公开(公告)号：CN112104370B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202011022536.5

申请日：2020-09-25

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 周德金 ,  陈珍海 ,  徐宏 ,  吴振华 ,  龚桦 ,  黄伟

IPC: H03M1/34

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术，在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路，实现模拟信号的高速跟随和量化，达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路，在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下，快速提升ADC转换速度，具有低成本优势。

公开(公告)号：CN112071962B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202010774402.2

申请日：2020-08-04

Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 徐宏 ,  龚桦 ,  周德金 ,  黄伟 ,  吴超 ,  于理科 ,  夏泳

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，包括加工箱体，加工箱体内壁的底部固定连接有转动电机，所述转动电机的输出端固定连接有加工台，所述加工台上设置有夹紧机构，所述加工箱体内壁之间的上方固定连接有固定板，所述加工箱体的内部设置有调节机构（6）；该加工装置利用加热管产生的高温使得加工箱体内部产生高温环境，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的高温环境，结构简单，成本低，方便快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件的问题。

公开(公告)号：CN112104370A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011022536.5

申请日：2020-09-25

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 周德金 ,  陈珍海 ,  徐宏 ,  吴振华 ,  龚桦 ,  黄伟

IPC: H03M1/34

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术，在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路，实现模拟信号的高速跟随和量化，达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路，在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下，快速提升ADC转换速度，具有低成本优势。

公开(公告)号：CN111979514A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010775602.X

申请日：2020-08-05

Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 徐宏 ,  吴超 ,  龚桦 ,  周德金 ,  戴金 ,  黄伟 ,  朱健

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供了一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，属于真空溅射领域技术领域。该用于快速制备氮化镓薄膜的装置包括供气组件、制备组件、溅射电解组件以及冷却组件。所述隔板连接在所述第一罐体的内部，所述氩气收集腔的一侧与所述氮气收集腔的底端设置有出气口，所述第一管道和所述第二管道的一端与所述出气口连通，所述第一吸气泵的输入端与所述第一管道和所述第二管道连接。所述电机固定在所述第二罐体的上端，所述转轴设置在所述第二罐体的内部，所述转轴的一端与所述电机的输出端转动连接，所述固定板与所述转轴的另一端固定连接，有利于控制氮气和氩气注入量，稳固了镓的形态，提高了氮化镓薄膜制备的质量。

公开(公告)号：CN112071962A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010774402.2

申请日：2020-08-04

Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 徐宏 ,  龚桦 ,  周德金 ,  黄伟 ,  吴超 ,  于理科 ,  夏泳

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，所述调节机构包括冷却液存储箱、液泵和加热管，所述液泵的输入端固定连接有输入管，所述输入管的一端与冷却液存储箱的一侧固定连接，本发明涉及LED芯片制作技术领域。该在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，利用液泵将冷却液存储箱产生的冷环境向喷头处传递，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的低温环境，利用加热管产生的高温使得加工箱体内部产生高温环境，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的高温环境，结构简单，成本低，方便快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件的问题。