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公开(公告)号：CN107534035A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026155.X
申请日：2016-05-16
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 森野友生
Abstract: 一种半导体装置，具备：以第1成分为主要成分而形成的第1元件(10～14)、以第2成分为主要成分而形成的第2元件(20～24)、载置有第1元件及第2元件的散热器(30)、使第1元件与散热器电接合的第1接合层(50)、使第2元件与散热器电接合的第2接合层(60)、以及覆盖并保护第1元件、第2元件、以及散热器的模制树脂(90)。第1元件及第2元件的尺寸被设定为，第1接合层的等效塑性应变增量大于第2接合层。由此，在具备彼此由不同的成分构成的半导体元件的半导体装置中，在由一方的成分构成的半导体元件侧不设置温度检测部件，也能够进行元件的热保护。
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公开(公告)号：CN119731540A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380059350.2
申请日：2023-09-27
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，设检查对象半导体元件为第1半导体元件，设用来取得教师数据的半导体元件为第2半导体元件，并进行以下工序：取得包含与第2半导体元件的特性有关的多个数据的教师数据；使用教师数据制作已学习模型；以及基于将与第1半导体元件的特性有关的多个数据输入到已学习模型中而得到的输出，判定是否实施第1半导体元件的电气检查。
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公开(公告)号：CN117296158A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280034057.6
申请日：2022-03-24
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78
Abstract: 在有源区域(1a)和非有源区域(1b)中的有源区域侧，在第1深层(14)及第1电流分散层(13)与基极区域(18)之间，具备具有与基极区域相连并且与第1深层相连、在与沟槽(21)的长度方向相同的方向上延伸设置的排列有多个线的第2条状部(171)的第2深层(17)。此外，具备形成在第1电流分散层与基极区域之间并且配置在构成第2条状部的多个线之间的第2电流分散层(15)。并且，第1深层中包含的构成第1条状部(141)的各线包括与框状部(142)相连的顶端部(141a)和比顶端部靠内侧的内侧部(141b)，顶端部的宽度为内侧部的宽度以上。
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公开(公告)号：CN106463491B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580029109.0
申请日：2015-05-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/48
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，使用碳化硅形成，在第1面(12a)及与该第1面相反的第2面具有电极；端子(14)，配置在第1面侧，经由接合部件而与第1面侧的电极连接；热沉(22)，配置在第2面侧，经由接合部件而与第2面侧的电极连接。设第1面(12a)为(0001)面，设半导体芯片的厚度方向为[0001]方向。并且，呈平面正方形的半导体芯片(12)的端部与呈平面长方形的端子(14)的端部之间的距离中的[1－100]方向上的最短距离(L1)比[11－20]方向上的最短距离(L2)短。由此，能够在抑制散热性的下降的同时、提高半导体芯片对热应力的耐受力。
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