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公开(公告)号：CN111624848B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010111676.3
申请日：2020-02-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法，在以过度蚀刻时间对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成于透明基板上的转印图案中抑制在与透明基板的界面的浸入。光掩模坯料为用于形成光掩模的底版，光掩模为通过湿法蚀刻图案形成用薄膜而得到的、在透明基板上具有转印图案的光掩模，图案形成用薄膜含有过渡金属、硅、氧、氮，通过XPS分析得到的氧的含有率为1原子％以上且70原子％以下，且在将透明基板与图案形成用薄膜的界面定义为通过XPS分析得到的图案形成用薄膜中包含的过渡金属的含有率为0原子％的位置时，从界面起向上述图案形成用薄膜的表面30nm以内的区域中，氮相对于氧的比率存在最大值。
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公开(公告)号：CN111624848A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010111676.3
申请日：2020-02-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法，在以过度蚀刻时间对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成于透明基板上的转印图案中抑制在与透明基板的界面的浸入。光掩模坯料为用于形成光掩模的底版，光掩模为通过湿法蚀刻图案形成用薄膜而得到的、在透明基板上具有转印图案的光掩模，图案形成用薄膜含有过渡金属、硅、氧、氮，通过XPS分析得到的氧的含有率为1原子％以上且70原子％以下，且在将透明基板与图案形成用薄膜的界面定义为通过XPS分析得到的图案形成用薄膜中包含的过渡金属的含有率为0原子％的位置时，从界面起向上述图案形成用薄膜的表面30nm以内的区域中，氮相对于氧的比率存在最大值。
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公开(公告)号：CN109463000A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201780039527.7
申请日：2017-07-10
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料用基板、掩模坯料及转印用掩模，即使不使用高规格的掩模坯料用基板制造具有较为稀疏的转印图案的转印用掩模，将该转印用掩模放置于高NA的曝光装置的掩模载台并对晶片上的抗蚀膜进行曝光转印的情况下，也可不容易引起聚焦错误。另外，可提供它们的制造方法。在基板的主表面(P)设定正方形计算区域(TA)，在计算区域(TA)的角落部分别设定特定点(A～D)，获得特定点(A～D)自基准平面起的高度，设定通过特定点(A～D)中的3点的假想平面，并设定通过剩余的特定点且垂直于基准平面的垂线与假想平面的交点，算出剩余的特定点与该交点之间的距离，并将该距离满足预先设定的基准的基板选定为掩模坯料用基板。
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公开(公告)号：CN102372424B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110235783.8
申请日：2011-08-11
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
Abstract: 本发明提供一种即使在掩模坯用基板上产生表面缺陷的情况下也能简便且对基板的平坦度和表面粗糙度不带来不良影响地修正掩模坯用基板表面缺陷的、低成本且高合格率的掩模坯用基板的制造方法以及掩模坯和转印用掩模的制造方法。该掩模坯用基板的制造方法的特征在于，是由具有对置的2个主表面的基板形成的掩模坯用基板的制造方法，具有研磨上述基板的2个主表面的工序，和对存在于所述基板的主表面的表面缺陷，使燃烧温度在上述基板的软化点以上的火焰接触而修正上述表面缺陷的工序。
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公开(公告)号：CN101813883B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010180900.0
申请日：2005-09-29
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/44
CPC classification number: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
Abstract: 一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101846877A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010203212.1
申请日：2005-09-16
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/14
CPC classification number: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明提供一种掩模板制造方法、一种掩模制造方法、一种掩模板透明基片制造方法。通过在掩模板透明基片上形成待成为掩模图形的薄膜制造掩模板。当向掩模制造部分提供掩模板时，掩模板制造部分向掩模制造部分提供掩模板透明基片的光学特性信息(透射率差异)和掩模板的光学特性信息(透射率差异和/或相差差异)。掩模板透明基片的光学特性信息从制造掩模板透明基片的材料处理部分提供给掩模板制造部分。
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公开(公告)号：CN1755519B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200510107561.2
申请日：2005-09-29
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/14 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
Abstract: 一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
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公开(公告)号：CN110320739B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910216524.7
申请日：2019-03-21
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。
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公开(公告)号：CN115145110A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210312054.6
申请日：2022-03-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供能够缩短对图案形成用薄膜进行微细图案(图案形成用薄膜图案)的湿法蚀刻时的蚀刻时间、具有高耐光性及耐化学药品性、并且能够形成具有接近垂直的边缘的截面形状及良好的LER的微细图案的显示装置制造用光掩模坯料。所述显示装置制造用光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，所述图案形成用薄膜由含有钛(Ti)、硅(Si)及氮(N)的材料形成，所述图案形成用薄膜具有柱状结构，所述图案形成用薄膜中所含的氧的含有率为7原子％以下。
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公开(公告)号：CN114545726A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111362078.4
申请日：2021-11-17
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 提供一种相移掩模底板，即使在相移膜产生膜厚波动的情况下，也能够抑制相对于曝光光的代表波长的透射率的波动而具有所期望的高的透射率并且能够进行良好的图案转印。相移掩模底板在透明基板上具有相移膜，相移膜在曝光波长的代表波长下，透射率为30％以上且80％以下，衰减系数k为0.10以上且0.25以下，折射率n为2.20以上且2.57以下，曝光波长的代表波长处于313～436nm的范围内，代表波长在相移膜的表面反射率与波长的关系中，位于相邻的短波长侧的表面反射率的谷与相邻的长波长侧的表面反射率的峰之间，相移膜含有过渡金属和硅。
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