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公开(公告)号：CN118251978A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280076234.7
申请日：2022-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。该光电转换器件(550S)包括第一电极(551S)、第二电极(552S)以及第一单元(103S)，第一单元(103S)被夹在第一电极(551S)与第二电极(552S)之间。第一单元(103S)包括第一层(112)以及第二层(114S)，第一层(112)被夹在第二层(114S)与第一电极(551S)。此外，第一层(112)包含第一有机化合物HTM，第一有机化合物HTM具有空穴传输性。此外，第二层(114S)包含第二有机化合物CTM，第二有机化合物CTM在室温下发射延迟荧光，第二有机化合物CTM具有芳香胺骨架。
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公开(公告)号：CN107026244B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201710028451.X
申请日：2017-01-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种高可靠性显示装置。提供一种能够反复弯折的柔性显示器。一种包括第一衬底、第二衬底、显示元件、遮光层、第一阻挡层以及粘合层的显示装置。第一衬底与第二衬底设置为彼此相对。显示元件、遮光层、第一阻挡层以及粘合层位于第一衬底与第二衬底之间。显示元件位于第一衬底与粘合层之间。遮光层位于第二衬底与粘合层之间。第一阻挡层包括位于遮光层与粘合层之间的区域。另外，第一阻挡层包含杨氏模量高于遮光层或粘合层的材料。
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公开(公告)号：CN102593367B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210025886.6
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0052 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H05B33/22 , Y10S428/917
Abstract: 发光器件包括一对电极和在一对电极之间提供的混合层。混合层包含不含氮原子的有机化合物，即不含有芳胺骨架的有机化合物，和金属氧化物。作为有机化合物，优选使用含有蒽骨架的芳烃。作为这样的芳烃，列举t-BuDNA、DPAnth、DPPA、DNA、DMNA、t-BuDBA等。作为金属氧化物，优选使用氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等。此外，当测量吸收光谱时混合层优选显示每1μm的吸光度是1或更小或在450-650nm的光谱中不显示明显的吸收峰。
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公开(公告)号：CN101847690B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910171034.6
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0059 , H01L27/3244 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0069 , H01L51/0072 , H01L51/5052 , H01L51/5206 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的一个目标是提供一种发光元件，其包含有机化合物和无机化合物，而且具有低驱动电压。本发明的发光元件包括位于一对电极之间的多个层，所述多个层中包括一个层，其包含通式(1)表示的咔唑衍生物以及相对于所述咔唑衍生物表现出电子接受性质的无机化合物。通过使用这种结构，电子在咔唑衍生物和无机化合物之间传输，载流子在内部产生，因此可以降低发光元件的驱动电压。
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公开(公告)号：CN102569662A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210028237.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0081 , H01L51/5092
Abstract: 发光元件、发光器件和电子设备本发明的目标是提供功能层，当发光元件被制造或驱动时该功能层能够保护发光元件而不会遭受物理或化学影响而失效，并通过提供这种功能层，在不增加驱动电压和降低透光度和色纯度的情况下延长元件的寿命和提高元件特性。本发明的一个特征在于：在通过在一对电极间插入含发光物质层形成的发光元件中，在部分含发光物质层中提供由用于发光元件的复合材料(复合材料包括含有至少一个乙烯基骨架的芳香烃和金属氧化物)制成的缓冲层。用以形成本发明缓冲层的发光元件用复合材料具有高电导率和优异的透明度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102290535A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110101866.8
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H05B33/22 , C09K11/06 , C09K2211/1029
Abstract: 公开了一种发光器件的制造方法，它包括如下步骤：沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室，从而使该基材通过一蒸发护罩的上方，该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔；加热位于该蒸发护罩下方蒸发源中的一种蒸发物质，从而在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时使该蒸发物质从该蒸发护罩的所述开孔中逸出，在所述基材上形成一层含该蒸发物质的发光层；在形成所述发光层的过程中加热该蒸发护罩；所述开孔具有细长的形状，其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。
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公开(公告)号：CN101393860A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810149494.4
申请日：2008-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/2658 , H01L21/76254
Abstract: 本发明的目的在于提供在绝缘膜上具有膜厚薄且其膜厚的均匀性高的单晶半导体层的SOI衬底的制造方法。另外，本发明的目的也在于缩短添加氢离子的时间，而缩短每一个SOI衬底的制造时间。在第一半导体片的表面上形成接合层，通过使用离子掺杂装置对第一半导体片照射H3+离子来在接合层的下方形成分离层。以高电压被加速的H3+离子在半导体片表面分离成三个H+离子，每个H+离子不能够侵入到半导体片的深处。因此，与已知的离子注入法相比，可以在半导体片的更浅的区域中以高浓度照射H+离子。
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公开(公告)号：CN101147273A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680006364.4
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种复合材料，其包含由通式(1)表示的有机化合物和无机化合物，其中，在通式(1)中，R1－R24彼此相同或不同，并且表示氢、烷基、烷氧基、芳基和芳基烷基中的任何一种。一种发光元件包括该复合材料和发光装置，而一种电子器件包括该发光元件。本发明复合材料，相对于有机化合物，具有极好的载流子输送性能和极好的载流子注射性能，以及具有高可见光透射率。通过利用该复合材料，获得了一种需要低激励电压和具有极好的发光效率的电流激发型发光元件。通过使用该发光元件，提供了一种消耗低能量的发光装置和一种包括该发光装置的电子器件。
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公开(公告)号：CN1825653A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510128899.6
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 岩城裕司
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/422 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件和具有此光电转换元件的太阳能电池，它们都具有较高载体产生率。此外，本发明提供一种光电转换元件和具有该光电转换元件的太阳能电池，它们具有较高的能量转换效率。依据本发明，光电转换元件和具有光电转换元件的太阳能电池的特征在于，一对电极中间夹着包括电荷产生层和电荷接受层的混合层。电荷产生层由第一有机化合物和无机化合物组成。有机接受层由第二有机化合物组成。
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公开(公告)号：CN1816229A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510127268.2
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3244 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供一种几乎没有因晶化导致的工作不良的发光元件。本发明的一种发光元件包括含有金属氧化物和对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物的层。该层中设有第一区域和第二区域。包含在所述第一区域中的金属氧化物浓度高于所述第二区域中所包含的金属氧化物浓度。而且，所述第一区域和第二区域被交替地提供。所述第一区域和第二区域分别沿所述混合层的厚度方向具有0.1nm至10nm，优选的是1nm至5nm的距离。在此，在上述层中优选包含所述对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物和所述金属氧化物，并所述对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物与所述金属氧化物的摩尔比(金属氧化物/第一化合物)在0.1至10的范围内。
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