公开(公告)号：CN118824984A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467478.9

申请日：2024-04-18

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·H·育 ,  C·格兰西 ,  W·L·莫登 ,  T·M·詹森

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00

Abstract: 本公开涉及高性能半导体扇出封装。本文中描述的实施方案涉及各种半导体装置组合件。在一些实施方案中，一种半导体装置组合件可包含：第一扇出重布层；第一半导体裸片，其安置于所述第一扇出重布层在一方向上的第一侧上且耦合到所述第一扇出重布层的第一面；及第二半导体裸片，其安置于所述第一扇出重布层在所述方向上与所述第一侧不同的第二侧上且耦合到所述第一扇出重布层的与所述第一面不同的第二面。

公开(公告)号：CN116157865A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180063495.0

申请日：2021-09-10

Applicant: 美光科技公司

Inventor： Q·阮 ,  C·格兰西 ,  S·U·阿里芬 ,  K·辛哈

IPC: G11C5/04

Abstract: 本文描述的各种实施例提供一种具有用于嵌入组件的一或多个空间的印刷电路板，其能够用于实施存储器子系统。所述印刷电路板包括外层，所述外层包括第一外表面及一组嵌入空间，每一嵌入空间具有比所述第一外表面更靠近所述印刷电路板的中心定位的第二外表面。例如一组存储器装置及存储器子系统控制器的一组组件在所述一组嵌入空间处安置在所述印刷电路板上。

公开(公告)号：CN115223971A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210372314.9

申请日：2022-04-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·U·阿里芬 ,  Q·阮 ,  C·格兰西 ,  K·辛哈 ,  C·H·育

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及具有导电元件的半导体互连结构以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体封装包含半导体裸片和耦合到所述半导体裸片的柱结构。所述柱结构可包含由具有第一弹性模数的第一导电材料制成的多个导电元件。所述柱结构可进一步包含至少部分地环绕所述多个导电元件的第二导电材料的连续区。所述第二导电材料可具有小于所述第一弹性模数的第二弹性模数。

公开(公告)号：CN112992833A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011470561.X

申请日：2020-12-14

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·U·阿里芬 ,  C·格兰西 ,  K·辛哈 ,  李晓

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请涉及用于微电子部件的导电元件和形成此类导电元件的过程。焊点包括具有不同熔点的两种不同焊接材料，外焊接材料在接合到导电垫的内焊接材料上延伸，所述内焊接材料具有比所述外焊接材料的熔点低的熔点且在基本上环境温度下处于固态。具有比任一焊接材料的熔点高的熔点的金属材料可涂布所述内焊接材料的至少一部分。还公开并入有所述焊点的微电子部件、组件和电子系统以及用于形成和修复所述焊点的过程。

公开(公告)号：CN112420624A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010849461.1

申请日：2020-08-21

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·格兰西 ,  S·U·阿里芬

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请涉及微电子封装中的翘曲控制以及相关组件和方法。微电子装置和/或微电子装置封装具有翘曲控制结构。所述翘曲控制结构可以位于密封材料上方，其中所述密封材料位于所述翘曲控制结构与位于衬底上方的管芯之间。所述翘曲控制结构可以在所述密封材料的第一部分上方具有第一厚度，并且在所述密封材料的第二部分上方具有第二厚度。本文还揭示了形成微电子装置的方法。

公开(公告)号：CN216084870U

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202122078300.X

申请日：2021-08-31

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·格兰西 ,  S·U·阿里芬 ,  K·辛哈 ,  Q·阮

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/18

Abstract: 本实用新型涉及一种半导体封装。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含：衬底，其具有第一表面和第二表面；第一裸片，其设置在所述第一表面上；第一导热层，其设置在所述第一裸片上；以及封装材料，其封装所述第一裸片和所述第一导热层。

公开(公告)号：CN215496682U

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202121048957.5

申请日：2021-05-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·格兰西 ,  Q·阮 ,  K·辛哈 ,  S·U·阿里芬

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/13 ,  H01L23/00

Abstract: 本实用新型涉及一种半导体封装。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含衬底，其具有第一表面和第二表面；以及半导体裸片，其耦合至所述衬底的所述第一表面，其中所述衬底中包含多个通孔，且所述多个通孔中的每一者贯穿所述衬底以将所述第一表面与所述第二表面连通。

公开(公告)号：CN216084871U

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202122107555.4

申请日：2021-09-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·U·阿里芬 ,  K·辛哈 ,  C·格兰西 ,  Q·阮

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 本申请是关于半导体装置。在本申请的一些实施例中，本申请提供了一种半导体装置，其具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。半导体装置包括：第一导热元件，其邻近于半导体装置的第一表面设置；及第二导热元件，其邻近于半导体装置的第二表面设置。本申请提供的半导体装置具有有效的散热机制，其能够实现半导体装置内部的均匀的温度分布，且能够使半导体封装结构内的温度保持在结点温度限制以下。

公开(公告)号：CN215451403U

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202121704236.5

申请日：2021-07-26

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·格兰西 ,  Q·阮 ,  K·辛哈 ,  S·U·阿里芬

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请涉及半导体封装结构。根据本申请的部分实施例的该半导体封装结构包括：第一电子组件及芯片附接层，芯片附接层与第一电子组件堆叠。该芯片附接层包括：芯片附接部分及嵌段部分，芯片附接部分围绕嵌段部分，其中芯片附接部分具有第一热传导率，且嵌段部分具有大于第一热传导率的第二热传导率。该嵌段部分的第一表面与第一电子组件接触。本申请部分实施例提供的半导体封装结构通过采用具有嵌合部分的芯片附接层，能够有效提高电子组件与其接合的电子组件或衬底之间的热传导效率。因此，本申请部分实施例提供的半导体封装结构具有良好的散热性能。