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公开(公告)号：CN101408725A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810178589.9
申请日：2008-09-26
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种灰色调掩模的制造方法、灰色调掩模及图案转印方法。其中，准备在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜的灰色调掩模板，对该灰色调掩模板施加第一次构图，在包含被构图的遮光膜和露出的半透光膜的透明基板整个表面上形成抗蚀剂膜之后，通过进行第二次构图，在该半透光膜和该遮光膜上分别进行预定构图，从而形成灰色调掩模。并且，相对于所述第一次构图时的描绘光的所述遮光膜的表面反射率和相对于所述第二次构图时的描绘光的所述半透光膜的表面反射率的差，被调整为35％以下。
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公开(公告)号：CN1839350A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200580000745.7
申请日：2005-06-22
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
Abstract: 提供一种通过修正透光性基板表面上的凹陷缺陷来防止产生复制图形缺陷及掩模图形缺陷的掩模版用透光性基板、掩模版以及曝光用掩模的制造方法、以及曝光用掩模的缺陷修正方法。在透光性基板1上形成构成复制图形的掩模图形2的曝光用掩模上，用针状件4去除尚未形成掩模图形2的基板表面1a上的足以引起产生复制图形缺陷的透光量下降的凹陷缺陷3的周边部分，实施减少基板表面与凹陷缺陷的深度之间的阶差的修正。此外，在透光性基板上形成掩模图形形成用的薄膜之前的阶段内进行上述凹陷缺陷修正。使用实施了凹陷缺陷修正的透光性基板制造出掩模版、曝光用掩模。
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公开(公告)号：CN101398611A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810161087.5
申请日：2008-09-26
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种灰色调掩模板，其用于根据部位选择性地减少对被复制体的曝光光线的照射量，并在被复制体上形成包含残膜值不同的部分的所希望的复制图案的灰色调掩模的制造中使用，该灰色调掩模板在透明基板上具有半透光膜和遮光膜，半透光膜在基板面内至少形成掩模图案的区域内的曝光光线透过率的分布在4.0％以内。通过在该掩模板上实施规定的构图，形成遮光部、透光部、由半透光膜构成的半透光部，由此得到灰色调掩模。
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公开(公告)号：CN101346664A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049390.5
申请日：2006-12-26
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/50
Abstract: 本发明提供适合多色波曝光的FPD用大型掩模及掩模坯料。该掩模坯料用于制造在透光性基板上至少具有灰色调掩模用半透光性膜的FPD设备，该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的功能，其特征在于，所述灰色调掩模用半透光性膜是在由超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带区域中，半透光性膜的透过率(即半透过率)的变动幅度被控制在不足5％的范围内的膜。
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公开(公告)号：CN101310220B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200680042726.5
申请日：2006-11-15
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 三井胜
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F1/46
Abstract: 提供一种用于制造适用于多色波曝光的FPD器件的FPD用大型掩模及掩模底板，是在透光性基板上具有遮光性膜的掩模底板，该遮光性膜至少由具有遮光功能的下层部和具有防反射功能的上层部构成，其特征在于，所述遮光性膜，是在超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带域中，膜面反射率的变动幅被控制在低于1％的范围内的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101713917A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910252635.X
申请日：2005-06-22
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
Abstract: 提供一种通过修正透光性基板表面上的凹陷缺陷来防止产生复制图形缺陷及掩模图形缺陷的掩模版用透光性基板、掩模版以及曝光用掩模的制造方法、以及曝光用掩模的缺陷修正方法。在透光性基板1上形成构成复制图形的掩模图形2的曝光用掩模上，用针状件4去除尚未形成掩模图形2的基板表面1a上的足以引起产生复制图形缺陷的透光量下降的凹陷缺陷3的周边部分，实施减少基板表面与凹陷缺陷的深度之间的阶差的修正。此外，在透光性基板上形成掩模图形形成用的薄膜之前的阶段内进行上述凹陷缺陷修正。使用实施了凹陷缺陷修正的透光性基板制造出掩模版、曝光用掩模。
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公开(公告)号：CN101458449A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810186896.1
申请日：2008-09-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望转写图案的灰阶掩模的制造中使用，在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半透光部，作为灰阶掩模。遮光膜在膜厚方向上的组成变化，降低对图案化时采用的绘制光的表面反射率，半透光膜对图案化时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。
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公开(公告)号：CN101310220A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042726.5
申请日：2006-11-15
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 三井胜
IPC: G03F1/08
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F1/46
Abstract: 提供一种用于制造适用于多色波曝光的FPD器件的FPD用大型掩模及掩模底板，是在透光性基板上具有遮光性膜的掩模底板，该遮光性膜至少由具有遮光功能的下层部和具有防反射功能的上层部构成，其特征在于，所述遮光性膜，是在超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带域中，膜面反射率的变动幅被控制在低于1％的范围内的膜。
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公开(公告)号：CN101025566A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084135.0
申请日：2007-02-16
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种灰度掩模，具有遮光部分、光透射部分和灰度部分。其制造方法包括：准备掩模坯料，其中在光透射的衬底上形成含有金属与硅的薄膜和基于无机物的蚀刻掩模层，其中每一个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性；在所述基于无机物的蚀刻掩模层上形成第一抗蚀图案；使用第一抗蚀图案作为掩模并使用蚀刻溶液蚀刻所述蚀刻掩模层；将余下的第一抗蚀图案剥除的步骤；以蚀刻掩模层作为掩模并使用蚀刻溶液来蚀刻所述薄膜。在剥除第一抗蚀图案的情况下蚀刻所述薄膜。在蚀刻掩模层和光透射衬底上形成第二抗蚀图案，使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层，将第二抗蚀图案剥除。由此，所述灰度部分通过所述薄膜而形成，遮光部分通过蚀刻掩模层和薄膜形成。
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公开(公告)号：CN101458449B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810186896.1
申请日：2008-09-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望转写图案的灰阶掩模的制造中使用，在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半透光部，作为灰阶掩模。遮光膜在膜厚方向上的组成变化，降低对图案化时采用的绘制光的表面反射率，半透光膜对图案化时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。
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