公开(公告)号：CN110625511A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910407219.6

申请日：2019-05-15

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  安宰仁 ,  文寿泳

IPC: B24B29/02 ,  B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26 ,  B24B55/06 ,  B24D18/00

Abstract: 本申请提供一种抛光垫，其包括多个第一凹槽，该第一凹槽为具有相同中心的几何形状；和多个第二凹槽，该第二凹槽从该中心向外周边径向延伸，其中该第二凹槽的深度等于或者深于该第一凹槽的深度。抛光垫可以快速排出在抛光过程中产生的任何碎屑，以减少例如晶片表面上的划痕等缺陷。

公开(公告)号：CN108581822A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810493229.1

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5-2.5mm，具有平均直径为10-60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7-0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45-65Shore D，抗拉强度为15-25N/mm2，延伸率为80-250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30-100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1-10μm的深度。

公开(公告)号：CN108581822B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201810493229.1

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm，具有平均直径为10‑60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45‑65Shore D，抗拉强度为15‑25N/mm2，延伸率为80‑250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30‑100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。

公开(公告)号：CN112571303A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910931497.1

申请日：2019-09-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐章源 ,  安宰仁 ,  尹晟勋 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  文寿泳

IPC: B24D11/00 ,  B24D11/02

Abstract: 本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含硅烷类重复单元的聚氨酯，通过抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。

公开(公告)号：CN112571273A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910931840.2

申请日：2019-09-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐章源 ,  安宰仁 ,  尹晟勋 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  文寿泳

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24

Abstract: 本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含氟化重复单元的聚氨酯，通过所述抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。

公开(公告)号：CN108673332A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810493335.X

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26

CPC classification number: B24B37/24 ,  C08G18/10 ,  C08G18/2027 ,  C08G18/3243 ,  C08G2101/0066 ,  C08J9/32 ,  C08J2203/22 ,  C08J2205/044 ,  C08J2205/05 ,  C08J2207/00 ,  C08J2375/04 ,  H01L21/3212 ,  H01L23/53257 ,  B24B37/26

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm，具有平均直径为10‑60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45‑65Shore D，抗拉强度为15‑25N/mm2，延伸率为80‑250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为101‑250MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。