一种压力、温度集成传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110311641B

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN201910564925.1

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种压力、温度集成传感器及其制备方法,包括底座、衬底及设置在衬底表面的FBAR谐振器,底座沿厚度方向设置有通孔,所述衬底内部设有第一密闭空腔和第二密闭空腔,第一密闭空腔底部与通孔相连通;其中一个FBAR谐振器设置位于第一密闭空腔正上方,一个FBAR谐振器设置位于第二密闭空腔正上方,余下至少一个FBAR谐振器设置位于衬底无密闭空腔部位上方。本发明所述压力、温度集成传感器具备压力传感器模块的温度补偿特性,能够准确地测定压力、温度两个参量,具有能够在高温、高压等极端恶劣环境中工作的优点。

    一种薄膜体声波谐振器及其分隔制备工艺

    公开(公告)号:CN110768644B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN201911021428.3

    申请日:2019-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其分隔制备工艺,其中薄膜体声波谐振器由下至上依次包括柔性基底和压电振荡堆,所述压电振荡堆包括耐腐蚀薄膜、下电极、压电薄膜、上电极。本发明主要针对上述薄膜体声波谐振器提出了一种新型的制备工艺,采用了聚酰亚胺与压电振荡堆分隔制备的工艺步骤,解决了聚酰亚胺的耐温性与压电振荡堆制备中退火所需的高温环境之间的矛盾,提高电极和压电薄膜的成膜质量,提升FBAR器件的谐振性能。

    一种薄膜体声波谐振器及其分隔制备工艺

    公开(公告)号:CN110768644A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201911021428.3

    申请日:2019-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其分隔制备工艺,其中薄膜体声波谐振器由下至上依次包括柔性基底和压电振荡堆,所述压电振荡堆包括耐腐蚀薄膜、下电极、压电薄膜、上电极。本发明主要针对上述薄膜体声波谐振器提出了一种新型的制备工艺,采用了聚酰亚胺与压电振荡堆分隔制备的工艺步骤,解决了聚酰亚胺的耐温性与压电振荡堆制备中退火所需的高温环境之间的矛盾,提高电极和压电薄膜的成膜质量,提升FBAR器件的谐振性能。

    一种工业环境粉尘监控微信小程序的云端数据库统计方法及装置

    公开(公告)号:CN110209674A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910519730.5

    申请日:2019-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种工业环境粉尘监控微信小程序的云端数据库统计方法及装置,利用在云端的Python脚本服务,可以实现大数据的高效查询统计功能,数据采集转存模块中,利用MQTT协议接收所订阅的数据,并利用其订阅主题获得数据的其他信息,构成一条具有详细信息的数据保存至时序数据库influxDB中;在查询统计功能模块中,有专门用于前端(微信小程序)查询数据的API网络接口,按照微信小程序用户需求,从数据库中提取数据并统计,为了防止一定时间内的数据查询量过大,用“分段查询”的方法完成大数据的提取和统计,统计出数据的最大值、最小值、到达最大最小值的时间及其因果趋势,最终将结果返回至微信小程序,并让数据有可视化的线状图显示。

    一种变间距的电容式加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107085125B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201710293169.4

    申请日:2017-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种变间距的电容式加速度传感器及其制备方法,具体是一种基于MEMS微加工技术的变间距的电容式加速度传感器,利用惯性质量块在外加加速度的作用下与检测电极间的间隙发生改变从而引起等效电容的变化来测定加速度。该发明与集成电路工艺兼容,可以集成信号处理电路,有较高的灵敏度,受环境影响小。通过在硅衬底不同部位进行离子注入形成PN结,利用PN结的单向导电性,实现加速度传感器敏感电容结构动齿与定齿之间的衬底电隔离,防止双向导电,制作工艺简单,可以降低成本,稳定性能好。

    一种微电子气压传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106586942A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611222748.1

    申请日:2016-12-27

    CPC classification number: B81B3/0021 B81C1/00182 G01L9/12

    Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅外延封腔工艺的气压传感器结构及其制备方法,具体是一种基于MEMS微加工技术的电容式气压传感器,由于外延单晶硅工艺成熟,其所形成的硅微结构机械性能良好,尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的电容式气压传感器电容值主要由薄膜体厚度决定,并受环境温度及压力影响。基于介电伸缩效应原理,电容介电材料介电常数值随所受压力的变化而变化,并且呈现明显的单调性,该特性可以实现压力或者气压等数据检测。结合MEMS微加工技术,该电容式气压传感器体积小,功耗低,响应时间短。

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