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公开(公告)号：CN1945868A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610159550.3
申请日：2006-09-27
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了一种发光器件组件和使用这种发光器件组件的背光单元，发光器件组件向上发出的光能够由透镜折射，使得向上发出具有均匀强度的光，具有即使以少量的发光器件也能够提高效率和减少功耗的优点。
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公开(公告)号：CN1880836A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610089976.6
申请日：2006-05-30
CPC classification number: G02B6/0031 , G02B6/0068 , G02F1/133603 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , Y10S362/80 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开一种具有发光二极管的背光单元及其制造方法，由此不产生热点，无需以来使用常规的横向发光二极管组件，使得能够提高图像质量，并且该方法免除了放置热点挡板的组装工艺，使得能够简化背光单元的制造工艺，并降低背光单元的厚度。
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公开(公告)号：CN103928580B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410116298.2
申请日：2007-05-08
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0083 , Y10S438/977 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种能够实现发射效率的增强和可靠性的增强的氮化物基发光器件。该发光器件包括半导体层，和布置在该半导体层上，并且由具有等于或者高于该半导体层的折射率的折射率的材料制成的光提取层。
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公开(公告)号：CN102361052B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110359382.3
申请日：2007-01-26
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
Abstract: 这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。具体地说，提供了一种发光装置，该发光装置包括：支撑层；在所述支撑层上的连接金属层，该连接金属层包括：在所述支撑层的第一层；在所述第一层上的扩散阻挡层；和在所述扩散阻挡层上的第二层，其中，所述第一层包括用于附接所述支撑层的键合层；在所述连接金属层上的第一电极，该第一电极包括反射电极；在所述第一电极上的半导体结构，该半导体结构包括：第一类型的层、在所述第一类型的层上的有源层、以及在所述有源层上的第二类型的层；以及在所述半导体结构上的第二电极。
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公开(公告)号：CN103151437A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310055713.3
申请日：2006-12-15
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管（LED）及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管（LED）包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102751415B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210188762.X
申请日：2007-02-16
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0079
Abstract: 公开了一种具有垂直结构的发光器件及其制造方法，发光器件，包括：支撑层；在所述支撑层上的第一电极；在所述第一电极上的半导体结构，所述半导体结构具有倾斜的侧表面；在所述半导体层上的透明层；在所述半导体结构的一部分上的第二电极；以及金属层，其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间，所述金属层对于包含在所述半导体结构的至少一种元素具有反应性，其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102157644B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110094682.3
申请日：2006-12-15
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/20
Abstract: 本发明涉及具有垂直结构的发光二极管及其制造方法，本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管(LED)及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管(LED)包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
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公开(公告)号：CN102751415A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210188762.X
申请日：2007-02-16
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0079
Abstract: 公开了一种具有垂直结构的发光器件及其制造方法，发光器件，包括：支撑层；在所述支撑层上的第一电极；在所述第一电极上的半导体结构，所述半导体结构具有倾斜的侧表面；在所述半导体层上的透明层；在所述半导体结构的一部分上的第二电极；以及金属层，其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间，所述金属层对于包含在所述半导体结构的至少一种元素具有反应性，其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101026213B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710005814.4
申请日：2007-02-25
IPC: H01L33/00
Abstract: 公开了一种具有改进的光提取效率的发光器件。该发光器件包括：氮化物半导体层，其包括顺序堆叠的第一半导体层，有源层和第二半导体层，通过从第二半导体层到部分第一半导体层执行台面刻蚀将第一半导体层的一部分暴露到外部；以及通过第一半导体层的一部分、有源层和第二半导体层形成的至少一个沟槽。
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