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公开(公告)号：CN106784344B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201611114533.8
申请日：2013-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供发光元件、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置。本发明的目的在于：提供一种使用多种发光掺杂剂并具有高效率的发光元件。在本发明的一个方式中，通过使用上述发光元件分别提供减少了能量消耗的发光装置、发光模块、发光显示装置、电子设备及照明装置。注目到作为分子间的能量转移机理之一的福斯特机理。通过使提供能量的分子的发光波长与接受能量的分子的吸收光谱乘以波长的4次方而成的曲线中的最长波长一侧的局部极大的峰重叠，可以实现通过上述福斯特机理的高效能量转移。
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公开(公告)号：CN107615509A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031556.4
申请日：2016-05-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , C09K11/06 , C07D491/048 , C07D495/04 , G09F9/30 , H01L27/32
Abstract: 提供一种发光效率高的发光元件。提供一种不使用稀少金属作为发光材料而发光效率高的发光元件。一种发光元件，该发光元件包括第一电极、第二电极、第一电极和第二电极之间的层。该层包含第一有机化合物及第二有机化合物。第二有机化合物具有咔唑骨架、取代或未取代的二价芳香烃基团。第二有机化合物还具有苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架。芳香烃基团与咔唑骨架键合。芳香烃基团与苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架键合。第一有机化合物和第二有机化合物能够形成激基复合物。
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公开(公告)号：CN105474749B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201480045915.2
申请日：2014-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5024 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/524 , H01L51/5262 , H01L51/5284 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有利于实用化的使用荧光发光及磷光发光的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光发光物质的第一发光层以及包含形成激基复合物的两种有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，来自第一发光层的发光在比来自第二发光层的发光更短波长一侧具有发射峰。
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公开(公告)号：CN107446000A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710702827.0
申请日：2013-02-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07F15/00 , C07D249/08 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0085 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/5016 , H05B33/14 , C07D249/08
Abstract: 本发明涉及磷光有机金属铱配合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置。作为在磷光有机金属铱配合物的合成中可以控制对于金属的配体的配位位置的新颖物质，提供一种新的磷光有机金属铱配合物，该新的磷光有机金属铱配合物能够保持高量子效率，并且在蓝色至绿色的波长区域中能够呈现磷光发光。本发明的一个方式是一种以4H-1，2，4-三唑化合物为配体的磷光有机金属铱配合物，该4H-1，2，4-三唑化合物在3位具有未取代的苯基，在4位具有取代或未取代的苯基，在5位的邻位中的至少一方具有烷基，在邻位中的另一方、间位及对位具有取代或未取代的苯基。并且，该磷光有机金属铱配合物包括以下述通式(G1)表示的结构，注意，在通式中，R1表示碳数为1至6的烷基。另外，R2至R10分别表示氢或碳数为1至6的烷基。
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公开(公告)号：CN104247075B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201380020736.9
申请日：2013-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/0051 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5262 , H01L2251/308 , H01L2251/5384
Abstract: 本发明的目的在于：提供一种使用多种发光掺杂剂并具有高效率的发光元件。在本发明的一个方式中，通过使用上述发光元件分别提供减少了能量消耗的发光装置、发光模块、发光显示装置、电子设备及照明装置。注目到作为分子间的能量转移机理之一的福斯特机理。通过使提供能量的分子的发光波长与接受能量的分子的吸收光谱乘以波长的4次方而成的曲线中的最长波长一侧的局部极大的峰重叠，可以实现通过上述福斯特机理的高效能量转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105981191A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480065826.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/0097 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L2251/5376
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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公开(公告)号：CN105794321A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065816.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5044 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种使用荧光及磷光且有利于实用化的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光物质的第一发光层、具有空穴传输性的物质及具有电子传输性的物质的分离层以及包含两种形成激基复合物的有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，从第一发光层发射的光在比第二发光层短波长一侧具有发射光谱峰的发光元件是更有效的。
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公开(公告)号：CN104247075A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020736.9
申请日：2013-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/0051 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5262 , H01L2251/308 , H01L2251/5384
Abstract: 本发明的目的在于：提供一种使用多种发光掺杂剂并具有高效率的发光元件。在本发明的一个方式中，通过使用上述发光元件分别提供减少了能量消耗的发光装置、发光模块、发光显示装置、电子设备及照明装置。注目到作为分子间的能量转移机理之一的福斯特机理。通过使提供能量的分子的发光波长与接受能量的分子的吸收光谱乘以波长的4次方而成的曲线中的最长波长一侧的局部极大的峰重叠，可以实现通过上述福斯特机理的高效能量转移。
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公开(公告)号：CN106057846B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201610132739.7
申请日：2016-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括荧光发光材料且发光效率高的发光元件。该发光元件包括荧光发光材料及主体材料，其中，主体材料包括第一有机化合物及第二有机化合物，第一有机化合物及第二有机化合物能够形成激基复合物，并且，第一有机化合物和第二有机化合物之中的至少一个与荧光发光材料的重心间距的最小值为0.7nm以上且5nm以下。
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公开(公告)号：CN113412508A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013125.1
申请日：2020-01-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种发光效率及可靠性高的发光器件。该发光器件包括荧光发光层及磷光发光层。用于荧光发光层的主体材料具有将三重激发能转换为发光的功能，用于荧光发光层的客体材料呈现荧光。客体材料的分子结构采用包含发光体及保护基的结构，在客体材料的一个分子中包含五个以上的保护基。通过将保护基键合到分子来抑制三重激发能基于德克斯特机理从主体材料转移到客体材料。作为保护基使用烷基、支链烷基。磷光发光层的客体材料的吸收光谱中的最长波长的吸収带与磷光发光层的主体材料的发射光谱重叠。
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