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公开(公告)号：CN1179423C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN98116605.9
申请日：1998-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/16 , C04B35/462 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01B3/12 , B32B2311/22 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/1227
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物，它包括100份(重量)由(BaO)m·TiO2+M2O3+R2O3+BaZrO3+MgO+MnO(其中M2O3代表Sc2O3或Y2O3中的至少一种，R2O3代表选自Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3和Dy2O3)表示的主要组分和0.2至3.0份(重量)由Li2O-(Si，Ti)O2-MO(其中MO是Al2O3或ZrO2中的至少一种)或SiO2-TiO2-XO表示的氧化物(其中XO为选自BaO、CaO、SrO、MgO、ZnO和MnO中的至少一种化合物)表示的次要组分，以及用其制得的陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN1210374A
公开(公告)日：1999-03-10
申请号：CN98116605.9
申请日：1998-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/16 , C04B35/462
CPC classification number: H01B3/12 , B32B2311/22 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/1227
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物,它包括100份(重量)由(BaO)m·TiO2+M2O3+R2O3+BaZrO3+MgO+MnO(其中M2O3代表Sc2O3或Y2O3中的至少一种,R2O3代表选自Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3和Dy2O3)表示的主要组分和0.2至3.0份(重量)由Li2O－(Si,Ti)O2－MO(其中MO是Al2O3或ZrO2中的至少一种)或SiO2－TiO2－XO表示的氧化物(其中XO为选自BaO、CaO、SrO、MgO、ZnO和MnO中的至少一种化合物)表示的次要组分,以及用其制得的陶瓷电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1216382C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN00117674.9
申请日：2000-05-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01B3/12 , C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/008 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682
Abstract: 本发明提供了一种非还原介质陶瓷，具有由化学式ABO3表示钙钛矿结构，具有含有钛酸钡作为主要成份的主要结晶相。在25摄氏度或更高的温度，通过X射线衍射法确定的结晶轴比率c/a满足关系1.000≤c/a≤1.003。较好地，非还原介质陶瓷具有小于-25摄氏度的相转变温度。较好地，非还原介质陶瓷包含至少一种稀土元素。还揭示了包含由根据本发明的非还原介质陶瓷构成的介质陶瓷层的单片陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN1238533A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：CN99107648.6
申请日：1999-05-12
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其包含主要成分，其可由下式表示：｛BaO｝mTiO2+αR2O3+βBaZrO3+γMgO+gMnO,其中R2O3为至少一种选自由Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3和Yb2O3组成的组中的成分，并且α、β、γ和g的每个均表示摩尔比，并且α、β、γ和g满足特定关系；和次要成分，其相对于100摩尔的主要成分为0.2—5.0摩尔量的氧化硅还原为SiO2。
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公开(公告)号：CN1118444C
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN99120872.2
申请日：1999-09-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/462 , H01B3/12 , H01G4/30 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , H01G4/1227
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物，其烧制温度为1300℃或更低；介电常数为200或更高；在高频高压交流电下损耗低，在高电场强度下具有高的绝缘电阻，其性能满足B级和X7R级性能标准；且在高温负荷试验中具有优异的性能。该组合物含有钛酸钡固溶体和多种添加剂，可由式ABO3+aR+bM表示，其中ABO3代表具有钙钛矿结构的钛酸钡固溶体；R代表至少一种金属元素的氧化物；M代表至少另一种金属元素的氧化物；a和b分别代表单一金属氧化物的摩尔比，以及一种烧结添加剂，其中0.950≤A/B(摩尔比)≤1.050，0.12＜a≤0.30，0.04≤b≤0.30。
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公开(公告)号：CN1274931A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00117674.9
申请日：2000-05-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01B3/12 , C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/008 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682
Abstract: 本发明提供了一种非还原介质陶瓷,具有由化学式ABO3表示钙钛矿结构,具有含有钛酸钡作为主要成份的主要结晶相。在25摄氏度或更高的温度,通过X射线衍射法确定的结晶轴比率c/a满足关系1.000≤c/a≤1.003。较好地,非还原介质陶瓷具有小于－25摄氏度的相转变温度。较好地,非还原介质陶瓷包含至少一种稀土元素。还揭示了包含由根据本发明的非还原介质陶瓷构成的介质陶瓷层的单片陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN1249286A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN99120872.2
申请日：1999-09-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/462 , H01B3/12 , H01G4/30 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , H01G4/1227
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物,其烧制温度为1300℃或更低;介电常数为200或更高;在高频高压交流电下损耗低,在高电场强度下具有高的绝缘电阻,其性能满足B级和X7R级性能标准;且在高温负荷试验中具有优异的性能。该组合物含有钛酸钡固溶体和多种添加剂,可由式ABO3+aR+bM表示,其中ABO3代表具有钙钛矿结构的钛酸钡固溶体;R代表至少一种金属元素的氧化物;M代表至少另一种金属元素的氧化物;a和b分别代表单一金属氧化物的摩尔比,以及一种烧结添加剂,其中0.950≤A/B(摩尔比)≤1.050,0.12
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