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公开(公告)号：CN103328556A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180057132.2
申请日：2011-11-28
Applicant: SK新技术株式会社
Abstract: 本发明涉及使用二羧酸二酯衍生物作为增塑剂的树脂组合物，具体地，涉及通过将增塑剂加入到选自脂肪族或芳香族聚碳酸酯树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂和环氧树脂中的一种或更多种树脂中得到的树脂组合物，其具有低玻璃化转变温度(Tg)并且可易于加工并能够赋予产品柔性。所述增塑剂呈现出高增塑效率，包含所述增塑剂的树脂组合物可以表现出低玻璃化转变温度和在低温下良好的柔性，因此提高了物理性能如抗拉强度，即使在只添加少量增塑剂时也是如此。
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公开(公告)号：CN110527512B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201910433994.9
申请日：2019-05-23
IPC: C09K13/06 , C07F7/18 , C07F9/50 , C07F9/6596 , C07F9/53
Abstract: 一种蚀刻剂组合物，其包括磷酸和由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中A为n价基团，L为C1‑C5亚烃基，R1‑R3独立地为氢、羟基、烃基或烷氧基，其中R1‑R3各自存在或通过杂元素相互连接，n为2‑5的整数。
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公开(公告)号：CN107868193B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201710868378.7
申请日：2017-09-22
IPC: C08F293/00 , C08F212/08 , C08F212/14
Abstract: 本发明提供一种二嵌段共聚物，其包含具有由以下化学式1表示的重复单元的第一嵌段和具有由以下化学式2表示的重复单元的第二嵌段：[化学式1][化学式2]其中R1‑R5、X1‑X5、l、n和m如权利要求1所定义。
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公开(公告)号：CN106432711B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610551869.4
申请日：2016-07-13
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于制造半导体和显示器工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性和平坦化特性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN111225934A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880049559.X
申请日：2018-07-02
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体和显示器的制造工艺的具有新结构的聚合物、包含该聚合物的用于半导体和显示器的制造工艺的下层膜组合物以及利用该下层膜组合物制造半导体元件的方法，更具体地，本发明的新型聚合物具有优化的蚀刻选择比和平坦化特性以及优异的耐热性，因此包含该聚合物的下层膜组合物可以在半导体多层光刻工艺中用作硬掩膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109422848A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810754156.7
申请日：2018-07-11
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: C08F220/14 , C08F212/08 , C08F220/36 , C08F212/14 , C09D133/14
Abstract: 本发明涉及促进形成定向自组装图案的用于形成中性层的无规共聚物及包含其的用于形成图案的层压体、利用其形成高品质图案的方法。
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公开(公告)号：CN107868194B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201710869088.4
申请日：2017-09-22
IPC: C08F293/00 , C08F220/14 , C08F212/08 , C08F212/14 , G03F7/00 , G03F7/09 , G03F7/16 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供了一种形成精细图案的方法，该方法通过使用具有优异蚀刻选择性的嵌段共聚物而能够最小化LER和LWR，从而形成高质量纳米图案。本发明提供了一种嵌段共聚物，其包含具有由以下化学式1表示的重复单元的第一嵌段和具有由以下化学式2表示的重复单元的第二嵌段：[化学式1][化学式2]其中R1‑R5、X1‑X5、l、n和m如权利要求1中所定义。
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公开(公告)号：CN110998446A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880049505.3
申请日：2018-07-04
Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物。更具体地，本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物，其能够减轻光刻胶层的基板上的曝光光和照射光的反射，所述光刻胶层在制造半导体设备的光刻工艺中涂布在基板上；以及包含所述底部抗反射涂层形成用聚合物的底部抗反射涂层形成用组合物。
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公开(公告)号：CN109422849A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810886120.4
申请日：2018-08-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: C08F220/14 , C08F212/08 , C08F220/34 , C08F212/14 , C08F8/14 , C08J3/24 , G03F7/039 , G03F7/11 , C08L33/12
Abstract: 本发明提供用于形成促进定向自组装图案形成的中性层的无规共聚物、用于形成包含所述无规共聚物的图案的层压板以及使用所述无规共聚物形成高质量图案的方法。
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公开(公告)号：CN106467754A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610689209.2
申请日：2016-08-19
IPC: C10G29/22
CPC classification number: C10G17/04 , B01D11/0446 , B01D11/0488 , B01D11/0492 , C10G17/02 , C10G31/08 , C10G53/06 , C10G2300/205 , C10G2300/4081 , C10G2300/80 , C10G29/22
Abstract: 本发明公开了一种从烃油中除去金属的方法，包括：提供含有烃油的原料；将所述原料与含有金属清除剂的水溶液混合，以制备第一混合物；将所述第一混合物分离成第一水溶液相和第一烃相，并排出所述分离出的第一水溶液相；将分离出的所述第一烃相与洗涤水混合，以产生第二混合物；将所述第二混合物分离成第二水溶液相和第二烃相；以及回收所述分离出的第二烃相并将所述分离出的第二水溶液相再循环。本发明的方法减少了整个工艺中水的使用并且容易且有效地从烃油中除去了金属组分。
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