公开(公告)号：CN101751991A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910251375.4

申请日：2009-12-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 五十岚实 ,  肥后丰 ,  细见政功 ,  鹿野博司 ,  楠真一郎 ,  大森广之 ,  大石雄纪 ,  山元哲也 ,  山根一阳

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。

公开(公告)号：CN101751990A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910251369.9

申请日：2009-12-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 五十岚实 ,  肥后丰 ,  细见政功 ,  鹿野博司 ,  楠真一郎 ,  大森广之 ,  大石雄纪 ,  山元哲也 ,  山根一阳

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/226 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

Abstract: 一种阻抗可变型存储装置，包括通过利用基于注入电流的自旋转移效应来写入数据的阻抗可变型存储单元；和产生多个写入脉冲和用于规定写入脉冲之间的电平的偏置脉冲的合成脉冲并且在写入时提供所述合成脉冲至所述存储单元的驱动电路。

公开(公告)号：CN101252144A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810006185.1

申请日：2008-02-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 肥后丰 ,  五十岚实 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  山元哲也 ,  山根一阳 ,  大石雄纪 ,  鹿野博司

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L23/522 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  Y10S977/933

Abstract: 本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线。在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。