掩模基板及光掩模
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101384957B

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN200780005734.7

    申请日:2007-02-15

    CPC classification number: G03F1/50

    Abstract: 本发明提供适于FPD用大型掩模的方法(抗蚀剂涂覆方法或蚀刻方法、洗涤方法等)的掩模基板和光掩模。其为用于制造在透光性基板上具有遮光性膜和具有调整透射量的功能的半透光性膜中至少一个的FPD设备的掩模基板,其特征在于,上述遮光性膜和上述半透光性膜的膜表面的均方根粗糙度Rq为2.0nm以下。

    灰色调掩模版、灰色调掩模及其制造方法

    公开(公告)号:CN101713917B

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN200910252635.X

    申请日:2005-06-22

    Inventor: 田边胜 三井胜

    CPC classification number: G03F1/72 G03F1/60

    Abstract: 提供一种通过修正透光性基板表面上的凹陷缺陷来防止产生复制图形缺陷及掩模图形缺陷的掩模版用透光性基板、掩模版以及曝光用掩模的制造方法、以及曝光用掩模的缺陷修正方法。在透光性基板1上形成构成复制图形的掩模图形2的曝光用掩模上,用针状件4去除尚未形成掩模图形2的基板表面1a上的足以引起产生复制图形缺陷的透光量下降的凹陷缺陷3的周边部分,实施减少基板表面与凹陷缺陷的深度之间的阶差的修正。此外,在透光性基板上形成掩模图形形成用的薄膜之前的阶段内进行上述凹陷缺陷修正。使用实施了凹陷缺陷修正的透光性基板制造出掩模版、曝光用掩模。

    掩模坯料及光掩模
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101346664B

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN200680049390.5

    申请日:2006-12-26

    CPC classification number: G03F1/50

    Abstract: 本发明提供适合多色波曝光的FPD用大型掩模及掩模坯料。该掩模坯料用于制造在透光性基板上至少具有灰色调掩模用半透光性膜的FPD设备,该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的功能,其特征在于,所述灰色调掩模用半透光性膜是在由超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带区域中,半透光性膜的透过率(即半透过率)的变动幅度被控制在不足5%的范围内的膜。

    掩模基板及光掩模
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101384957A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200780005734.7

    申请日:2007-02-15

    CPC classification number: G03F1/50

    Abstract: 本发明提供适于FPD用大型掩模的方法(抗蚀剂涂覆方法或蚀刻方法、洗涤方法等)的掩模基板和光掩模。其为用于制造在透光性基板上具有遮光性膜和具有调整透射量的功能的半透光性膜中至少一个的FPD设备的掩模基板,其特征在于,上述遮光性膜和上述半透光性膜的膜表面的均方根粗糙度Rq为2.0nm以下。

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