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公开(公告)号：CN118675835A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410695223.8
申请日：2024-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01F1/057 , B22D11/06 , B22D11/113 , B22D11/00 , C22C29/14 , C22C29/00 , C22C1/10 , C22C1/02 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种NdFeB‑NdFeCu合金薄带，以Nd、Fe和Cu作为原料，满足化学式为70wt.％Nd2Fe14B+30wt.％Nd6Fe13Cu，其中，Nd的添加量在理论含量基础上额外增加0.5wt.％作为补损，经翻转熔炼得到NdFeB‑NdFeCu合金铸锭，再以定制石英管进行真空甩带，即可得到NdFeB‑NdFeCu合金薄带，即永磁性NdFeB‑NdFeCu合金；所述NdFeB‑NdFeCu合金薄带主相成分为Nd2Fe14B，晶间相为Nd6Fe13Cu。其制备方法包括以下步骤：1，NdFeB‑NdFeCu合金铸锭的熔炼；2，NdFeB‑NdFeCu合金薄带的制备。作为钕铁硼永磁材料应用时，在0‑2T磁场下的矫顽力为16‑17.68KOe，剩磁为57.56‑79.15emu/g。
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公开(公告)号：CN107574363B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710776881.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁磁性的Fe‑Dy储氢材料，由Fe和稀土Dy为原料，经电弧熔炼和热处理制得化学式为Fe17Dy2的Fe‑Dy储氢材料，具有Th2Ni17型六方的晶体结构的铁磁性材料，饱和磁化强度为62~100Am2/kg，居里温度为90~100℃，储氢性能为0.1~0.2wt.%。其制备方法包含以下步骤：1）按化学式称量Fe和Dy熔炼制备成Fe17Dy2合金；2）将制备的合金热处理制得Fe‑Dy储氢材料。作为储氢材料的应用时，具有磁相转变特性，在高于居里温度时的储氢量为0.11~0.14 wt.%，在居里温度时的储氢量反而提高到0.18~0.2 wt.%。本发明的储氢材料居里温度低且工作温度在居里温度附近。
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公开(公告)号：CN107326243B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710501477.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/38
Abstract: 本发明公开了一种新颖的具有较高储氢性能的新材料，包括样品的配样、制备、热处理、吸氢测试及磁性能测试。所述配样为较为廉价的Fe、Mn和稀土Dy为主要原材料，按照化学式(Mn1‑xFex)23Dy6进行配比的合金。所述制备方法为真空氩弧熔炼方法。所述热处理是将制备的样品放入退火炉中在800℃热处理100小时。所述吸氢测试是采用气体吸收分析仪(PCT)进行吸氢能力测试。所述磁性能测试是采用振动样品磁强计(VSM)进行磁性能测试。本发明公开的新材料，具有成份简单、原料易得、配方合理、制备工艺简单等特点，同时该新材料具有良好储氢性能及磁性能，在吸氢材料领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN115240941A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210929600.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种零场冷室温交换偏置永磁材料，由两种稀土元素Pr和Gd，以及Co元素组成，先经过熔炼得到铸态Pr‑Gd‑Co化合物，再经甩带处理得到Pr‑Gd‑Co薄带，即零场冷室温交换偏置永磁材料；原子配比满足1:3，化学式为Pr1‑xGdxCo3，x的取值范围为0.2≤x≤0.8；居里温度的范围为‑400 K‑550 K之间；相结构为菱方相的PuNi3型的晶体结构。其制备方法包括：1，铸态Pr‑Gd‑Co化合物的制备；2，零场冷室温交换偏置永磁材料的制备。作为永磁材料的应用，在室温条件下，当外磁场为2 T时，矫顽力为1.37‑12.88 kOe；交换偏置场为0.2‑5.38 kOe；在10 K条件下，当外磁场为5 T时，矫顽力为16.47‑36.23 kOe；交换偏置场为2.73‑14.92 kOe。本发明的优点为，具有矫顽力大，零场冷条件下交换偏置场强，温度稳定性好，工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN110634638B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910929705.4
申请日：2019-09-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种(Pr,Gd)Co永磁材料，由Co和稀土Pr、Gd为原料，经熔炼和热处理制备得化学式为(Pr1‑xGdx)Co2的Laves相永磁材料，其中，化学式中的x值满足0.2≤x≤0.6；所得材料具有MgCu2型立方的晶体结构；居里温度为54‑254K，在低于居里温度时，饱和磁化强度为8.2‑63Am2/kg，矫顽力0.167‑0.73T。其制备方法包含以下步骤：1）原料的熔炼，按照化学式称量Co和稀土Pr、Gd，经熔炼制备成(Pr1‑xGdx)Co2合金；2）材料的热处理，通过热处理形成稀土原子与钴原子满足物质的量之比为1:2稳定相。本发明永磁材料具有：工作温度可调控，矫顽力大，工艺简单，原料廉价，总体制备成本低的特点，适合工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111719076A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010698014.0
申请日：2020-07-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种GdTbHoEr高饱和磁化强度材料，以Gd、Tb、Ho和Er为原料，经电弧熔炼制备得化学式为GdTbHoEr，具有单一密排六方的晶体结构的高饱和磁化强度材料；元素成分还包含La或Y中的一种或两种。作为磁性材料的应用，具有磁相转变特性，在低于奈尔温度时，饱和磁化强度达到290-300 emu/g；以高熵合金GdTbHoEr为基体，通过加入La与Y，在190K到120K范围内调控合金的磁转变温度，在600 Oe到1706 Oe范围内调控合金的矫顽力。本发明高饱和磁化强度材料具有：磁化强度大且存在温区宽，成分可调，奈尔温度可调，工艺简单且多样化，总体制备成本低的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN107574347B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710762594.3
申请日：2017-08-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种镨钴基合金磁制冷材料，原料是Pr、Co和Mn以满足化学式Pr(Co1‑xMnx)2的摩尔比配比，所述化学式Pr(Co1‑xMnx)2的x取值范围为0.0~0.12，经熔炼和退火处理制得，具有MgCu2型立方单相结构，并且为二级相变材料。其制备方法包括步骤：1）镨钴基合金磁制冷材料的熔炼；2）镨钴基合金磁制冷材料的退火处理。作为磁制冷材料的应用时，该合金的磁熵变值和相对制冷量在0~5 T磁场下分别为10.66 J/kg·K和172.43 J/kg，可作为磁制冷工质应用在磁制冷装置中。本发明的优点在于，作为二级相变材料，具有较宽的居里温度、工作温区及较高的磁熵变值和相对磁制冷量，能有效的避免一级相变材料带来的热滞问题，制备方法简单，使得该磁制冷材料具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN107574363A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710776881.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁磁性的Fe-Dy储氢材料，由Fe和稀土Dy为原料，经电弧熔炼和热处理制得化学式为Fe17Dy2的Fe-Dy储氢材料，具有Th2Ni17型六方的晶体结构的铁磁性材料，饱和磁化强度为62~100Am2/kg，居里温度为90~100℃，储氢性能为0.1~0.2wt.%。其制备方法包含以下步骤：1）按化学式称量Fe和Dy熔炼制备成Fe17Dy2合金；2）将制备的合金热处理制得Fe-Dy储氢材料。作为储氢材料的应用时，具有磁相转变特性，在高于居里温度时的储氢量为0.11~0.14 wt.%，在居里温度时的储氢量反而提高到0.18~0.2 wt.%。本发明的储氢材料居里温度低且工作温度在居里温度附近。
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公开(公告)号：CN119742170A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510052762.4
申请日：2025-01-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01F41/02 , H01F1/34 , C04B35/26 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于软磁铁氧体材料技术领域，具体涉及一种镍锌铁氧体复合材料及其制备方法和应用。本发明通过添加易于软化的烧结助剂，在与镍锌铁氧体复合后，升温至烧结温度后，熔融态的烧结助剂填充镍锌铁氧体晶粒间形成复合软磁铁氧体，从而降低整个复合材料的烧结成型温度。同时本发明中镍锌铁氧体自身较脆，韧度低，烧结助剂韧度相对较高，加入烧结助剂，借助烧结助剂的高韧度，并保持镍锌铁氧体的高耐压强度，有利于陶瓷器件的加工。本发明通过加入烧结助剂可稳定提高饱和磁感应强度，从而提高镍锌铁氧体复合材料的能量储存和转换的效率。
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公开(公告)号：CN119390439A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411551338.6
申请日：2024-11-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/26 , C04B35/622 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/092
Abstract: 本发明提供了一种具有异质结构的铁酸铋‑钛酸钡压电陶瓷及其制备方法，该陶瓷由A层、B层和A层依次叠层压制而成；所述A层的结构通式：BaTi(1‑x)SnxO3；所述B层的结构通式:0.75BiFeO3‑0.25BaTiO3‑y％MnO2；0＜x≤0.16，且0＜y≤1。其制备方法为：将A层原料、B层原料按照A、B、A依次叠层压制成片，得到素片，然后将素片排胶、电镀、极化制得。本发明的压电陶瓷同时兼具压电性能和热稳定性。
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