一种增加超薄玻璃硬度与耐磨性的方法

    公开(公告)号:CN108609862A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810560588.4

    申请日:2018-06-04

    CPC classification number: C03C17/245

    Abstract: 本发明公开一种增加超薄玻璃硬度与耐磨性的方法,包括以下步骤:S1、清洗玻璃基底,去除玻璃基底表面污渍并吹干;S2、将清洗后的衬底置入磁控溅射镀膜设备,烘烤磁控溅射真空腔体,排出磁控溅射真空腔体内的杂质分子;S3、烘烤结束后,以锆为靶材,采用射频电源,氩气与氧气为溅射气体,通过磁控溅射在玻璃基底的一侧表面沉积氧化锆薄膜;S4、翻转玻璃基底,采用与步骤S3相同的工艺在玻璃基底的另一侧表面沉积氧化锆薄膜;双面镀膜保证镀膜玻璃的机械强度,在一面受到刚力冲击时另一面不会轻易破损;工艺过程可以精确控制,保证氧化锆薄膜的厚度可控,满足透过率要求。

    一种降低观测角度影响的红色玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN114394767A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111609939.4

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明公开一种降低观测角度影响的红色玻璃的制备方法,包括以下步骤:S1、采用刚性或柔性基底先通过等离子体蚀刻清洗其上、下表面,利用浸渍提拉或喷涂工艺在基底上表面预制表面电势降低层;S2、采用热喷涂工艺在预制表面电势降低层上制备微结构层;S3、采用耦合电源反应溅射工艺在基底下表面制备第一高折射率介质层;S4、采用耦合电源反应溅射工艺在第一高折射率介质层表面制备第二低折射率介质层;S5、采用耦合电源反应溅射工艺在第二低折射率介质层表面制备第三高折射率介质层;S6、采用耦合电源反应溅射工艺在第三高折射率介质层表面制备第四低折射率介质层,得到所述的降低观测角度影响的红色玻璃,本发明方法可在透明刚性、柔性基体上制备出色彩鲜艳、颜色均匀,可见光波长下透过率高,且人眼在不同角度下观测颜色变化小的红色玻璃。

    一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:CN110323293A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910372257.2

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池,包括基板,基板表面由内向外依次层叠背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层以及金属栅电极层,其特征在于,所述吸收层包括m组相层叠的基础吸收层,每组基础吸收层均包含由下至上层叠的铜铟镓膜层与硒膜层,2≤m≤5;吸收层厚度为1~2.5μm;背电极层背电极层厚度为0.3~2μm的;缓冲层厚度为20~200nm;窗口层厚度为20~200nm;透明电极层厚度为0.3~2μm;金属栅电极层厚度为2~10μm;本发明镓的梯度沿吸收层背面和吸收层表面两个方向,从而促进镓元素在铜铟镓硒吸收层中深度分布及吸收层带隙宽度的增大,进而提高薄膜太阳能电池的开路电压及光电转换效率。

    一种全向反射红色玻璃

    公开(公告)号:CN114262165A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111609271.3

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明公开一种全向反射大红色玻璃,包括玻璃基底(1),玻璃基底底面由内向外依次设置有第一高折射率介质层(2)、第二低折射率介质层(3)、第三高折射率介质层(4)和第四低折射率介质层(5),玻璃基底顶面依次设置为表面电势降低层(6)和微结构层(7);第一、三高折射率介质层为TiOXNY薄膜;第二、四低折射率层为SiOXNY薄膜;预制表面电势降低层依次为二甲基二烯丙基氯化铵和聚乙烯基苯磺酸钠的表面自组装层;微结构层为单层离散分布且具有倒球缺微球结构的SiO2层。本发明的优点在于玻璃具有色彩鲜艳、颜色均匀,可见光波长下透过率高,且人眼在不同角度下观测颜色变化小的特点。

    一种W掺杂ZrO2薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110983274A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911353361.3

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明公开一种W掺杂ZrO2薄膜的制备方法,包括以下步骤:a、清洗衬底,去除衬底表面的污垢;b、采用纯度为99.99%的金属钨与金属锆作为溅射靶材,两个溅射靶材的靶材基座均与水平面呈45º夹角、且靶材基座的延长线交汇于一点;c、将衬底置于磁控溅射腔体内两个靶材基座的交汇点;d、启动磁控溅射设备在衬底表面溅射W掺杂ZrO2薄膜;采用两块独立的靶材,每个靶材可以各自独立控制,不需要单独制作钨和锆的混合靶材,只需要改变靶材在溅射时的工艺参数,即可以改变W的掺杂量,制备灵活方便。

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