公开(公告)号：CN1186315A

公开(公告)日：1998-07-01

申请号：CN97114196.7

申请日：1997-12-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  原田和宏

IPC: H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682

Abstract: 一种由以下组分制成的多层陶瓷电容器:由下列组成式表示的主要组分(100摩尔):(1－α－β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1－x－yNixCoy)O其中Re2O3是选自Y2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m、x和y的定义为:0.0025≤α≤0.025,0.0025≤β≤0.05,β/α≤4,0≤x

公开(公告)号：CN1175069A

公开(公告)日：1998-03-04

申请号：CN97115561.5

申请日：1997-07-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂本宪彦 ,  佐野晴信 ,  宫崎孝晴

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/30

Abstract: 揭示了一种独石瓷介电容器及其制作方法。此独石瓷介电容器包含多个介电陶瓷层,多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极,每个内部电极的一端暴露在介电陶瓷层一端之外,还有与露出的内部电极电气连接的外部电极;此电容器中每个内部电极都由一种非贵重金属制成,在紧靠内部电极处形成Si氧化物层或包含Si氧化物和至少一种组成所述介电陶瓷层和所述内部电极的成分的复合层。此电容器具有良好的耐热冲击和耐湿负荷特性。

公开(公告)号：CN1173725A

公开(公告)日：1998-02-18

申请号：CN97115401.5

申请日：1997-07-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 和田博之 ,  佐野晴信 ,  坂本德彦

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/468 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种带有介电陶瓷层的叠层陶瓷电容器,该介电陶瓷层的材料包括钛酸钡(其中碱金属氧化物杂质的含量不大于约0.02%(重量)),氧化锰,氧化钴和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有约0.5至5.0摩尔(以MgO计)的氧化镁,(1－α－β－γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O，其中M2O3为Sc2O3和Y2O3中的至少一种;Re2O3是Sm2O3和Eu2O3中的至少一种;α、β、γ、m、x、和y为:0.0025≤α+β≤0.025，0≤β≤0.0075,0.0015≤γ≤0.05,γ/(α+β)≤4,0≤x

公开(公告)号：CN1154562A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96116727.0

申请日：1996-12-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂本宪彦 ,  佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器，包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物制成的介电陶瓷层：(1-α-β){BaO}m·TiO2+α{(1-x)M2O3+xRe2O3}+β(Mn1-y-zNiyCoz)O(0.0025≤α≤0.025；0.0025≤β≤0.05；β/α≤4；0

公开(公告)号：CN1238860C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN02143985.0

申请日：2002-09-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村有幸 ,  清水基尋 ,  佐野晴信

IPC: H01B1/16 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/008 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/63 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明揭示一种导电糊、迭层陶瓷电子器件的制造方法及迭层陶瓷电子器件。在导电糊中加上导电金属粉及有机赋形剂，使其含有陶瓷粉。陶瓷粉为Re(La等)、包括Mg及Mn的化合物的至少一种、并且焙烧过的ABO3系(A为Ba等、B为Ti等)的粉末，具有比金属粉更小的平均粒径，并且是在构成陶瓷层的基体用陶瓷的烧结温度下不烧结的粉末。在迭层陶瓷电容器中，为了不易因烧结时的陶瓷层和内部导体膜间的收缩行为之差别引起产生裂缝等缺陷，所以，在让内部导体膜用的导电糊含有陶瓷粉之同时，做成使得该陶瓷粉不会给陶瓷层的电气特性带来不良影响。

公开(公告)号：CN1224065C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN01121006.0

申请日：1997-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/008 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有：钛酸钡，其中杂质，碱金属氧化物的含量低于0.02重量%；至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物；氧化锰和非必要的氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有0.5至3.0摩尔氧化镁，以MgO计，和0.2至5.0摩尔氧化硅作为次要组分，以SiO2计：(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O，其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种；α、β、m和x如下所述：0.0025≤α≤0.020；0.0025≤β≤0.04；β/α≤4；0≤x＜1.0；1.000＜m≤1.035。

公开(公告)号：CN1216382C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN00117674.9

申请日：2000-05-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 水埜嗣伸 ,  中村友幸 ,  佐野晴信

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682

Abstract: 本发明提供了一种非还原介质陶瓷，具有由化学式ABO3表示钙钛矿结构，具有含有钛酸钡作为主要成份的主要结晶相。在25摄氏度或更高的温度，通过X射线衍射法确定的结晶轴比率c/a满足关系1.000≤c/a≤1.003。较好地，非还原介质陶瓷具有小于-25摄氏度的相转变温度。较好地，非还原介质陶瓷包含至少一种稀土元素。还揭示了包含由根据本发明的非还原介质陶瓷构成的介质陶瓷层的单片陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1197101C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01136806.3

申请日：2001-10-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  酒井健太郎 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01G4/1245 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236

Abstract: 一种绝缘陶瓷，包括主组分ABO3和助组分R和M，其中A为Ba、Sr和Ca中的至少一种；B为Ti、Zr和Hf中的至少一种；R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y中的至少一种；M为Ni、Co、Fe、Cr和Mn中的至少一种。该绝缘陶瓷在晶界上约有70%或更多的分析点含有组分R和M。该绝缘陶瓷适用于制备多层陶瓷电容器的绝缘陶瓷片，其通过在还原气氛中烧制得到，该绝缘陶瓷在高温和高电压时具有较长的使用寿命，在用于直流电压时，其静电电容量随着时间的变化很小，即使当降低绝缘陶瓷片的厚度时，仍具有令人满意的可靠性。

公开(公告)号：CN1144243C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN99110782.9

申请日：1999-08-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂本彦 ,  元木智雄 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/008

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种介电常数为100或更高并在高温负载下的寿命试验中有优良可靠性的改进的抗还原介电陶瓷组合物，和一种用该组合物形成的独石陶瓷电容器。该组合物包括含金属元素M(M：Ca，或Ca和Sr)、Zr和Ti的复合氧化物，以式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示时，x、y和m满足0≤x＜0.5，0.60＜y≤0.85，0.85＜m＜1.30，该氧化物构成主要组分，每100摩尔主要组分与辅助组分锰化合物和镁化合物中的至少一种混合在一起，以MnO和MgO计该辅助组分含量为0.1-6摩尔。所述组合物还含有烧结助剂，如SiO2。

公开(公告)号：CN1100332C

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN97115401.5

申请日：1997-07-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 和田博之 ,  佐野晴信 ,  坂本德彦

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/468 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种带有介电陶瓷层的叠层陶瓷电容器，该介电陶瓷层的材料包括钛酸钡(其中碱金属氧化物杂质的含量不大于约0.02%(重量))，氧化锰，氧化钴和氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有约0.5至5.0摩尔(以MgO计)的氧化镁，(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O其中M2O3为Sc2O3和Y2O3中的至少一种；Re2O3是Sm2O3和Eu2O3中的至少一种；α、β、γ、m、x和y为：0.0025≤α+β≤0.0250≤β≤0.00750.0015≤γ≤0.05γ/(α+β)≤40≤x＜1.00≤y＜1.00≤x+y＜1.01.000＜m≤1.035；相对于100份(重量)所述主要组分和氧化镁，含有约0.2至3.0份(重量)Li2O-B2O3-(Si，Ti)O2氧化物玻璃，所述内部电极由镍或镍合金构成。