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公开(公告)号：CN101479777B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200780024166.5
申请日：2007-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B1/118 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , G02F1/133502 , G02F2201/38 , H01L27/3244 , H01L51/5281 , H05B33/22
Abstract: 一种显示设备，其包括抗反射膜，该抗反射膜具有在显示屏幕表面之上的多个凸起，由该多个凸起中的每个凸起的基底与斜面所成的角度为大于等于84度且小于90度。
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公开(公告)号：CN101013222B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200710006165.X
申请日：2007-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1335 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133533 , G02F1/13363 , G02F2001/133531 , G02F2203/04 , G02F2203/64
Abstract: 本发明的目的是以简单的方法提供具有高对比度的显示器件。此外，本发明的另一目的是以低成本制作这样具有高性能的显示器件。在一对透光衬底之间具有显示元件的显示器件中，在其外侧层叠设置包含吸收轴的消光系数的波长分布彼此不同的偏振器的层。此时，可视一侧的层叠的偏振器被配置为偏离平行尼科耳状态。另外，在层叠的偏振器和衬底之间可以具有相位差板。
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公开(公告)号：CN1991506A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610156260.3
申请日：2006-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1335 , G02B5/30 , G02B1/04 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133528 , G02F2001/133531 , G02F2001/13356
Abstract: 本发明的目的在于提供对比度提高了的显示器件。本发明是一种设置有从平行尼科耳状态偏离地层叠的偏振片的显示器件。进一步而言，在该显示器件中，一对层叠的偏振片中的至少一方从平行尼科耳状态偏离。此外，该一对层叠的偏振片被配置为正交尼科耳状态。在偏振片和衬底之间可以设置相位差板。结果，可以提高对比度。
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公开(公告)号：CN119908180A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380066409.0
申请日：2023-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种能够实现微型化或高集成化的存储装置。晶体管包括具有柱状区域的第一导电体、具有筒状第一区域的第一绝缘体、具第一导电体贯通的开口的第二导电体、位于第二导电体上且具有筒状第二区域的第一半导体以及第一半导体上的第三导电体，第一绝缘体所具有的第一区域围绕第一导电体所具有的柱状区域，第一导电体具有位于第二导电体所具有的开口的上部的第三区域，第一导电体在第三区域中隔着第一绝缘体所具有的第一区域被第一半导体所具有的第二区域围绕。
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公开(公告)号：CN117403206A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310835313.8
申请日：2023-07-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/34 , C23C16/455
Abstract: 提供一种新颖金属氧化物的沉积方法。使用分解温度高的前驱体，在将衬底加热至300度以上且500度以下的同时沉积金属氧化物。优选的是，在沉积中，在含氧气氛下作为杂质去除处理进行等离子体处理、微波处理或热处理。杂质去除处理也可以在照射紫外光的同时进行。金属氧化物通过反复交替前驱体的引入和氧化剂的引入来沉积。例如，优选的是，每进行前驱体的引入5次以上且10次以下时进行杂质去除处理。
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公开(公告)号：CN116075893A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180061509.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C7/08
Abstract: 提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第一FTJ元件以及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子及第二FTJ元件的输入端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件及第二FTJ元件的每一个中引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输出端子与第二FTJ元件的输入端子之间供应极化不变的程度的电压。此时，使第一晶体管成为开启状态，由此流过第一FTJ元件的电流与流过第二FTJ元件的电流之差分电流流过第一晶体管。通过使用读出电路等取得该差分电流，可以读出写入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。
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公开(公告)号：CN112292752A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201980037622.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/365 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。通过如下工序在衬底上形成金属氧化物：对其内部设置有衬底的处理室引入第一前驱物的工序；第一前驱物的引入后引入第一氧化剂的工序；第一氧化剂的引入后引入第二前驱物的工序；以及第二前驱物的引入后引入第二氧化剂的工序。
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公开(公告)号：CN110506325A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201880024826.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。在氧化物上形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成导电体，以接触于氧化物的顶面、第一绝缘体的侧面、第二绝缘体的侧面及导电体的侧面的方式形成第三绝缘体，在减压气氛下连续形成第一绝缘体及第二绝缘体。
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公开(公告)号：CN102007585B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980113806.9
申请日：2009-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/205 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 一种薄膜晶体管包括：在具有绝缘表面的衬底上的覆盖栅电极的栅极绝缘层；与该栅极绝缘层接触并在非晶结构中包含多个晶体区域的构成沟道形成区域的半导体层；形成源区及漏区的包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层；以及由位于该半导体层和包含赋予一种导电类型的该杂质元素的半导体层之间的包括非晶半导体的缓冲层。上述晶体区域具有倒锥形或倒金字塔形的晶粒，这些晶粒从远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面的位置沿半导体层被沉积的方向大致放射状地生长。
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