公开(公告)号：CN1282079A

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN00121712.7

申请日：2000-07-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈松俊宏 ,  中村友幸 ,  堀宪治 ,  畠宏太郎 ,  佐野晴信

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种介电陶瓷组合物,包括含钛酸钡BamTiO3主要组分,RO3/2、CaO、MgO和SiO2次要组分的复合氧化物,R是至少一种选自Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的元素;该复合氧化物满足关系100BamTiO3+aRO3/2+bCaO+cMgO+dSiO2,以摩尔计0.990≤m≤1.030,0.5≤a≤6.0,0.10≤b≤5.00,0.010≤c

公开(公告)号：CN102086121B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201010557853.7

申请日：2010-11-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村将典 ,  冈松俊宏 ,  加藤成 ,  矶田信弥

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的在于提供即使进行介电陶瓷层的薄层化，介电陶瓷的相对介电常数也高、对温度变化或机械性冲击的可靠性也良好的层叠陶瓷电容器。作为构成层叠陶瓷电容器1的介电陶瓷层2的介电陶瓷，使用如下介电陶瓷：以(Ba1-xCax)TiO3为主成分，以Re2O3、MgO、MnO、V2O5及SiO2为副成分，其中，0.045≤x≤0.15，Re为选自Gd、Dy、Ho、Yb和Y中的至少一种，所述介电陶瓷由通式100(Ba1-xCax)TiO3+aRe2O3+bMgO+cMnO+dV2O5+eSiO2表示，并满足如下条件：0.65≤a≤1.5、0.15≤b≤2.0、0.4≤c≤1.5、0.02≤d≤0.25、0.2≤e≤3.0。

公开(公告)号：CN102186793A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141724.5

申请日：2009-09-02

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 井上德之 ,  西村仁志 ,  冈松俊宏 ,  冈本贵史

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/79 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种电介体陶瓷，即使在15kV/mm程度的较高的电场强度下，也显示出较高的耐高温负载特性。一种电介体陶瓷，将通式用(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-n-o-pZryHfjMgnZnoMnp)O3表示的钙钛矿化合物作为主要成分，其特征在于，满足0≤h≤0.03、0≤i≤0.03、0.042≤m≤0.074、0.94≤k≤1.075、0≤(y+j)≤0.05、0.015≤n≤0.07、0≤o≤0.04、0≤p≤0.05、及1.0＜m/(n+o)＜4.3。该电介体陶瓷有利于用作层叠陶瓷电容器(1)中具备的电介体陶瓷层(3)的材料。

公开(公告)号：CN1280234C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480000059.5

申请日：2004-01-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈松俊宏 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种用下述步骤得到的介电陶瓷：得到由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的钛酸钡基复合氧化物构成的反应产物，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035；混合Ma(Ba等)、Mb(Mn等)和Mc(Si等)，其中，以100摩尔反应产物计，Ma的含量小于1.5摩尔，Mb的含量小于1.0摩尔，Mc的含量是0.5-2.0摩尔；然后将如此得到的混合物焙烧。这种介电陶瓷具有优异的抗湿性，能够满足JIS标准中的F性能和EIA标准中的Y5V性能，相对介电常数是9000或更大，具有优异的高温可靠性。

公开(公告)号：CN1697789A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000059.5

申请日：2004-01-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈松俊宏 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种用下述步骤得到的介电陶瓷：得到由通式(Ba1－h－i－mCahSriGdm)k(Ti1－y－j－nZryHfjMgn)O3表示的钛酸钡基复合氧化物构成的反应产物，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035；混合Ma(Ba等)、Mb(Mn等)和Mc(Si等)，其中，以100摩尔反应产物计，Ma的含量小于1.5摩尔，Mb的含量小于1.0摩尔，Mc的含量是0.5－2.0摩尔；然后将如此得到的混合物焙烧。这种介电陶瓷具有优异的抗湿性，能够满足JIS标准中的F性能和EIA标准中的Y5V性能，相对介电常数是9000或更大，具有优异的高温可靠性。

公开(公告)号：CN1201339C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02107594.8

申请日：2002-03-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小中宏泰 ,  中村友幸 ,  冈松俊宏 ,  佐野晴信

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/48 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/08 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 介电陶瓷，它具有陶瓷结构，由晶体颗粒和晶体颗粒之间的颗粒边界组成。所述晶体颗粒包括由结构式ABO3表示的主要成分和含稀土元素的添加剂，其中A是钡、钙和锶中的至少一种，钡作为基本的元素；B是钛、锆和铪中的至少一种，钛作为基本的元素。晶体颗粒内部平均稀土元素的浓度约为颗粒边界处平均稀土元素浓度的50%或更小。并且大约20%-70%的晶体颗粒在晶体颗粒中央的稀土元素浓度至少是从表面向内延伸距离相当于约5%晶体颗粒直径的区域内的最大稀土元素浓度的约1/50。

公开(公告)号：CN1375835A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02107594.8

申请日：2002-03-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小中宏泰 ,  中村友幸 ,  冈松俊宏 ,  佐野晴信

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/48 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/08 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 介电陶瓷,它具有陶瓷结构,由晶体颗粒和晶体颗粒之间的颗粒边界组成。所述晶体颗粒包括由结构式ABO3表示的主要成分和含稀土元素的添加剂,其中A是钡、钙和锶中的至少一种,钡作为基本的元素;B是钛、锆和铪中的至少一种,钛作为基本的元素。晶体颗粒内部平均稀土元素的浓度约为颗粒边界处平均稀土元素浓度的50%或更小。并且大约20%－70%的晶体颗粒在晶体颗粒中央的稀土元素浓度至少是从表面向内延伸距离相当于约5%晶体颗粒直径的区域内的最大稀土元素浓度的约1/50。