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公开(公告)号:CN109202693A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201811102874.2
申请日:2018-09-20
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方案涉及一种用于化学机械平坦化工艺并具有防泄漏效果的抛光垫及其制造方法。一实施方案提供一种抛光垫,其包括:具备第一通孔的抛光层;设置于所述抛光层下面的支撑层;以及设置于所述第一通孔中的窗户,并且包括选自第一压缩区域及第二压缩区域的一个以上的压缩区域,在所述第一压缩区域,所述支撑层设置在与所述窗户的外周边区域相对应的区域中,在所述第二压缩区域,所述支撑层设置在与所述窗户的内周边区域相对应的区域中。该抛光垫气密性优异,从而具有防止在化学机械平坦化工艺期间有可能发生的泄漏的效果。
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公开(公告)号:CN108673332A
公开(公告)日:2018-10-19
申请号:CN201810493335.X
申请日:2018-05-22
Applicant: SKC株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/2027 , C08G18/3243 , C08G2101/0066 , C08J9/32 , C08J2203/22 , C08J2205/044 , C08J2205/05 , C08J2207/00 , C08J2375/04 , H01L21/3212 , H01L23/53257 , B24B37/26
Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂,所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm,具有平均直径为10‑60μm的多个孔,抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3,25℃下的表面硬度为45‑65Shore D,抗拉强度为15‑25N/mm2,延伸率为80‑250%,从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为101‑250MPa,其中,所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。
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