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公开(公告)号：CN102847649B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210364656.2
申请日：2012-09-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种为片式电子元器件表面涂覆保护材料的装置，属于片式电子元器件生产设备。通过直行振动导轨将电子元器件在长度方向密排，用喷涂的方式将元件表面保护浆料涂敷至元件的相邻两个表面上，烘干之后再进行180度翻转，喷涂元件另外两个表面，再烘干出料的全自动涂敷方式，其优点在于可以自动进料，采用高精度的喷枪在元件表面形成一层均匀致密的保护涂敷层，省却了传统方式在涂敷之前需要用有机材料保护元件端头的工艺，提高了生产效率，缩短了元件制造周期且降低了成本。
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公开(公告)号：CN103578804A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310534682.X
申请日：2013-11-01
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01H3/46
Abstract: 本发明的目的是提供一种刚挠结合印制电路板的制备方法，该方法是通过分别独立制作挠性基板和刚性多层板，挠性基板埋入区开设电气连接所需通孔；刚性多层板包括第一刚性多层板、第二刚性多层板，第一刚性多层板上在通孔对应位置制作导电凸块，第二刚性多层板在通孔对应位置上制作与导电凸块对应的焊盘；从下到上按第一刚性多层板、半固化片、挠性基板、半固化片、第二刚性多层板顺序叠板，经一次压合得刚挠结合印制电路板，导电凸块穿插过挠性基板上通孔，与焊盘连接导通，并用导电胶敷形，实现挠性基板与刚性多层板的准确对位埋入以及电气互联导通。
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公开(公告)号：CN103395307A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310322790.0
申请日：2013-07-29
Applicant: 电子科技大学 , 东莞成电华瓷电子科技有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种片式电子元器件内部电极的制备方法，主要包括：在暗室中，用负性感光导电金属浆料印刷初步内电极图形，然后在掩膜板作用下，将印刷的初步内电极图形按目标内电极图形要求要求曝光固化，再经过与负性感光导电金属浆料匹配的显影液显影，用溶剂清除精细电极图形之外的电极轮廓，保留已经固化的目标内电极图形，经干燥后完成内电极制备。本发明在采用传统丝网印刷工艺制作元器件内电极的基础上，利用负性感光导电金属浆料对特定波长光的敏感性，再通过曝光显影的方式，将目标内电极图形精细地刻画出来，以达到小尺寸电子元器件内部电极图形设计的要求，够制备出线宽精度更高的内电极，适用于英制0201、01005或更小尺寸元件内电极的制备。
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公开(公告)号：CN103414447B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201310355803.4
申请日：2013-08-15
Applicant: 电子科技大学 , 东莞成电华瓷电子科技有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H03H7/12
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的LTCC陶瓷基板、金属外壳器件和金属外壳，在LTCC陶瓷基板的表面设有源元件，所述有源元件包括两支PIN二极管，二极管正极通过微带线并联在90O相位转移的主传输线的两端，负极通过金属过孔接地，LTCC陶瓷基板内嵌带通滤波器。本发明低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器采用基于LTCC工艺的多层陶瓷基板进行layout封装，从电路结构模型和封装工艺上进行创新设计，极大程度上达到了小型化的设计目的，同时让滤波器具备了传统器件没有保护电路的限幅功能，本发明可以在微波接收系统中广泛使用。
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公开(公告)号：CN104829239B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510140967.4
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104829239A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510140967.4
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性。
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公开(公告)号：CN118388233A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410568606.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种LTCC用Li2.12MgTi3O8基微波介质陶瓷材料及其制备方法，用以解决Li2.12MgTi3O8微波介质陶瓷因较高的烧结温度导致无法实现LTCC应用的问题。本发明首次提出在Li2.12MgTi3O8基微波介质陶瓷材料中添加具有低烧结温度的LiF作为烧结助剂，并科学界定其添加量为x wt％、0.75
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公开(公告)号：CN115498420B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210977545.2
申请日：2022-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器与制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器包括玻璃衬底，生长于玻璃衬底之上的ITO薄膜，位于ITO薄膜之上的介质超表面结构层；其中，介质超表面结构层由钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS复合得到，钛酸锶微粒均匀分散于掺有金纳米颗粒的PDMS中，金纳米颗粒、钛酸锶微粒和PDMS的质量比为0.01：132：46。本发明采用钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS的复合材料印刷得到介质超表面结构层，可通过控制钛酸锶微粒的体积比来调控复合材料的介电参数，得到的钛酸锶复合材料的介电常数实部和硅相当。
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公开(公告)号：CN118155973A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410205644.8
申请日：2024-02-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于软磁复合材料技术领域，具体提供一种用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法，用以解决现有软磁复合材料在特高频频段存在磁损耗和介电损耗高、饱和磁化强度低等问题。本发明中软磁复合材料包含组分：球形铁基纳米晶磁粉：96～99.5wt％，ZnO或B2O3氧化物：0.5～4wt％；ZnO或B2O3氧化物作为绝缘包覆材料。本发明使用ZnO或B2O3对球形铁基纳米晶磁粉进行绝缘包覆，并通过冷烧结工艺及退火处理获得致密软磁复合材料，具有较高的相对密度、较高的饱和磁化强度以及低的磁电损耗，并将磁导率截止频率提高至1.5～5GHz频段，满足特高频频段的应用需求。
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公开(公告)号：CN115537915B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211207916.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，属于液相外延单晶厚膜制备技术领域。包括：1)在石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构；2)在双层石墨烯结构上生长石榴石籽晶层；3)退火、清洗；4)生长石榴石晶片层；5)对生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理。本发明采用衬底/双层石墨烯/籽晶层/晶片层的复合膜结构，双层石墨烯作为单晶膜释放层，使得衬底对单晶膜生长基元或结晶的取向可透过#imgabs0#的石墨烯层通过表面静电场传递，影响籽晶层生长基元的排列取向，传递晶格常数；双层石墨烯之间、以及石墨烯层与籽晶层和晶片层之间仅存在范德华力，并非化学键合，可使用胶带等外力吸附轻松地转移厚膜，实现石榴石衬底的重复使用。
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