质具有如下值：凸度的中值为0.96以上；分形维数的中值为1.143以下；或者圆形度的中值为0.7以上。
-
公开(公告)号：CN115244713A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019725.3
申请日：2021-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/26 , H01L21/268 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、以覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极的方式配置的层间绝缘膜、氧化物半导体膜上的第一栅极绝缘膜、第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜上的栅电极，层间绝缘膜中以与源电极和漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，第一栅极绝缘膜、第二栅极绝缘膜及栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，第一栅极绝缘膜包含氧及铝，第一栅极绝缘膜具有厚度比第二栅极绝缘膜小的区域。
-
公开(公告)号：CN114730873A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080081095.8
申请日：2020-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525
Abstract: 使用钴酸锂作为正极活性物质的二次电池有因进行反复充放电等而电池容量降低的问题。提供一种劣化少的正极活性物质粒子。该正极活性物质的制造方法包括将容纳锂氧化物及氟化物的容器配置在加热炉内的第一工序以及在含氧气氛下对加热炉内进行加热的第二工序，第二工序的加热温度为750℃以上且950℃以下。通过采用上述制造方法，可以使正极活性物质粒子包含氟，氟提高正极活性物质表面的润湿性而实现均匀化及平坦化。通过上述工序得到的正极活性物质在以高电压反复进行充放电时晶体结构不容易崩塌，包括具有这样特征的正极活性物质的二次电池的循环特性大幅度地提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.033 seconds)
