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公开(公告)号：CN115295689B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211218701.3
申请日：2022-10-07
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED芯片的转移方法，涉及微发光二极管显示制造领域。在本发明的Micro‑LED芯片的转移过程中，通过在生长衬底的第一侧边处形成第一外延块，在生长衬底的第二侧边处形成第二外延块；并在第一外延块与第二外延块中分别形成第一条形金属块和第二条形金属块，在后续的转移过程中，将所述第一外延块和所述第二外延块转移至所述驱动基板的一个角落处，使得所述第一条形金属块位于所述驱动基板的第一侧边，且所述第二条形金属块位于所述驱动基板的第二侧边，且使得所述第一条形金属块和所述第二条形金属块分别嵌入到所述平坦化层中。
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公开(公告)号：CN115084337B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210855852.3
申请日：2022-07-21
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
IPC: H01L33/48 , H01L25/16 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种微型发光二极管芯片的巨量转移方法，涉及半导体技术领域。通过设置转移的最小单元为微型发光二极管组件，且每个所述微型发光二极管组件包括多个呈矩阵排列的微型发光二极管芯片单元，进而可以提高微型发光二极管芯片的转移效率，且简化巨量转移的工艺难度。且通过设置第一转移基板为聚合物材料，进而在条件下热处理，使得第一转移基板的每个第一沟槽所在的区域软化流动，进而使得第一转移基板的部分材料包裹微型发光二极管芯片单元的生长衬底的侧面且填充相应的生长衬底的侧面的第一凹槽，然后固化第一转移基板，可以有效提高微型发光二极管组件在第一转移基板中的接合稳固性，进而可以提高后续的巨量转移的工艺精度。
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公开(公告)号：CN114864759A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210788550.9
申请日：2022-07-06
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种微发光二极管显示基板及其制造方法，涉及微发光二极管显示制造领域。通过在转移基板中形成深度逐渐增大的第一、第二、第三凹槽，进而在将厚度不同的第一、第二、第三基色微发光二极管阵列设置在第一、第二、第三凹槽的过程中，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列三者的上表面处于同一水平面，进而在后续的转移工序中，通过一次转移工序即可将厚度不同的三基色微发光二极管单元转移至同一驱动基板上，有效简化了转移工序，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN118867072B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411339121.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微LED发光显示装置及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的微LED发光显示装置的制备方法中，采用氧化锆作为微LED单元的保护层，由于氧化锆的密度较高，进而可以更加有效的保护微LED单元，且在本申请中，通过设置每个所述微LED单元具有上表面、下表面以及倾斜的侧表面，所述微LED单元的所述侧表面与所述微LED单元的所述下表面的夹角为50‑60度，通过优化所述微LED单元的所述侧表面与所述微LED单元的所述下表面的夹角，便于氧化锆保护层和第一金属层的制备，且有效提高微LED单元的侧面的反射性能，进而可以提高微LED单元的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118867074A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411339148.8
申请日：2024-09-25
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED显示面板及其形成方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的Micro‑LED显示面板的形成方法中，通过在第二半导体层上形成第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图案化处理，以形成多个平行排列的条形透明导电凸块，接着形成第二透明导电层，且设置第一透明导电层为镁和氟共掺杂的氧化锡，第二透明导电层为氧化铟锡，通过上述设置，可以大大提高电流的扩散性能，进而可以提高Micro‑LED单元的发光性能。
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公开(公告)号：CN118867072A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411339121.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微LED发光显示装置及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的微LED发光显示装置的制备方法中，采用氧化锆作为微LED单元的保护层，由于氧化锆的密度较高，进而可以更加有效的保护微LED单元，且在本申请中，通过设置每个所述微LED单元具有上表面、下表面以及倾斜的侧表面，所述微LED单元的所述侧表面与所述微LED单元的所述下表面的夹角为50‑60度，通过优化所述微LED单元的所述侧表面与所述微LED单元的所述下表面的夹角，便于氧化锆保护层和第一金属层的制备，且有效提高微LED单元的侧面的反射性能，进而可以提高微LED单元的出光效率。
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公开(公告)号：CN117038804B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311286293.X
申请日：2023-10-08
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/58 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种微型发光二极管芯片的转移方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的微型发光二极管芯片的转移方法中，预先将多个微型发光二极管芯片转移到第一转移基板上，在拉伸状态下，将所述第一转移基板上的多个所述微型发光二极管芯片转移到所述第二转移基板的凹腔中，并利用检测装置检测微型发光二极管芯片是否位于相应的凹腔中，当微型发光二极管芯片未设置于相应的凹腔时，重新调整该微型发光二极管芯片使得其置于相应的凹腔中，通过上述转移方式可以确保微型发光二极管芯片均位于相应的凹腔中，进而提高转移良率。
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公开(公告)号：CN116960255A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311199786.X
申请日：2023-09-18
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法，涉及半导体显示技术领域。在本申请的Micro LED芯片的间距调节方法中，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，利用调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块，上述调距方法可以使得第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的间距变大，进而在后续Micro LED芯片列转移至所述第一转移基板的过程中，由于各金属凸块的存在，可以确保预先转移的相邻Micro LED芯片列之间的间距固定不变。
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公开(公告)号：CN115312636A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211237153.9
申请日：2022-10-11
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微发光二极管显示面板及其制造方法，涉及微发光二极管显示制造领域。在本发明的微发光二极管显示面板的制造方法中，通过设置金属刻蚀阻挡块，可以有效避免化学机械研磨处理对微发光二极管单元的N型半导体层进行过刻蚀，进而可以避免损坏微发光二极管单元，更具体的，由于金属刻蚀阻挡块的存在，在去除所述衬底的工艺步骤中，可以先利用化学机械研磨处理快速去除所述衬底，当暴露所述金属刻蚀阻挡块时，停止化学机械研磨处理工序，改用激光刻蚀处理，以精确去除每个所述微发光二极管单元的缓冲层，有效提高了微发光二极管单元的转移良率。
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