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公开(公告)号：CN113098471A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349643.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN119644085A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411770669.9
申请日：2024-12-04
Applicant: 无锡芯力为半导体设备有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体的模块高低温试验系统，该高低温试验系统包括硬件模组，用于对温度进行控制、数据传输，以及指令的接收；控制算法单元；该控制算法模块包括通过调整比例、积分和微分参数来优化温度控制，并使用自适应PID或模糊PID方法来提高系统的稳定性和响应速度PID控制模块；使用高灵敏度的传感器可以实现更高的温度测量精度，减少误差，提高控制的准确性，并采用MEMS执行器等新型技术，可以快速调整温度，适应快速变化的环境需求，同时通过模糊逻辑和强化学习算法，系统能够根据实时数据自动调整控制策略，适应不同的工作环境和条件，结合边缘计算和深度学习技术，可以对温度变化进行预测，提前采取措施。
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公开(公告)号：CN114910497B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210593038.9
申请日：2022-05-27
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置，包括梯形工作台，防滑橡胶垫，带孔IC座，塑料支架，弯折观察架结构，吸尘补光架结构，电动马达，侧面支撑架，燕尾型限位滑槽，燕尾型移动滑块，锁紧螺栓，升降减速架结构，燕尾型升降板，齿槽移动板和打磨马达，所述的防滑橡胶垫胶接在梯形工作台的下部；所述的带孔IC座胶接在梯形工作台的上部；所述的塑料支架螺钉连接在梯形工作台的上部左侧。本发明矩形连接管、放大镜片和橡胶护眼罩的设置，有利于对的芯片表面的观察位置进行放大，保证工作人员可以清晰地看到打磨效果，提高该装置的打磨精度。
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公开(公告)号：CN115078943A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210555179.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板，安装架，顶紧气缸，连接座，温度检测架结构，压力检测承重架结构，测试架结构，处理器，触摸显示屏和寄存器，所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架；所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸；所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座；所述的连接座的下部安装有温度检测架结构；所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构；所述的安装架的右侧安装有测试架结构；所述的安装架的上部安装有处理器。本发明电流电压可以灵活调整，以及增加测试功能。
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公开(公告)号：CN112104370B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011022536.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术，在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路，实现模拟信号的高速跟随和量化，达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路，在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下，快速提升ADC转换速度，具有低成本优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071962B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010774402.2
申请日：2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，包括加工箱体，加工箱体内壁的底部固定连接有转动电机，所述转动电机的输出端固定连接有加工台，所述加工台上设置有夹紧机构，所述加工箱体内壁之间的上方固定连接有固定板，所述加工箱体的内部设置有调节机构（6）；该加工装置利用加热管产生的高温使得加工箱体内部产生高温环境，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的高温环境，结构简单，成本低，方便快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件的问题。
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公开(公告)号：CN113067564B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110349739.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度输入信号接收电路，提高信号输入可靠性。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN113644019A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110907503.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 恩纳基智能科技无锡有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种半导体贴片机的复合上料装置，包括：平移轨道，所述平移轨道架设于预设位置；行走座，所述行走座行走于所述平移轨道上；升降座，所述升降座安装于所述行走座底端；复合上料机构，所述复合上料单元安装于所述升降座底端；其中，所述复合上料机构可完成料盒的抓取、上料。本发明提供的一种半导体贴片机的复合上料装置，复合上料机构可以利用吸盘或者卡爪完成料盒的抓取、上料，行走座带动料盒沿着平移轨道运动，升降座完成料盒的升降，从而完成料盒的复合上料，上料方式多样，提高了工作效率，迎合了生产需求。
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公开(公告)号：CN113067564A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110349739.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度输入信号接收电路，提高信号输入可靠性。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN112609242A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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