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公开(公告)号：CN101202325B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710198739.8
申请日：2007-12-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/325 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，存储元件包括存储层、磁化固定层、自旋阻挡层、和自旋吸收层。存储层基于磁性材料的磁化状态来存储信息。通过隧道绝缘层对存储层设置磁化固定层。自旋阻挡层抑制自旋极化电子的扩散，并被设置在存储层与磁化固定层相对的一侧上。自旋吸收层由引起自旋抽运现象的非磁性金属层形成，并被设置在自旋阻挡层与存储层相对的一侧上。通过使电流沿层压方向流动注入自旋极化电子来改变存储层中的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且自旋阻挡层包括从氧化物、氮化物、氟化物中选出的至少一种材料。
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公开(公告)号：CN1941175B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610131712.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 本发明涉及一种存储元件，包括：存储层，其基于磁体的磁化状态保持信息；上被钉扎磁层，设置在该存储层上，其间有上中间层；以及下被钉扎磁层，设置在该存储层下，其间有下中间层，其中该上中间层和下中间层之一是形成隧穿势垒的绝缘层；另一个中间层是包括绝缘层和非磁导电层的叠层；且通过使电流沿所述叠层方向流过所述存储元件来改变所述存储层的磁化方向，从而能够在该存储层上记录信息。
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公开(公告)号：CN101266831A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810084068.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的存储层的磁化方向的改变来将信息记录在存储层上。存储层受到的有效去磁场的等级小于存储元件的饱和磁化等级。
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公开(公告)号：CN101212018A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710302358.X
申请日：2007-12-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/935
Abstract: 本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10－7Ωm或更大。
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公开(公告)号：CN101071628A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710097364.6
申请日：2007-05-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有1×10－5或更大的磁致伸缩常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1221041C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01804615.0
申请日：2001-11-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3227 , H01F10/3263 , H01F10/3277
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件和磁致电阻效应型磁头。在GMR元件的CPP结构中，具有叠层结构部(10)，该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的自由层(1)、钉扎层(3)、钉扎该钉扎层(3)的磁化的反强磁性层(4)、夹在上述自由层(1)和上述钉扎层(3)之间的非磁性层(2)层叠而成；该磁致电阻效应元件以上述叠层结构部(10)的层叠方向作为检测电流的通电方向；且在上述自由层(1)和钉扎层(3)中的至少一个分散有异相粒子。由此，可以提高传导电子的自旋依赖散射，提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN101071628B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710097364.6
申请日：2007-05-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有1×10-5或更大的磁致伸缩常数。
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公开(公告)号：CN101266831B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810084068.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的存储层的磁化方向的改变来将信息记录在存储层上。存储层受到的有效去磁场的等级小于存储元件的饱和磁化等级。
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公开(公告)号：CN1967892A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148694.9
申请日：2006-08-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/228 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供一种存储元件，其包括基于磁性物质的磁化状态保持信息的存储层，和为该存储层设置的磁化固定层，在两者之间具有中间层，所述中间层由绝缘体组成。将自旋－极化电子在层－叠加方向上注入，以由此改变所述存储层的磁化方向，使得信息记录在存储层中。包括在存储层中的至少一种铁磁层主要由CoFeTa组成，并且具有在1原子百分比(原子％)到20原子％范围中的Ta含量。
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公开(公告)号：CN1398434A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN01804615.0
申请日：2001-11-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3227 , H01F10/3263 , H01F10/3277
Abstract: 在GMR元件的CPP结构中，具有叠层结构部(10)，该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的自由层(1)、钉扎层(3)、钉扎该钉扎层(3)的磁化的反强磁性层(4)、夹在上述自由层(1)和上述钉扎层(3)之间的非磁性层(2)层叠而成；该磁致电阻效应元件以上述叠层结构部(10)的大致层叠方向作为检测电流的通电方向；上述自由层(1)和钉扎层(3)中的至少一个是在膜厚方向上由膜厚1.9nm以下的薄膜层分割而成的多层膜状态，形成有多个异相界面。由此，可以提高传导电子的自旋依赖散射，提高灵敏度。
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