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公开(公告)号：CN101111385A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003458.6
申请日：2006-11-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/166
Abstract: 能够容易地提高单一基本横模的输出的面发光激光元件包括：反射层、谐振器隔离层、活性层、选择氧化层。所述选择氧化层被设置在与振荡光的电场的驻波分布的第4周期的节对应的反射层中的位置、和在与活性层侧相反方向上，与第4周期的节相邻接的与驻波分布的腹对应的反射层中的位置之间。
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公开(公告)号：CN104393086B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410541385.2
申请日：2014-07-30
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L31/02966 , H01L31/03046 , H01L31/0512 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 一种复合光伏电池，包括：第一衬底；由第一复合半导体材料制成并形成在第一衬底上的一个或多个第一光电转换单元；形成在一个或多个第一光电转换单元上的隧道结层；以及一个或多个第二光电转换单元，由与第一衬底的材料晶格失配的第二复合半导体材料制成，经隧道结层连接到一个或多个第一光电转换单元，并相对于一个或多个第一光电转换单元而位于光入射方向中的入射侧。一个或多个第一光电转换单元和一个或多个第二光电转换单元的带隙在光入射方向上从入射侧到背侧变小。隧道结层包括位于入射侧的p型层和位于背侧的n型层，该p型层是p+型(Al)GaInAs层，该n型层是n+型InP层，相对于InP层具有拉伸应变的n+型GaInP层，或相对于InP具有拉伸应变的n+型Ga(In)PSb层。
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公开(公告)号：CN102983498B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210493444.4
申请日：2009-04-28
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，第一层和第二层具有不同的折射率，其中，第二层比第一层具有更高的导热率，半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中第二层在光学厚度上大于第一层，第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层。
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公开(公告)号：CN104081599A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280068530.9
申请日：2012-11-29
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , G04F5/145 , H01S5/026 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18344 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/2086 , H01S5/3407 , H01S5/34313 , H01S5/34373 , H01S5/4087 , H01S5/42 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H03B17/00 , H03L7/26
Abstract: 本发明公开一种面发射激光器元件，包括半导体基底和构造为以彼此不同的波长发光的多个面发射激光器，每个面发射激光器包括布置在半导体基底上的下布拉格反射镜，布置在下布拉格反射镜上的谐振器、布置在谐振器上的上布拉格反射镜、以及布置在上布拉格反射镜或下布拉格反射镜中的波长调节层，包含在面发射激光器中的波长调节层具有彼此不同的厚度，所述波长调节层中的至少一个波长调节层包括由两种材料构成的调节层，波长调节层所包括的调节层的数目彼此不同。
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公开(公告)号：CN103650264A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033276.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 佐藤俊一
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , G04F5/14 , G04F5/145 , H01S5/005 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H03L7/26
Abstract: 面发射激光器元件包括：下DBR，形成在基板上；有源层，形成在下DBR之上；上DBR，形成在有源层上。上DBR包括电介质多层，该电介质多层通过交替层叠形成具有不同折射率的电介质而形成，遮光部形成在上DBR之上，并且遮光部在中心区域具有用于发射光的开口部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101356703B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200780001450.0
申请日：2007-08-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18322 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/423 , H01S2304/00 , H04N1/1135 , H04N1/1912 , H04N1/1917
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管(100)，包括：基板(101)及形成于基板上的台结构，该台结构中包含电流限制结构，其中该电流限制结构包含导电电流限制区域(108A)和围绕该导电电流限制区域的绝缘区域，该绝缘区域为形成导电电流限制区域的半导体材料的氧化物，且其中该电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从该台结构的中心偏移。
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公开(公告)号：CN101582563B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910139387.8
申请日：2009-05-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18355 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G2215/0404 , H01S5/18311 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。
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公开(公告)号：CN1943020B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200680000155.9
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L21/67103 , B82Y20/00 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 半导体氧化设备包含：可密封氧化室；设置于氧化室内并用来支撑半导体样品的基座；设置于氧化室外并用于向氧化室供应水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于氧化室的顶壁内，并且设置于能够面对支撑于基座上的半导体样品的位置处；监测部分，其设置于氧化室之外，并且能够经由监测窗面对支撑于基座上的半导体样品；移动机构，其用于沿垂直方向移动基座和监测部分的其中之一或者移动基座和监测部分二者；中断部分，其用来中断对半导体样品的氧化；用来在由监测部分获得的图像的基础上获得半导体样品的一部分的氧化速率、以及在氧化速率的基础上获得所需的附加氧化量的部分；以及用来对半导体样品的一部分附加氧化附加氧化量的部分。
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公开(公告)号：CN102077428A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125447.9
申请日：2009-04-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底垂直发射光，并且包括：包括有源层的谐振器结构；和半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括限制结构，该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式，所述限制结构具有氧化区域，该氧化区域围绕电流通过区域，氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层来形成的并包括至少一种氧化物，其中，所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm；且所述半导体多层发射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域，并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。
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公开(公告)号：CN101741015A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910253800.3
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/02461 , H01S5/18311 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。
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