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公开(公告)号：CN103513505B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201310238262.7
申请日：2013-06-17
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模及其制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法，在需要多次描绘的光掩模中准确地进行各区域的对准，能够抑制光刻工序的实施次数。所述制造方法具有以下工序：准备光掩模坯体，该光掩模坯体是在透明基板上层叠曝光光透过率彼此不同且由彼此具有蚀刻选择性的材料构成的下层膜与上层膜，进而形成第1抗蚀剂膜而得到的；对第1抗蚀剂膜进行第1描绘，形成用于形成上层膜图案和划定下层膜图案的区域的暂定图案的第1抗蚀剂图案；对上层膜进行蚀刻的第1蚀刻工序；在整面上形成第2抗蚀剂膜；对第2抗蚀剂膜进行第2描绘，形成用于形成下层膜图案的第2抗蚀剂图案；对下层膜进行蚀刻的第2蚀刻工序；蚀刻去除暂定图案的第3蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN104423141A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410407479.0
申请日：2014-08-19
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F7/0035
Abstract: 光掩模及其制造方法、图案转印方法和显示装置制造方法，提高细微图案的转印性。显示装置制造用光掩模通过如下方式形成，在透明基板上，利用湿式蚀刻分别对相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜进行图案化，形成包含遮光部、相位偏移部和透光部的转印用图案，其中，遮光部是依次层叠相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜而成的，相位偏移部是相位偏移膜，或者依次层叠相位偏移膜和蚀刻掩模膜而成的，透光部是使透明基板表面露出而成的，相位偏移膜由含有铬的材料构成，蚀刻掩模膜由对相位偏移膜的蚀刻液具有耐蚀刻性的材料构成，相位偏移部与透光部具有彼此邻接的部分，而且，相位偏移部与透光部相对于光掩模的曝光光的代表波长具有大致180度的相位差。
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公开(公告)号：CN103034044A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210370046.3
申请日：2012-09-28
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/32 , G03F7/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供多灰度光掩模、其制造方法及图案转印方法。在为产生相位移动效果而使遮光部具有规定的透光性的多灰度光掩模中，抑制因遮光部内的离开与透光部、半透光部的边界的区域使被加工体上的抗蚀剂膜感光。在具备包含透光部、遮光部、半透光部的转印用图案，在被加工体上形成具有多个不同的残膜值的抗蚀剂图案的多灰度光掩模中，光学膜具有使多灰度光掩模的曝光用光所包含的代表波长的相位移动大致180度的作用，并对代表波长的光具有3%～50%的透过率，在透光部与半透光部中，透明基板表面的一部分露出，遮光部具有形成了在多灰度光掩模的曝光条件下无法分辨的线宽度的微细透过图案的光学膜。
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公开(公告)号：CN111752089B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010221760.0
申请日：2020-03-26
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 提供光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法，提供可形成尺寸精度高的转印用图案的光掩模制造方法，其包括：准备在透明基板上依次形成有光学膜和抗蚀剂膜的光掩模基板的工序；初期显影工序，通过描绘、显影而在抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案；预备蚀刻工序，以抗蚀剂图案为掩模，对光学膜实施蚀刻，形成由光学膜得到的预备图案；追加显影工序，在由预备蚀刻工序形成的预备图案的边缘的至少一部分处于与抗蚀剂图案对应的区域内的状态下，对抗蚀剂图案实施追加显影，使抗蚀剂图案边缘后退，使预备图案边缘露出；测定工序，测定预备图案规定部位的尺寸；和追加蚀刻工序，基于测定工序中测定的尺寸确定追加蚀刻量，进一步蚀刻光学膜，形成确定图案。
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公开(公告)号：CN107402496B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201710333361.1
申请日：2017-05-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模的制造方法、光掩模及显示装置的制造方法，实现图案的CD精度及坐标精度良好的光掩模。在制造具有包括遮光部、半透光部及透光部的转印用图案的光掩模时，准备在透明基板(1)上层叠了半透光膜(2)、中间膜(3)及遮光膜(4)而成的光掩模坯体，通过蚀刻将成为遮光部的区域以外的区域的遮光膜(4)去除，然后形成抗蚀剂膜(6)。接着，对抗蚀剂膜(6)进行描画及显影而形成了抗蚀剂图案(6a)，然后通过蚀刻将半透光膜(2)去除。半透光膜(2)和遮光膜(4)都由Cr类材料形成，在将与透光部及半透光部分别相邻的遮光部设为中间遮光部时，在抗蚀剂图案形成工序中形成具有开口的抗蚀剂图案(6a)，该开口的尺寸相对于与中间遮光部相邻的透光部的设计尺寸A(μm)，在与中间遮光部相邻的边缘侧每一侧增加了裕量α(μm)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112506002A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010944925.7
申请日：2020-09-10
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/38 , G03F1/50 , G03F1/58 , G03F1/66 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明的课题在于提供光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法，该光掩模能够在被转印体上形成具有优异的竖立的轮廓的抗蚀剂图案。一种光掩模，其在透明基板上具备包含透光部、遮光部和半透光部的转印用图案，其中，透光部是透明基板露出而成的，半透光部是在透明基板上形成透射控制膜而成的，遮光部具有边缘部和层积部，该边缘部沿着与透光部相邻的边缘以规定宽度D1(μm)(其中0.5≤D1)配置，其是在透明基板上形成相位控制膜而成的，该层积部配置于边缘部以外的区域，其是在透明基板上层积相位控制膜和透射控制膜而成的。
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公开(公告)号：CN106933026B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201611178018.6
申请日：2016-12-19
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模和光掩模基板及其制造方法、光掩模坯体、显示装置制造方法，能够尽量减小清洗工序中产生异物的可能性，抑制光掩模坯体、光掩模制造工序中产生瑕疵的风险。一种用于形成转印用图案而成为光掩模的由透明材料构成的光掩模基板，具有用于形成转印用图案的第1主表面、位于反面侧的第2主表面、以及垂直于这些主表面的端面。在第1主表面的端部附近设有倾斜区域，该倾斜区域具有第1倒角面和设在第1主表面与第1倒角面之间的第1曲面。第1倒角面相对于第1主表面的倾斜角为50度以下且具有平面。第1曲面的曲率半径r1(mm)满足0.3
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公开(公告)号：CN111752089A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010221760.0
申请日：2020-03-26
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 提供光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法，提供可形成尺寸精度高的转印用图案的光掩模制造方法，其包括：准备在透明基板上依次形成有光学膜和抗蚀剂膜的光掩模基板的工序；初期显影工序，通过描绘、显影而在抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案；预备蚀刻工序，以抗蚀剂图案为掩模，对光学膜实施蚀刻，形成由光学膜得到的预备图案；追加显影工序，在由预备蚀刻工序形成的预备图案的边缘的至少一部分处于与抗蚀剂图案对应的区域内的状态下，对抗蚀剂图案实施追加显影，使抗蚀剂图案边缘后退，使预备图案边缘露出；测定工序，测定预备图案规定部位的尺寸；和追加蚀刻工序，基于测定工序中测定的尺寸确定追加蚀刻量，进一步蚀刻光学膜，形成确定图案。
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公开(公告)号：CN106019807B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201610146972.0
申请日：2016-03-15
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供光掩模的制造方法、光掩模及平板显示器的制造方法，该光掩模具有微细且高精度的转印用图案。准备在透明基板上层叠下层膜、蚀刻阻止膜及上层膜而得到的光掩模坯体。下层膜利用能够通过上层膜的蚀刻而进行蚀刻的材料形成，蚀刻阻止膜利用对上层膜的蚀刻具有耐性的材料形成。使用该光掩模坯体顺序地进行上层膜预备蚀刻工序、蚀刻阻止膜蚀刻工序、下层膜蚀刻工序，然后进行上层膜侧蚀刻工序，通过对上层膜进行侧蚀刻，形成上层膜的边缘比下层膜的边缘后退了规定宽度量的缘部。
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公开(公告)号：CN105911812B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201610097419.2
申请日：2016-02-23
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模、光掩模组、光掩模及显示装置的制造方法，即使是更细微化、集成度更高的显示装置，也能够以良好的成品率稳定地进行生产。一种具有转印用图案的光掩模，该转印用图案是对形成在透明基板上的半透光膜和遮光膜分别进行构图而得到的，其特征在于，所述转印用图案包含透光部、遮光部、半透光部以及半透光缘部，所述透光部与宽度为W(μm)的所述半透光缘部相邻，所述半透光缘部与所述遮光部相邻，并且0＜W≦0.3。
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