半导体器件的制造方法
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100585796C

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200610088627.2

    申请日:2006-05-31

    CPC classification number: H01L27/1266 H01L21/7806 H01L27/1214

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低的成本制造具有高可靠性的半导体器件的方法,其中从衬底剥离具有提供于衬底上方的薄膜晶体管等的元件形成层,以便制造半导体器件。根据本发明,在衬底上方形成金属膜,在一氧化二氮的气氛下对金属膜进行等离子体处理以在金属膜的上方形成金属氧化膜,连续地形成第一绝缘膜而不暴露于空气,在第一绝缘膜的上方形成元件形成层,以及从衬底剥离元件形成层,以便制造半导体器件。

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