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公开(公告)号：CN114910497A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210593038.9
申请日：2022-05-27
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置，包括梯形工作台，防滑橡胶垫，带孔IC座，塑料支架，弯折观察架结构，吸尘补光架结构，电动马达，侧面支撑架，燕尾型限位滑槽，燕尾型移动滑块，锁紧螺栓，升降减速架结构，燕尾型升降板，齿槽移动板和打磨马达，所述的防滑橡胶垫胶接在梯形工作台的下部；所述的带孔IC座胶接在梯形工作台的上部；所述的塑料支架螺钉连接在梯形工作台的上部左侧。本发明矩形连接管、放大镜片和橡胶护眼罩的设置，有利于对的芯片表面的观察位置进行放大，保证工作人员可以清晰地看到打磨效果，提高该装置的打磨精度。
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公开(公告)号：CN112095140B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202010773368.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，驱动装置内腔的内壁固定设置有隔板，隔板的表面固定设置有加热层，反应罐内腔的内壁固定设置有驱动装置，通孔的内腔固定设置有夹持机构，坩埚的表面固定开设有连接口，进液阀的一端贯穿反应罐、隔板和滑轨的表面，并与连接口活动连接，本发明涉及氮化镓生长技术领域，该利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，解决了无法进行多个氮化镓晶体来进行共同的生长，无法对氮化镓晶体在坩埚内腔的溶液中进行位置的调整，不能保证晶种模版一直处在最佳的生长环境，不利于提高氮化镓晶体生长效率和生长质量，无法对坩埚进行清理和对大小不同的晶体进行夹持的问题。
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公开(公告)号：CN115015269A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210575006.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明提供一种集成电路失效位置检查用装置，包括检查台，支撑架，热发射显微镜，可调节存放架结构，可调供电架结构，可调节监测架结构和显示屏，所述的检查台的下部螺栓安装有支撑架；所述的检查台的上部左侧安装有热发射显微镜；所述的热发射显微镜的下部设置有可调节存放架结构；所述的检查台的中上部安装有可调供电架结构。本发明T型旋转杆的垂直段胶接有橡胶绝缘套，有利于在使用时方便使用者握住T型旋转杆在定位槽内转动，同时方便对夹装在弹簧接线夹内的二极管进行翻转，实现全方位的检测。
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公开(公告)号：CN113098456B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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公开(公告)号：CN112609242B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119716480A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411892202.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多点采集的芯片高低温试验方法，具体包括如下步骤：步骤一：采用动态温控阵列对芯片温度进行实时数据分析，并调整温控单元的工作状态；步骤二：构件三维温度监测网络，在芯片表面及周围的三维空间中部署多个高精度温度传感器，实时捕捉温度的空间分布和变化，并将三维温度数据导入可视化软件中，生成实时的三维温度分布图；通过智能控制和自适应调整，实现了局部温度的精确控制，有效解决了温度不稳定性的问题，提高了测试的准确性和可靠性，同时构建了全方位的温度监测体系，能够实时捕捉温度的空间分布和变化，为识别和修正温度不均匀性提供了有力支持，并且避免了温度传感器与芯片直接接触导致的测温误差。
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公开(公告)号：CN116754917A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310805466.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件位移损伤等级测试系统及方法，属于氮化镓器件测试技术领域。本发明解决了现有氮化镓器件经中子辐照后产生位移损伤影响性能的问题，通过对未质子辐照的氮化镓器件进行电学性能测试，再将氮化镓器件连接在PCB测试板上，使用激光准直器以使靶室中心对准待测试氮化镓器件进行质子辐照；再对质子辐照后的氮化镓器件进行电学性能测试，并将两轮测试结果与预设参考值进行对比，有效对比出氮化镓器件在质子辐照后和未质子辐照前的电学性能结果与参考值的差距，进而获得氮化镓器件位移损伤等级结果；从而在氮化镓器件遭受同等辐照，有效预判出产生位移损伤程度，进而可提前布施检修方法，避免影响使用效率与使用寿命。
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公开(公告)号：CN113186511B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011419640.8
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 江南大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，具体涉及氮化镓生产技术领域，包括支腿和外壳体，所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿，所述外壳体的内部设置有内壳体，所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽，所述外壳体的一端设置有盖板，所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块，所述盖板的另一端固定连接有把手，所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽，将镓源放进放置槽中，因放置槽设置有若干个，放置板为圆形，可放置多个镓源，利用放置槽中设置有加热片，可对镓源进行加热，在反应结束后，可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下，使其便于拿取更换新的镓源。
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公开(公告)号：CN113186511A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011419640.8
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，具体涉及氮化镓生产技术领域，包括支腿和外壳体，所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿，所述外壳体的内部设置有内壳体，所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽，所述外壳体的一端设置有盖板，所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块，所述盖板的另一端固定连接有把手，所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽，将镓源放进放置槽中，因放置槽设置有若干个，放置板为圆形，可放置多个镓源，利用放置槽中设置有加热片，可对镓源进行加热，在反应结束后，可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下，使其便于拿取更换新的镓源。
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公开(公告)号：CN112095140A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010773368.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，驱动装置内腔的内壁固定设置有隔板，隔板的表面固定设置有加热层，反应罐内腔的内壁固定设置有驱动装置，通孔的内腔固定设置有夹持机构，坩埚的表面固定开设有连接口，进液阀的一端贯穿反应罐、隔板和滑轨的表面，并与连接口活动连接，本发明涉及氮化镓生长技术领域，该利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，解决了无法进行多个氮化镓晶体来进行共同的生长，无法对氮化镓晶体在坩埚内腔的溶液中进行位置的调整，不能保证晶种模版一直处在最佳的生长环境，不利于提高氮化镓晶体生长效率和生长质量，无法对坩埚进行清理和对大小不同的晶体进行夹持的问题。
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