一种太阳能电池板自动清洗系统及方法

    公开(公告)号:CN111330890A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010181622.4

    申请日:2020-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池板自动清洗系统,包括清尘机器人、自动补水装置和导航系统,所述清尘机器人包括装置底座、电机、储水箱、水位传感器、升降台、伸缩臂、第一伸缩杆、第二伸缩杆、端面连接板、毛刷、两根支架、两个喷水器、地磁传感器、四个轮子、太阳能电池板、充电器和第一增压泵;所述自动补水装置包括第二增压泵、补水阀、输水管、水阀和超声水位传感器;所述导航系统包括定位及循迹。本发明能够有效减少因人工清洗时踩踏造成的隐裂以及因缺乏积极清洗致使灰尘污染大幅减低太阳能电池板的发电量。

    一种基于三维场景还原的指导性防火消防救援系统及方法

    公开(公告)号:CN110853137A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911125659.9

    申请日:2019-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于三维场景还原的指导性防火消防救援系统及方法,系统包括火灾检测端、云平台端以及应用端,火灾检测端包括各类传感器,传感器数据发送至云平台端,云平台端实时监控各类传感器数据,云平台端与应用端过程物联网应用系统,云平台通过网络通信协议实现与应用端的互联,进行数据和指令的双向输送,应用端通过三维模型及场景,结合算法判断、数据表、救援路线,显示受灾情况及指导性信息。本发明可有效减少偶然性误差,避免由于设备问题引起的麻烦,提高可靠性,并提供救援方案和相关配套功能;和云平台实现有效互联,应用相关物联网技术,高度集成化,有助于产业升级,对火灾预警、火灾救援有辅助作用。

    一种基于权重重要性的全连接神经网络优化方法和装置

    公开(公告)号:CN110674931A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910935582.5

    申请日:2019-09-29

    Abstract: 本发明公开一种全连接神经网络优化方法和装置,方法包括:获取待优化神经网络结构数据及其输入样本数据集;计算神经网络中各神经元的输入和输出表达式;计算隐藏层中各神经元对后一层中各神经元的影响程度表达式;基于神经元对后一层中各神经元的影响程度表达式,计算前一层输入变化引起的所述影响程度的变化程度表达式;计算各神经元与后一层中各神经元的关联程度表达式并基样本数据关联程度值;最后对于较小的关联程度值,将其对应的神经元之间的权重值进行近似处理。本发明在考察各个神经元之间的关联程度的同时考虑了输入变化对关联程度的影响,减小功耗开销,提高神经网络的可靠性。

    一种基于低通滤波的倒立摆控制方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN110568755A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910858296.3

    申请日:2019-09-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于低通滤波的倒立摆控制方法、装置及系统,获取倒立摆摆杆角度信息和旋转臂位置信息;根据倒立摆摆杆角度信息,判断当前运动状态;基于当前运动状态,根据得到的倒立摆摆杆角度信息和旋转臂位置信息,结合预设的旋摆杆目标角度、旋转臂目标位置,通过双环低通滤波PID算法计算电机PWM输出值;根据计算得到的电机PWM输出值,发出指令控制电机转速。控制器中直接加入低通滤波器,预测摆杆运动姿态,减小倒立摆惯性与干扰影响,保持摆杆稳定。该装置具有较高的可靠性和稳定度,可实现系统的多样化控制,且整个装置结构简单,成本较低。

    一种用于电气仪表检测的移动式视觉巡检设备及方法

    公开(公告)号:CN107393270B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201710616219.8

    申请日:2017-07-26

    Inventor: 盛子旗 王海滨

    Abstract: 本发明公开了一种用于电气仪表检测的移动式视觉巡检设备及方法,设备包括监控中心和移动装置,移动装置分为视觉信息采集单元,信息处理及控制单元,无线网络通信单元,定位装置和动力装置,移动装置通过预先铺设的滑轨进行移动,当移动到某电气设备时,通过视觉信息采集单元采集仪表或者开关状态信息,并将信息送至信息处理及控制单元进行信息处理,无线网络通信单元将处理完的信息送至监控中心进行信息监管,从而实现对大规模电气仪表群进行巡检和对故障进行快速、准确定位的目标。本发明省去了大量繁琐的仪器故障监测工作,提高了工作效率,实现了大规模电气仪表群故障监测自动化。

    抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路

    公开(公告)号:CN105871366B

    公开(公告)日:2018-11-09

    申请号:CN201610201862.X

    申请日:2016-04-05

    Abstract: 本发明公开一种抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路,其包括反相单元和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元,反相单元包括信号输入端和信号输出端,信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号;抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括:四个PMOS管,可与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个NMOS管,以及可与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管。亚阈值的初始信号经过反相器得到反相信号,将初始信号及其反相信号作为输入,经过电平转换单元能够实现从亚阈值到超阈值的电平转换,并且具有抗单粒子效应的效果。本发明可在传统电平转换器基础上进行改造,防止单粒子效应导致的输出错误。

    一种制备高分辨率线条图案的新方法

    公开(公告)号:CN108717248A

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:CN201810389448.5

    申请日:2018-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种制备高分辨率线条图案的新方法。包括以下步骤:(1)准备具有线条图案的弹性印章、及旋涂压印胶的压印衬底,所述线条图案的线条宽度和两相邻线条间的间隔尺寸一样;(2)通过沿所述图案的线条长度方向施加拉伸外力使得所述弹性印章上的图案的线条宽度变细,并固定所述弹性印章;(3)将所述弹性印章与所述旋涂压印胶的压印衬底在紫外压印机中接触,通过紫外光对压印胶进行固化;(4)将所述弹性印章与压印胶固化后的压印衬底分离,并进行后续图案转移。本发明的新方法特点是通过沿弹性印章上图案的线条长度方向施加拉伸外力使得弹性印章上图案的线条宽度变细,得到高分辨率线条图案,工艺简单、制备高分辨率线条图案成本低。

    一种减小弹性印章变形的压印方法

    公开(公告)号:CN108556501A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810371410.5

    申请日:2018-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种减小弹性印章变形的压印方法,具体步骤如下:(1)准备弹性印章、压印衬底及压印胶;(2)通过施加外力将印章压印到涂有压印胶的压印衬底上;(3)撤销外力,并等待一段时间让弹性印章恢复原状;(4)通过紫外光对压印胶体进行固化;(5)将印章从压印胶分离。本发明提出在填充印章的胶体被紫外光辐照固化之前即去除外力,这样弹性印章会在无压力情况下自行恢复原状,胶体填充到原状印章的空腔中,可以提高复制精度,并增加残留层厚度分布的均匀性。

    一种组合逻辑电路抗单粒子错误的选择性加固方法

    公开(公告)号:CN108320767A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810145318.7

    申请日:2018-02-12

    Abstract: 本发明旨在针对目前存在的软错误使组合逻辑电路的可靠性降低而现有解决软错误的方法带来的巨大功耗和面积消耗的问题,提供一种组合逻辑电路抗单粒子错误的选择性加固方法,包括步骤:拓扑排序处理;预先设置各输出端权重;计算错误传播概率:计算某一门产生错误传播到各输出端的错误传播概率一,错误传播概率一乘以相应的输出端权重得到错误传播概率二,取所有输出端得到的错误传播概率二中的最大值,即为所述门的错误传播概率;根据计算得到的各个门的错误传播概率,生成门错误传播概率排序表,根据需求的加固百分比选择相应数量的门进行加固,最后输出加固后的电路网表。本发明提高电路软错误可靠性的同时减小电路面积和功耗开销。

    一种新型的抗单粒子翻转的SR锁存器

    公开(公告)号:CN106059565A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610454034.7

    申请日:2016-06-21

    CPC classification number: H03K19/0944

    Abstract: 本发明公开了一种新型的抗单粒子翻转的SR锁存器,包括QUATRO单元,QUATRO单元包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4,发明还包括外部逻辑电路,外部逻辑电路包括第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7和第八NMOS管N8。本发明通过增加的外部逻辑电路,可将QUATRO单元拓展为抗单粒子翻转的SR锁存器,可避免其中某一节点受到辐射影响而发生翻转的现象。

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