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公开(公告)号：CN110937886A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911336343.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26
Abstract: 本发明公开了一种具有光伏效应的K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：K1-xLnxNb1-xFexO3，其中Ln为Ba、Sr、Mg、Zn中的一种，0.01≤x≤0.2；该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(0.5-0.5x)：(0.5-0.5x)：0.5x：x的摩尔比例称取高纯度的K2CO3、Nb2O5、Fe2O、LnO/LnCO3粉体原料，将原料混合均匀，于在高能球磨机中充分球磨，取出烘干，过筛，再煅烧合成K1-xLnxNb1-xFexO3粉体；2）将K1-xLnxNb1-xFexO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体置于马弗炉中，经过600℃保温2h排除PVA，再高温烧结，冷却至室温后，制得K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷。K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷具有优良的宏观铁电特征、低的光学带隙和稀磁特性，且具有显著光伏效应的稀磁铁电半导体特征的功能。
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公开(公告)号：CN110877978A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911336342.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1-x)/2：(1-x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。
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公开(公告)号：CN105957674B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610316390.2
申请日：2016-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高矫顽力的Nd‑Ce‑Pr‑Fe‑B合金薄带永磁材料及其制备方法,Nd‑Ce‑Pr‑Fe‑B合金薄带永磁材料的化学分子通式为(Nd1‑xCex/2Prx/2)13.41Fe79.88B6.71，其中0.2≤x≤0.4，所述原料以原子百分比计，Nd的原子百分比为(1‑x)*13.41，Ce与Pr的原子百分比为x/2*13.41，Fe的原子百分比为79.88，B的原子百分比为6.71；其制备方法是将Nd、Ce、Pr、F、B各原料按合金化学分子式配料，并熔炼制备母合金，真空环境中退火15天，使母合金扩散均匀。再使用熔体快淬的方法获得合金薄带。本发明工艺简单，获取的合金薄带矫顽力高，亦可提高稀土的利用率，可以广泛应用烧结与粘结钕铁硼永磁体制备熔体快淬工艺。
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公开(公告)号：CN117265359A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311226772.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于固态贮氢技术领域，本发明提供了一种Ti‑V‑Fe‑Cr‑Nb高熵储氢合金及其制备方法，Nb的原子百分含量为18～22％，Ti、V、Fe、Cr的原子百分含量独立的为7～35％；将金属Ti、金属V、金属Fe、金属Cr和金属Nb混合，在真空环境下充入氩气后进行熔炼，得到Ti‑V‑Fe‑Cr‑Nb高熵储氢合金。本发明通过向Ti‑V‑Cr‑Fe体系合金中掺杂金属元素Nb，不仅提高了储氢性能，降低了材料的制备成本，同时也为Ti‑V基储氢合金的制备方案提供了更多选择；(Ti+V)/(Fe+Cr)原子比值为3的合金为BCC相和菱面晶系，为原子进入合金提供了大量通道，从而增大合金的储氢容量。
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公开(公告)号：CN116916724A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310975799.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池的离子液体热管理方法，涉及光伏电池技术领域。本发明将一种高稳定性的离子液体沉积在钙钛矿薄膜和与其接触的电子传输层界面之间，或加入到钙钛矿薄膜的原材料中，在N2气氛或空气中通过25‑120℃后处理工艺分布在钙钛矿薄膜的表面和晶界，对钙钛矿太阳能电池在实际工作中钙钛矿活性层产生的热进行有效的管理，实现离子液体在有机‑无机杂化钙钛矿太阳能电池中的多功能应用的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115647648A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211104177.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电子材料制备技术领域，具体涉及一种低成本高性能Ag‑Cu‑Sn‑In中温无镉焊料及制备方法，包括对Ag、Cu、Sn和In进行混合，得到混合原料；将混合原料放入真空电弧熔炼炉中使用电弧喷枪进行熔炼，得到半成品；对半成品进行四轮熔炼后进行冷却，得到合金铸锭，在室温条件下，将四种金属原料混合，通过真空电弧熔炼炉制备，本发明基于Ag‑Cu共晶合金焊料，引入Sn元素和In元素，制备的焊料合金熔化范围为580℃～600℃，接近于含镉的BAg40CuZnCdNi和BAg40CuZnCd焊料，对母材具有良好的润湿性、铺展性优良、塑性和力学性能优异，可达到环境友好目的，同时降低了焊料合金生产成本，从而解决现有的中温无镉焊料成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN111778425A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010637783.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单相铑基合金磁制冷材料，化合物通式为R3Rh2，其中R为稀土元素Ho或Er元素中的任意一种，其成分为单相；所述单相为Y3Rh2型的晶体结构。其制备方法包括以下步骤：1）铑基合金磁制冷合金锭的熔炼；2）铑基磁制冷材料的退火处理。作为磁制冷材料的应用，为二级相变材料，不存在热滞；磁熵变值在0-5 T磁场下的范围为14-20 J kg-1K-1，制冷量为达380-390 J/kg。本发明具有以下优点：单相性好；是单一的二级相变材料，且磁转变温度附近只发生磁结构转变，不存在热滞；是非常理想的低温区磁制冷材料；并且工艺简单，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111719076A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010698014.0
申请日：2020-07-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种GdTbHoEr高饱和磁化强度材料，以Gd、Tb、Ho和Er为原料，经电弧熔炼制备得化学式为GdTbHoEr，具有单一密排六方的晶体结构的高饱和磁化强度材料；元素成分还包含La或Y中的一种或两种。作为磁性材料的应用，具有磁相转变特性，在低于奈尔温度时，饱和磁化强度达到290-300 emu/g；以高熵合金GdTbHoEr为基体，通过加入La与Y，在190K到120K范围内调控合金的磁转变温度，在600 Oe到1706 Oe范围内调控合金的矫顽力。本发明高饱和磁化强度材料具有：磁化强度大且存在温区宽，成分可调，奈尔温度可调，工艺简单且多样化，总体制备成本低的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN111292911A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010033859.8
申请日：2020-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种改进钕铁硼磁体材料性能的改进方法，以Nd2Fe14B相为主的磁体材料，经过取向成型工艺的参数的改进以降低磁体材料的收缩比，最终制备得到所述改进钕铁硼磁体材料。本发明主要改进钕铁硼磁体材料取向成型工艺的技术参数，使烧结后的胚料收缩比降低，以达到减少钕铁硼磁体碎料的浪费，还能有效提高磁体材料的各项性能。
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