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公开(公告)号：CN114752236B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210412869.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高反射耐磨超疏水涂层及其制备方法。使用室温硫化硅橡胶（RTV）和正硅酸四乙酯（TEOS）对GCC微米粒子和TiO2纳米粒子进行表面修饰，获得了改性GCC/TiO2悬浮液，采用简单的喷涂工艺在水泥表面制备了高反射耐磨超疏水涂层，具有出色的超疏水性，其静态接触角（CA）为158°，滚动角（SA）为5.6°，表现出优异的太阳光反射特性，反射率高达89.2%。此外，该涂层还具备优异的耐磨耐久性，可负载500 g砝码在800目的砂纸表面摩擦200 cm或经受胶带剥离50次仍保持超疏水性。涂层不仅可以承受酸碱溶液腐蚀和长时间的紫外线辐射（168 h）,还展现出优异的自清洁性能和耐霜冻性能。
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公开(公告)号：CN113968991A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111266639.0
申请日：2021-10-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种PDMS单层超疏水柔性薄膜及其制备方法，由PDMS橡胶及其表面粗糙结构组成薄膜，粗糙结构为纳米褶皱或者纳米褶皱与二氧化硅粉末。将PDMS橡胶固化前体与磨砂玻璃贴纸复合，固化后剥离，得到表面不平的PDMS橡胶；然后将PDMS橡胶的不平面经过火烤或者喷涂二氧化硅溶胶，得到PDMS单层超疏水柔性薄膜。本发明基于胶黏剂制备超疏水涂层时对工艺和性能的研究，设计出本身低表面能、固化后柔韧性高的PDMS可分离超疏水柔性薄膜。
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公开(公告)号：CN108751254B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810556681.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法，包括以下步骤：将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点，衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化，污染，材料破坏，耗时以及不经济等问题。
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公开(公告)号：CN106914145B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710082404.3
申请日：2017-02-16
Applicant: 苏州大学
IPC: B01D71/02 , B01D69/02 , B01D67/00 , B01D17/022
Abstract: 本发明涉及一种超疏水超亲油过滤膜，包括多孔网状基底，多孔网状基底的表面沉积有无定形碳薄膜，无定形碳薄膜的外侧修饰有二氧化硅，二氧化硅的表面修饰有疏水层。本发明还公开了其制备方法：烘烤多孔网状基底的表面，使其表面沉积无定形碳薄膜；采用气相沉积法使前驱体在催化剂的作用下发生水解反应，得到二氧化硅并使二氧化硅沉积到多孔网状基底的表面上；使用疏水处理剂处理多孔网状基底的表面。本发明还要求保护一种超疏水超亲油过滤膜的过滤方法：提供一流体输送管，流体输送管的侧壁采用超疏水超亲油过滤膜；将待分离的油水混合物从流体输送管的入口端通入并沿所述流体输送管流动；分别从流体输送管的下方和出口端收集分离后的油和水。
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公开(公告)号：CN104817283B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510259253.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 苏州大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种自清洁光栅玻璃的制备方法，包括以下步骤：A)将光栅玻璃依次进行亲水性处理与氨基化处理；B)将步骤A)得到的光栅玻璃依次进行氧化石墨烯的组装与还原处理；C)将步骤B)得到的光栅玻璃进行二氧化钛的组装；D)将步骤C)得到的光栅玻璃进行氟化处理。本申请提供了一种自清洁光栅玻璃的制备方法，经过光栅亲水性处理、氨基化处理、氧化石墨烯组装、氧化石墨烯的还原、二氧化钛的组装以及氟化处理步骤，将石墨烯与二氧化钛的复合结构与光栅玻璃表面条纹相结合，得到复合微纳结构，在赋予透明光栅玻璃憎水性的同时，可对有机物实现光降解，从而得到自清洁的透明光栅玻璃。
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公开(公告)号：CN106596654A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611135425.9
申请日：2016-12-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器及其制备方法，经带负电多孔石墨烯分散液的制备、带正电多孔石墨烯分散液的制备、三维多孔石墨烯超薄膜的组装制备、基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器的制备四个步骤实现传感器的制备。本发明所得到的多孔石墨烯超薄膜气敏传感器对DMMP气体分子具有极高的灵敏度；此制备方法工艺简单，适合于传感器的大量制备。
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公开(公告)号：CN114907848B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210439135.2
申请日：2022-04-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7‑n原子层的InAs，所述量子点晶核形成第一量子点，当沉积量达到1.7原子层时，第一量子点之间的原子层表面形成第二量子点，其中，所述第二量子点的尺寸小于第一量子点的尺寸。本发明实现双模尺寸且能对两个模式间比例可调的量子点进行制备。
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公开(公告)号：CN114907848A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210439135.2
申请日：2022-04-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7‑n原子层的InAs，所述量子点晶核形成第一量子点，当沉积量达到1.7原子层时，第一量子点之间的原子层表面形成第二量子点，其中，所述第二量子点的尺寸小于第一量子点的尺寸。本发明实现双模尺寸且能对两个模式间比例可调的量子点进行制备。
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