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公开(公告)号：CN113327908B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110204327.0
申请日：2021-02-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本申请案涉及用于微电子组件的导电元件以及相关方法、组合件和电子系统。一种微电子组件包括衬底，其表面上具有至少一个接合衬垫；和金属柱结构，其处于所述至少一个接合衬垫上，所述金属柱结构包括：金属柱，其处于所述至少一个接合衬垫上；和焊接材料，其有一部分处于所述金属柱内的储集层内且另一部分从所述金属柱的与所述至少一个接合衬垫相对的末端突出。还公开用于形成所述金属柱结构的方法、金属柱结构、并入有所述金属柱结构的组合件和系统。
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公开(公告)号：CN118553687A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410208516.9
申请日：2024-02-26
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及包含加强件装置以及相关的微电子装置和电子系统的微电子装置封装组件。微电子装置封装组件包含封装板和附接到所述封装板的加强件装置。所述封装板具有第一侧和第二侧。所述加强件装置包含上部加强件、下部加强件和一或多个减震器装置。所述上部加强件在所述封装板的所述第一侧上方且具有裸片侧和封装侧。所述下部加强件插入在所述上部加强件与所述封装板之间且具有减震器侧和板侧。所述下部加强件包含从所述板侧延伸且穿过所述封装板的穿封装锚。所述一或多个减震器装置插入在所述上部加强件与所述下部加强件之间且与所述上部加强件和所述下部加强件中的每一个接触。
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公开(公告)号：CN113327908A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110204327.0
申请日：2021-02-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本申请案涉及用于微电子组件的导电元件以及相关方法、组合件和电子系统。一种微电子组件包括衬底，其表面上具有至少一个接合衬垫；和金属柱结构，其处于所述至少一个接合衬垫上，所述金属柱结构包括：金属柱，其处于所述至少一个接合衬垫上；和焊接材料，其有一部分处于所述金属柱内的储集层内且另一部分从所述金属柱的与所述至少一个接合衬垫相对的末端突出。还公开用于形成所述金属柱结构的方法、金属柱结构、并入有所述金属柱结构的组合件和系统。
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公开(公告)号：CN118019204A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311492235.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 提供一种填充衬底通路上的裂缝的半导体装置组合件。所述组合件包含衬底，所述衬底具有带有第一触点的第一层及带有第二触点的第二层。包含第一导电材料的通路电耦合所述第一触点及所述第二触点。具有低于所述第一导电材料的熔点的第二导电材料至少部分安置于所述通路与所述第二触点之间。当裂缝出现在所述通路与所述第二触点之间时，能够加热所述第二导电材料以填充所述裂缝。因此，本文中公开的技术、设备及系统能够提供一种可修复衬底。
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公开(公告)号：CN112992833B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202011470561.X
申请日：2020-12-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本申请涉及用于微电子部件的导电元件和形成此类导电元件的过程。焊点包括具有不同熔点的两种不同焊接材料，外焊接材料在接合到导电垫的内焊接材料上延伸，所述内焊接材料具有比所述外焊接材料的熔点低的熔点且在基本上环境温度下处于固态。具有比任一焊接材料的熔点高的熔点的金属材料可涂布所述内焊接材料的至少一部分。还公开并入有所述焊点的微电子部件、组件和电子系统以及用于形成和修复所述焊点的过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613128A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310115064.5
申请日：2023-02-15
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 公开具有柔性互连件的半导体裸片组合件以及相关联方法和系统。所述半导体裸片组合件包含封装衬底和通过所述柔性互连件附接到所述封装衬底的半导体裸片。所述柔性互连件包含一或多个刚性区段和一或多个柔性区段，所述柔性区段中的每一个紧靠所述刚性区段安置。所述柔性区段可包含具有相对较低熔融温度的可延展材料(例如，在高温下具有相对较低的模量)，使得所述柔性互连件可在组装过程期间具有减小的挠曲硬度。通过响应于在所述组装过程期间产生的应力的塑性变形，所述柔性互连件的所述可延展材料可促使所述柔性互连件的部分移位，以便减少所述应力到所述半导体裸片组合件的其它部分——例如，所述半导体裸片的电路系统的转移。
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公开(公告)号：CN119275188A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410898912.9
申请日：2024-07-05
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及包含囊封剂材料中的凹槽的微电子装置及相关联系统及方法。所述微电子装置包含操作性耦合到基底结构的半导体裸片。所述装置进一步包含大体上环绕所述半导体裸片的囊封剂。所述装置还包含从所述囊封剂的上表面竖直延伸到位于或接近所述基底结构的上表面的一或多个位置的一或多个凹槽。
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公开(公告)号：CN115732418A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210954391.5
申请日：2022-08-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及用于使用结构元件来改进半导体装置中的掉落/震动弹性的方法和设备。一种半导体封装组合件包含面向印刷电路板的第二安装表面的封装衬底的第一安装表面。第一结构元件接合垫安装到所述第一安装表面。第二结构元件接合垫安装到所述第二安装表面，并且所述第一结构元件接合垫和所述第二结构元件接合垫彼此对准。结构元件通过第一焊料接头互连到所述第一结构元件接合垫且通过第二焊料接头互连到所述第二结构元件接合垫。所述结构元件在所述第一结构元件接合垫与所述第二结构元件接合垫之间延伸以在压缩力将所述第一安装表面和所述第二安装表面中的一个朝向另一个推动时吸收机械震动。
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公开(公告)号：CN114141722A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111019586.2
申请日：2021-09-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本文中公开了具有被配置成减轻热机械应力的加强衬底的半导体装置以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体封装包含半导体裸片和耦合到所述半导体裸片的衬底。所述衬底可包含基底结构和至少部分地在所述衬底的裸片阴影区内的加强结构。所述加强结构可至少部分地由所述基底结构包围。所述加强结构与所述基底结构相比具有更高的硬度。
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公开(公告)号：CN113972193A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110838475.8
申请日：2021-07-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本申请案涉及具有衬底散热件的堆叠式半导体裸片组合件以及相关联系统及方法。公开具有散热件的堆叠式半导体裸片组合件以及相关联方法及系统。在一些实施例中，载运一或多个存储器裸片的控制器可附接到衬底的前侧。所述衬底可包含散热件，所述散热件形成在其后侧，使得所述散热件可与所述控制器建立热接触。此外，所述散热件可耦合到载运所述衬底的印刷电路板PCB的导热垫。以此方式，所述控制器可设置有朝向所述PCB的热路径以耗散在操作期间产生的热能。在一些状况下，所述衬底可包含从所述散热件向所述控制器延伸的一组热通孔以增强所述控制器与所述散热件之间的所述热接触。
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