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公开(公告)号：CN107068765B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201611144591.5
申请日：2012-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
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公开(公告)号：CN111316448A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880072450.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种高可靠性半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的彼此分离的第一导电体及第二导电体；第二氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘膜；以及隔着第三氧化物及第二绝缘膜位于第二氧化物上的第三导电体，并且第三氧化物包含金属元素及氮，该金属元素与氮键合。
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公开(公告)号：CN106465506B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580028601.6
申请日：2015-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提高发光元件的发光效率。所述发光元件具有一对电极和在所述一对电极之间的EL层。EL层包括第一发光层、第二发光层。第一发光层包含荧光材料及主体材料。第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物。第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域中具有峰值。第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物。
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公开(公告)号：CN107958959A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711231697.3
申请日：2014-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、电子设备及照明装置。本发明提供一种有利于实用化的使用荧光发光及磷光发光的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光发光物质的第一发光层以及包含形成激基复合物的两种有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，来自第一发光层的发光在比来自第二发光层的发光更短波长一侧具有发射峰。
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公开(公告)号：CN107302018A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710578536.5
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702741A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610085679.8
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869
Abstract: 本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5 nm的厚度)具有低于或等于1.0 at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
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公开(公告)号：CN105514174A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610085692.3
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869
Abstract: 本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5nm的厚度)具有低于或等于1.0at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
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公开(公告)号：CN103843146B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280047630.3
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869
Abstract: 包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5nm的厚度)具有低于或等于1.0at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
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公开(公告)号：CN103500712A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310376877.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN103155121A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180043987.X
申请日：2011-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L23/552 , H01L23/564 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一目的在于制造包括氧化物半导体膜的半导体装置，其具有稳定电气特性及高可靠性。以如下方法形成结晶氧化物半导体膜而不用进行多个步骤：通过利用包括在氧化物半导体靶材中的多种原子的原子量的差异，在氧化物绝缘膜上优先淀积具有低原子量的锌以形成包含锌的种晶；并且在进行晶体生长的同时淀积具有高原子量的锡、铟等。此外，通过使用包含锌的具有六角形晶体结构的种晶作为核来进行晶体生长以形成结晶氧化物半导体膜，从而形成单晶氧化物半导体膜或实质上单晶氧化物半导体膜。
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