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公开(公告)号：CN113736448A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110999272.7
申请日：2021-08-28
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 浙江锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改性卤素钙钛矿量子点及其制备方法，其中，制备方法包括步骤：提供一种卤素钙钛矿量子点溶液、有机配体溶液和三价金属卤化物；将所述有机配体溶液和三价金属卤化物加入所述卤素钙钛矿量子点溶液搅拌反应，制得改性卤素钙钛矿量子点。本发明通过有机配体置换卤素钙钛矿量子点的原始配体，同时通过加入三价金属卤化物实现缺陷钝化和/或发光峰位移，获得可以应用于光电器件的纯色卤素钙钛矿量子点。
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公开(公告)号：CN113684024A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110999277.X
申请日：2021-08-28
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 浙江锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复合金属卤化物改性卤素钙钛矿量子点及其制备方法，其中，制备方法包括步骤：提供一种卤素钙钛矿量子点溶液、有机配体溶液、卤化铝和二价金属卤化物；将所述有机配体溶液、卤化铝和二价金属卤化物加入所述卤素钙钛矿量子点溶液搅拌反应，制得复合金属卤化物改性卤素钙钛矿量子点。本发明通过有机配体置换卤素钙钛矿量子点的原始配体，同时通过卤化铝和二价金属卤化物实现光学性能优异、稳定性好的纯色卤素钙钛矿量子点，特别是发蓝光卤素钙钛矿量子点，且所述卤素钙钛矿量子点可以应用于制备高效稳定的光电器件。
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公开(公告)号：CN106784124B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201611208996.0
申请日：2016-12-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于P‑NiO/N‑ZnO:Al异质结结构紫外探测器及其制备方法，该探测器包括P型NiO薄膜和N型ZnO:Al薄膜构成的异质PN结。其制备方法如下：将六水合硝酸镍与甘氨酸或乙酰丙酮以一定比例混合配置成溶液，在一定温度下搅拌一段时间后旋涂成膜，薄膜退火处理后，得到NiO薄膜，之后在其上采用脉冲激光沉积的方法沉积ZnO:Al薄膜，得到P‑NiO/N‑ZnO:Al异质结。此方法制备简单，能耗低，可适用于大面积器件，由此制备的异质结具有良好的整流特性，制得的紫外探测器具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN104835719A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510150911.7
申请日：2015-04-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/113
CPC classification number: H01L21/0203 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/113 , H01L21/02238
Abstract: 本发明公开了一种多孔SiO2纳米线阵列的制备方法，主要基于金属辅助化学刻蚀方法，首先将硅片放置于氢氟酸和硝酸银的混合液中，通过氧化还原反应在硅片表面形成银膜，然后再将其放置在氢氟酸与双氧水的混合液中进行金属催化化学刻蚀，在硅片上得到多孔硅纳米线阵列，最后对硅纳米线进行氧化得到多孔氧化硅纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行，成本较低，形貌可控，适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN102086393B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201010588318.8
申请日：2010-12-07
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及ZnO、CuO和ZnS量子点薄膜的制备方法，步骤包括：制备Cu离子修饰的ZnO量子点沉淀、CuO量子点沉淀和ZnS量子点沉淀；在上述制得三种量子点沉淀中分别加入三氯甲烷使其充分溶解，再加入正辛胺分散剂，得到Cu离子修饰的ZnO胶体量子点溶液、CuO胶体量子点溶液和ZnS胶体量子点溶液；将上述三种胶体量子点溶液分别用等量的三氯甲烷稀释，PTFE过滤器过滤，然后采用旋涂法将三种胶体量子点溶液中的一种或几种旋涂在ITO衬底上，预烘干后在空气中退火，得到量子点单层或多层薄膜。本发明制备工艺简单、旋涂的量子点薄膜不仅致密平整，附着性均良好，而且膜厚可控，易实现量子点多层结构，适合应用在多层量子点薄膜器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102368506A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110287050.9
申请日：2011-09-26
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/0224 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种n-氧化锌/p-硅纳米线三维异质结太阳能转换装置。现有的装置能量利用效率低。本发明中的Ti/Au栅形电极、透明铝掺杂氧化锌导电薄膜、p型硅基底层和铝金属膜背电极层从上至下依次设置，透明铝掺杂氧化锌导电薄膜内设置有p型硅纳米线阵列，p型硅纳米线阵列的一端与p型硅基底层连接，p型硅纳米线阵列包括多个平行设置的p型硅纳米线，p型硅纳米线包覆有本征氧化锌层。本发明充分利用了纳米线阵列所具有的大的表面积，对光吸收效率高这一特点，并且铝掺杂氧化锌透明导电薄膜作为一种对可见光高透过率的导电材料，不仅可以作为窗口材料，同时由ZnO和Si构成的异质结可以提高太阳光谱中各频率波段的利用效率。
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公开(公告)号：CN101481817B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810164207.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的非极性ZnO晶体薄膜的生长方法，采用的是脉冲激光沉积，首先称量ZnO、MnO2、Na2CO3粉末，经球磨、压制、烧结，制得Mn-Na共掺的陶瓷靶；然后用脉冲激光沉积法在衬底上生长非极性ZnO晶体薄膜。本发明方法工艺成熟，操作简单，成本低廉，易于实现；生长的薄膜具有a轴择优取向；同时具有室温铁磁性，是一种稀磁半导体材料。可用于LED和磁存储器件中。
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公开(公告)号：CN101234778A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810060102.7
申请日：2008-03-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的磷掺杂生长ZnO量子点的方法采用的是金属有机化学气相沉积法(MOCVD)。以二乙基锌(DEZn)作为锌源，高纯氮气为载气，高纯氧气和高纯五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源，磷的掺杂采用电阻丝加热P2O5粉末产生气态磷原子实现。磷掺杂浓度可以通过改变加热P2O5的温度和P2O5粉末的用量进行调节。量子点的密度与尺寸可以通过调整气源流量、衬底温度和生长时间来控制。本发明方法简单，制得的磷掺杂ZnO量子点密度与尺寸分布较均匀，具有良好的光学性能，PL谱峰位于362～374nm处，与ZnO薄膜相比具有明显的蓝移。
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公开(公告)号：CN116904184B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310741850.6
申请日：2023-06-21
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
IPC: C09K11/06 , C09K11/66 , C07C257/12 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种混合卤素蓝光量子点的发光波长精准调控方法，包括如下步骤：提供一价阳离子前驱体，所述一价阳离子前驱体由含有铯(Cs)、甲脒(FA)、铷(Rb)中一种或多种阳离子和正辛酸(OTAC)组成；提供一种含有苯磺酸(DBSA)的甲苯溶液；提供一种含有铅源、溴源、氯源和甲苯的混合前驱体；提供一种有机卤化铵盐的甲苯溶液；在混合前驱体中加入含有苯磺酸的甲苯溶液混合均匀，再加入一价阳离子前驱体进行反应，形核生长至量子点生长完全后，加入有机卤化铵盐的甲苯溶液，最终得到三阳离子混合卤素钙钛矿蓝光量子点。本发明通过控制钙钛矿前驱体中的Cl:Br投料比，来同时精准调控最终合成量子点中的Cl:Br元素比、发光波长以及荧光量子产率(PLQY)。
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公开(公告)号：CN118338704A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410594676.1
申请日：2024-05-14
Applicant: 浙江大学 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
IPC: H10K50/115 , H10K50/10 , H10K50/17 , H10K71/13 , H10K85/10
Abstract: 本发明提供一种亚带隙启亮的蓝光钙钛矿发光二极管，包括依次设置的ITO导电玻璃、注入势垒消除层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电极层；所述量子点发光层为具有声子辅助上转换发光性质的蓝光钙钛矿量子点；所述注入势垒消除层包括氧化镍界面层和空穴注入层，所述氧化镍界面层和空穴注入层为层叠设置，且所述氧化镍界面层位于空穴注入层和ITO导电玻璃之间；所述空穴注入层包括聚苯乙烯磺酸根(PSS‑)或其化合物。本发明制备出的蓝色发光二极管可实现亚带隙启亮。
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