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公开(公告)号：CN101276140B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200810086584.3
申请日：2008-03-20
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
Abstract: 提供一种灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，灰阶掩模(20)具备遮光部(21)、透光部(22)、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部(23)，在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案，其中，半透光部(23)由半透光膜(26)形成，具有在半透光部(23)确定缺陷区域的工序；以及在包含缺陷区域的区域形成修正膜(27)的工序。修正膜(27)在相比于其中心部更靠周缘侧的部分，具有曝光光的透过量大于中心部的区域。
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公开(公告)号：CN101344720B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810214719.X
申请日：2008-07-10
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，该灰阶掩模具有遮光部(21)、透光部(22)和半透光部(23)，该半透光部将掩模(20)使用时所使用的曝光光的透射量降低规定量，半透光部(23)包括半透光膜(26)，该方法具有：在半透光部(23)确定缺陷区域的工序；和在缺陷区域形成不同于半透光膜的组成的修正膜(27)的工序。在该修正膜形成工序中，预先把握相对规定波长的曝光光的修正膜的光透射率特性，根据所把握的修正膜的光透射率特性，适用相对规定波长的曝光光的修正膜(27)的光透射率与半透光膜(26)的大致相等的条件。
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公开(公告)号：CN1837956B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200610065456.1
申请日：2006-03-22
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
IPC: G03F1/00 , H01L21/027 , G02F1/136
Abstract: 灰色调掩模和薄膜晶体管基板的制造方法。本发明的课题是提供一种灰色调掩模，具备用灰色调掩模形成的器件图形、和用另外的光掩模被形成为具有与该器件图形重叠的部分的与栅电极及接触孔等相关的准确的标记。作为解决手段，具有掩模图形、以及与掩模图形的半透光部的形成的同时形成的与第2器件图形相关的标记图形(31)，该掩模图形作为用于制造至少具有一个用灰色调掩模(20)形成的第1器件图形(30)、和用另外的光掩模被形成为具有与该第1器件图形(30)重叠的部分的接触孔(H)等的第2器件图形的被复制基板的、与第1器件图形(30)对应的掩模图形，与第1器件图形(30)和第2器件图形重叠的部分对应的灰色调掩模(20)上的区域成为半透光部。
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公开(公告)号：CN101833236A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010189553.8
申请日：2006-03-22
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
IPC: G03F1/00
Abstract: 本发明的课题是提供一种灰色调掩模，具备用灰色调掩模形成的器件图形、和用另外的光掩模被形成为具有与该器件图形重叠的部分的与栅电极及接触孔等相关的准确的标记。本发明的灰色调掩模通过在透明基板上具有半透光膜图形、以及在透光部侧空出余量区域而形成在上述半透光膜图形上的遮光膜图形，由此具有：遮光膜图形与半透光膜图形层叠而成的遮光部，除遮光部以外的形成有半透光膜的半透光部，以及既未形成半透光膜又未形成遮光膜的透光部；其中：该灰色调掩模具有与上述半透光膜图形的形成同时形成的、曝光时的对位的标记图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101673049A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910179767.4
申请日：2005-07-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
IPC: G03F1/00 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种灰色调掩模，其半透光部的透射率分布良好，而且与沟道部对应的图形的图形精度良好。在该灰色调掩模中，在被复制基板上具有用于形成厚抗蚀剂图形、薄抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域的厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部，所述薄抗蚀剂图形形成部由半透光部构成，所述厚抗蚀剂图形形成部由遮光部构成，所述无抗蚀剂区域形成部由透光部构成，其中，在透明基板上，在所述半透光部上形成有半透光膜，在所述遮光部上形成有遮光膜，并且，在所述遮光部与所述透光部的边界部设置有裕量区域，该裕量区域由半透光膜图形形成。
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公开(公告)号：CN101441408A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810173369.7
申请日：2008-11-20
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
Abstract: 本发明提供一种光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法。本发明的课题在于提供一种灰度掩膜等的光掩膜，可抑制掩膜使用时的处理中引起的图案的静电破坏的发生，即便万一产生静电破坏，也不影响使用于设备形成的掩膜图案。本发明是在透明基板(24)上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案(例如灰度掩膜)的光掩膜，具有从电气孤立的多个掩膜图案(10a、10b、10c)中分别引出的导电性图案(11a和11b、11c和11d、12a和12b、12c和12d)。该导电性图案具有互不接触、且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分，例如由半透光膜或透光膜形成。
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公开(公告)号：CN101339362A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810135715.2
申请日：2008-07-03
Applicant: HOYA株式会社 , 韩国HOYA电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模的缺陷修正方法，是具有遮光部(21)、透光部(22)以及将掩模使用时所用的曝光光的透过量降低到规定量的半透光部(23)的灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，半透光部(23)由半透光膜(26)形成，具有：在半透光部(23)中，在产生缺陷时确定该缺陷部分(51)、(52)的工序；将包含该缺陷(51)、(52)的半透光部即由遮光部和透光部的至少一方包围的区域的半透光部(23)的全体的半透光膜(26)除去的工序；和在除去该半透光膜(26)的区域(53)，形成和所述半透光膜(26)原材料或组成不同的半透光性的修正膜(27)的工序。
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公开(公告)号：CN1721988A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084068.3
申请日：2005-07-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
IPC: G03F1/14 , H01L21/00 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种灰色调掩模，具有厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部，用于具有至少使厚抗蚀剂图形变形的工序的薄膜晶体管基板的制造工序中，半透光部的透射率分布良好，而且与沟道部对应的图形的图形精度良好。在被复制基板上，薄抗蚀剂图形形成部由半透光部构成，厚抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域形成部分别由根据在被复制基板上的抗蚀剂是正型还是负型而决定的遮光部或透光部构成，在上述薄膜晶体管基板的制造工序中所使用的灰色调掩模中，半透光部由半透光膜形成，遮光部由遮光膜形成，厚抗蚀剂图形形成部是源电极和漏电极的对置部分，至少在沟道部一侧空出了所希望的裕量区域而被形成。
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公开(公告)号：CN101866107B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010202441.1
申请日：2007-02-16
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
IPC: G03F1/32 , G03F7/00 , G02F1/1333
Abstract: 公开了一种四级光掩模及其使用方法以及四级光掩模制造用光掩模坯料。所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分，并在转印目标上形成厚度阶段性地或连续地变化的抗蚀图案，所述四级光掩模的特征在于，所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成，所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成，所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同，所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上层叠所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而构成。
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