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公开(公告)号：CN101838141A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010134228.1
申请日：2010-03-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , B28B1/00 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供能够形成介电常数的温度特性平坦化、且高温高电场条件下的可靠性优良的电介体陶瓷的钛酸钡系电介体原料粉末及其制造方法、陶瓷胚片的制造方法及层叠陶瓷电容器的制造方法。在本发明的钛酸钡系电介体原料粉末中，利用BaCO3与BaO的比例以摩尔比计为BaCO3/BaO＝0.55以上的钡化合物被覆了BaTiO3粉末的表面。在本发明中，准备BaTiO3粉末，再将该BaTiO3粉末在水系溶剂中浸渍16小时以上，还可以使用添加有特性调整用的添加成分的BaTiO3粉末作为BaTiO3粉末，然后制备含有本发明的钛酸钡系电介体原料粉末、粘性基料、分散介质的片材成形用浆料，再将该浆料成形为片状制成陶瓷胚片。
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公开(公告)号：CN1301517C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200310118632.X
申请日：2003-11-27
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 提供一种介电陶瓷，它适于构成在还原性气氛中烧成而得到的叠层陶瓷电容器中介电陶瓷层的介电陶瓷，即使将其薄层化介电常数的温度依存性也不随着薄层化程度而恶化，而且可靠性优良。本发明的介电陶瓷，是以ABO3(A是Ba等，B是Ti等。)作为主要成分并含有稀土元素的一种介电陶瓷，就构成其70%以上的晶粒21而言，观察其断面时，5～70%的截面积，由稀土元素固溶的稀土元素固溶区域所占据，10～80%的断面外周，由稀土元素未固溶的稀土元素非固溶区域所占据。
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公开(公告)号：CN1201339C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN02107594.8
申请日：2002-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/48 , B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 介电陶瓷，它具有陶瓷结构，由晶体颗粒和晶体颗粒之间的颗粒边界组成。所述晶体颗粒包括由结构式ABO3表示的主要成分和含稀土元素的添加剂，其中A是钡、钙和锶中的至少一种，钡作为基本的元素；B是钛、锆和铪中的至少一种，钛作为基本的元素。晶体颗粒内部平均稀土元素的浓度约为颗粒边界处平均稀土元素浓度的50%或更小。并且大约20%-70%的晶体颗粒在晶体颗粒中央的稀土元素浓度至少是从表面向内延伸距离相当于约5%晶体颗粒直径的区域内的最大稀土元素浓度的约1/50。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1375835A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02107594.8
申请日：2002-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/48 , B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 介电陶瓷,它具有陶瓷结构,由晶体颗粒和晶体颗粒之间的颗粒边界组成。所述晶体颗粒包括由结构式ABO3表示的主要成分和含稀土元素的添加剂,其中A是钡、钙和锶中的至少一种,钡作为基本的元素;B是钛、锆和铪中的至少一种,钛作为基本的元素。晶体颗粒内部平均稀土元素的浓度约为颗粒边界处平均稀土元素浓度的50%或更小。并且大约20%－70%的晶体颗粒在晶体颗粒中央的稀土元素浓度至少是从表面向内延伸距离相当于约5%晶体颗粒直径的区域内的最大稀土元素浓度的约1/50。
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公开(公告)号：CN101838141B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201010134228.1
申请日：2010-03-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , B28B1/00 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供能够形成介电常数的温度特性平坦化、且高温高电场条件下的可靠性优良的电介体陶瓷的钛酸钡系电介体原料粉末及其制造方法、陶瓷胚片的制造方法及层叠陶瓷电容器的制造方法。在本发明的钛酸钡系电介体原料粉末中，利用BaCO3与BaO的比例以摩尔比计为BaCO3/BaO＝0.55以上的钡化合物被覆了BaTiO3粉末的表面。在本发明中，准备BaTiO3粉末，再将该BaTiO3粉末在水系溶剂中浸渍16小时以上，还可以使用添加有特性调整用的添加成分的BaTiO3粉末作为BaTiO3粉末，然后制备含有本发明的钛酸钡系电介体原料粉末、粘性基料、分散介质的片材成形用浆料，再将该浆料成形为片状制成陶瓷胚片。
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公开(公告)号：CN100559523C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200410002931.1
申请日：2004-01-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , H01B3/12 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/761 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01G4/30
Abstract: 一种介电陶瓷，该介电陶瓷在组成上包括含Ba、Ca和Ti的通式为ABO3的钙钛矿型化合物，和含Si、R(La等)和M(Mn等)的添加剂组分，添加剂组分没有被固体溶解，而且主要组分存在于每个晶粒的至少90%的横截面中，这样的晶粒数目占介电陶瓷所含的所有晶粒数目的至少85%，在介电陶瓷晶粒界面至少85%的分析点上至少包含Ba、Ca、Ti、Si、R和M。
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公开(公告)号：CN1518019A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410002931.1
申请日：2004-01-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/761 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01G4/30
Abstract: 一种介电陶瓷，该介电陶瓷在组成上包括含Ba、Ca和Ti的通式为ABO3的钙钛矿型化合物，和含Si、R(La等)和M(Mn等)的添加剂组分，添加剂组分没有被固体溶解，而且主要组分存在于每个晶粒的至少90％的横截面中，这样的晶粒数目占介电陶瓷所含的所有晶粒数目的至少85％，在介电陶瓷晶粒界面至少85％的分析点上至少包含Ba、Ca、Ti、Si、R和M。
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公开(公告)号：CN1505072A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118632.X
申请日：2003-11-27
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 提供一种介电陶瓷，它适于构成在还原性气氛中烧成而得到的叠层陶瓷电容器中介电陶瓷层的介电陶瓷，即使将其薄层化介电常数的温度依存性也不随着薄层化程度而恶化，而且可靠性优良。本发明的介电陶瓷，是以ABO3(A是Ba等，B是Ti等。)作为主要成分并含有稀土元素的一种介电陶瓷，就构成其70％以上的晶粒21而言，观察其断面时，5～70％的截面积，由稀土元素固溶的稀土元素固溶区域所占据，10～80％的断面外周，由稀土元素未固溶的稀土元素非固溶区域所占据。
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