-
公开(公告)号：CN1260778C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN01804554.5
申请日：2001-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/00 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/67161 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B37/245 , B24B37/345 , B24B41/061 , B24B49/16 , C23C18/1632 , C23C18/1653 , C25D7/123 , H01L21/02074 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/67219 , H01L21/6723 , H01L21/67393 , H01L21/67396 , H01L21/67772 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76877
Abstract: 一种基片加工方法，包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括：通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤，其中通过虚阳极调节电磁场，以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化，并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜，其中，在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。
-
公开(公告)号：CN1545728A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN02815790.7
申请日：2002-08-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/32
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C18/1608 , C23C18/1632 , C23C18/1653 , C23C18/32 , C23C18/48 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76874 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法，其具有埋入布线结构，并利用保护膜来保护裸露布线的表面；上述埋入布线结构是通过在设于半导体基片等表面上的布线用的微细凹部中，埋入铜或银等导电体而构成的。本发明的半导体器件的特征在于，在具有埋入布线结构的半导体器件的裸露布线表面，形成表面平坦化的保护膜。
-
公开(公告)号：CN1527888A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN02811119.2
申请日：2002-05-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C23C18/34 , C23C18/50 , H01L23/532 , H01L23/498
CPC classification number: H01L21/76849 , C23C18/1607 , C23C18/1637 , C23C18/1653 , C23C18/34 , C23C18/52 , H01L21/288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于形成保护膜的无电电镀液，该保护膜用于选择性保护半导体器件暴露互连的表面，而半导体器件具有如下的嵌入互连结构，其中电导体，如铜或银，嵌入在精细的凹槽内用于在半导体衬底表面上形成互连。本发明还涉及一种半导体器件，其中暴露互连的表面用保护膜选择性地加以保护。无电电镀液含有钴离子、配位剂和不含碱金属的还原剂。
-
-
Search Results
13
records
(took 0.026 seconds)
