公开(公告)号：CN118824984A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467478.9

申请日：2024-04-18

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·H·育 ,  C·格兰西 ,  W·L·莫登 ,  T·M·詹森

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00

Abstract: 本公开涉及高性能半导体扇出封装。本文中描述的实施方案涉及各种半导体装置组合件。在一些实施方案中，一种半导体装置组合件可包含：第一扇出重布层；第一半导体裸片，其安置于所述第一扇出重布层在一方向上的第一侧上且耦合到所述第一扇出重布层的第一面；及第二半导体裸片，其安置于所述第一扇出重布层在所述方向上与所述第一侧不同的第二侧上且耦合到所述第一扇出重布层的与所述第一面不同的第二面。

公开(公告)号：CN117637707A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311097342.5

申请日：2023-08-29

Applicant: 美光科技公司

Inventor： W·L·莫登 ,  S·F·莫克塞姆 ,  T·M·延森

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/538

Abstract: 本文中公开具有连续槽通孔的衬底。在一个实施例中，衬底包括第一设计层、第二设计层和所述第一设计层与所述第二设计层之间的中间层。所述衬底进一步包含竖直延伸通过所述第一设计层与所述第二设计层之间的所述中间层的第一信令通孔和第二信令通孔。所述第一信令通孔和所述第二信令通孔分别在所述第一设计层与所述第二设计层之间路由第一数据信号和第二数据信号。所述衬底进一步包含槽通孔，所述槽通孔定位于所述中间层内的所述第一信令通孔与第二信令通孔之间，且沿着穿过所述第一信令通孔与所述第二信令通孔之间的路径横向延伸到所述中间层内。所述槽通孔可具有连续形状，使得所述槽通孔屏蔽所述第一信令通孔和所述第二信令通孔上的所述第一数据信号和所述第二数据信号以免彼此串扰。

公开(公告)号：CN113871367A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110610577.4

申请日：2021-06-01

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 戴维·K·欧瓦德 ,  T·海因 ,  T·M·霍利斯 ,  W·L·莫登

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L25/18 ,  H01L23/66

Abstract: 本申请涉及球栅阵列以及相关联设备和系统。设备可包含装置衬底，所述装置衬底包含微电子装置和靠近所述装置衬底的有源表面的接合垫。封装衬底可固定到所述装置衬底。球栅阵列可支撑在所述封装衬底上并电连接到所述封装衬底。被定位和配置成承载高带宽数据信号或高频时钟信号的每个球可位于与被配置成承载高带宽数据信号或高频时钟信号的所述球栅阵列的不超过一个其它球横向或纵向相邻处。被定位和配置成承载高带宽数据信号的每个球可位于与被配置成承载高带宽数据信号或高频时钟信号的任何其它球仅对角线相邻处。

公开(公告)号：CN217158163U

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202123126879.9

申请日：2021-12-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·F·莫克塞姆 ,  W·L·莫登

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型涉及一种半导体封装。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含：衬底；以及绝缘掩膜层，所述绝缘掩膜层位于所述衬底的表面上，其中所述绝缘掩膜层包括排气特征，所述排气特征延伸跨越位于所述绝缘掩膜层上的绝缘件的外部边缘。

公开(公告)号：CN217719564U

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202221003551.X

申请日：2022-04-27

Applicant: 美光科技公司

Inventor： T·M·延森 ,  S·F·莫克塞姆 ,  W·L·莫登

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/31

Abstract: 本实用新型涉及一种半导体封装结构。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装结构包括：基板，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；裸片，其设置在所述第一表面上；以及模塑化合物，其囊封所述裸片，其中所述基板具有嵌入式模塑排气孔，所述嵌入式模塑排气孔位于所述裸片下方并填充有所述模塑化合物。所述半导体封装结构具有嵌入式模塑排气孔，因此可以解决现有半导体封装结构中由于外部模塑排气孔而造成的产量损失问题。