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公开(公告)号：CN100440038C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN02823609.2
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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公开(公告)号：CN109643056B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201780050888.1
申请日：2017-08-02
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/58 , H01L21/3065
Abstract: 本发明将具有由氮化硅材料构成的单层的相移膜中难以实现的20％以上的透过率的相移膜通过具有两组以上的由从透光性基板侧起依次配置的低透过层和高透过层构成为一组层叠结构的结构实现，且提供具备这种相移膜的掩模坯料。在透光性基板上具备相移膜的掩模坯料中，相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以20％以上的透过率透过的功能，相移膜具有两组以上的由低透过层和高透过层构成为一组的层叠结构，且低透过层由氮化硅系材料形成，高透过层由氧化硅系材料形成，设置于最上的高透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚，低透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚。
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公开(公告)号：CN111344633A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880072967.7
申请日：2018-11-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光用光以规定的透过率透过的功能以及产生规定的相位差的功能，能够抑制与热膨胀相伴的图案的位置偏移。相移膜具有使ArF准分子激光的曝光用光以15％以上的透过率透过的功能以及产生150度以上200度以下的相位差的功能，由含有非金属元素与硅的材料形成，第一层与透光性基板的表面相接地设置，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＜n2以及n2＞n3的关系，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2＞k3的关系。
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公开(公告)号：CN104903792B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201480004256.8
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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公开(公告)号：CN1924697B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610094622.0
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1896868B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610094621.6
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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公开(公告)号：CN102109756A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010547438.3
申请日：2010-11-15
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及一种使基板再生的方法，该方法通过除去在由玻璃构成的基板的主表面上具备图案形成用的薄膜的掩模坯体、或使用该掩模坯体制作的转印用掩模的所述薄膜，从而使基板再生，该方法中，通过使掩模坯体或转印用掩模的薄膜与含有氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、和氙(Xe)中的任意元素与氟(F)的化合物的非激发状态的物质接触并将其除去，从而使基板再生。
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公开(公告)号：CN113242995B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980084509.X
申请日：2019-12-10
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光光以给定的透射率透过的功能、和产生给定的相位差的功能，并且该相移膜可以抑制伴随着热膨胀的图案的错位。所述相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以15％以上的透射率透过的功能、和产生150度以上且210度以下的相位差的功能，该相移膜由含有非金属元素和硅的材料形成，包含依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2及k2＜k3的关系，将第1层及第3层的膜厚分别设为d1、d3时，满足0.5≤d1/d3＜1的关系。
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公开(公告)号：CN114245880B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202080058132.3
申请日：2020-08-26
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/60 , G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供能够制造出可提高对ArF准分子激光的曝光光的相移效果、同时能够确保曝光边缘、光学性能良好的相移掩模的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜，其中，相移膜含有铪、硅及氧，相移膜中的铪的含量相对于铪及硅的合计含量以原子％计的比率为0.4以上，相移膜在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为2.5以上，相移膜在曝光光的波长下的消光系数k为0.30以下。
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公开(公告)号：CN110554561B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201910950358.3
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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