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公开(公告)号：CN112639174A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056925.9
申请日：2019-07-26
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方案涉及一种生长半绝缘SiC单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将涂覆有碳化硅(SiC)和碳基材料的掺杂剂放入包含固定有籽晶的反应容器中；以及(2)在所述籽晶上生长SiC单晶，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将包含含碳聚合物树脂、溶剂、掺杂剂和碳化硅(SiC)的组合物置于反应容器中；(b)固化所述组合物；(c)在固定于所述反应容器中的所述籽晶上生长SiC单晶锭，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种用于生长SiC单晶锭的装置，其中所述装置能够生产高质量的SiC单晶锭，所述高质量的SiC单晶锭包括通过SiC组合物的碳化或石墨化产生的多孔体，因此当SiC单晶锭的直径较大时，仍然具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN112391674A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010806156.4
申请日：2020-08-12
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明的实施例涉及晶种附着方法，包括：步骤(1)，在锭生长的晶种的一面附着保护膜；步骤(2)，在上述晶种的另一面涂敷粘结组合物；步骤(3)，进行第一固化，即对上述晶种进行热处理；步骤(4)，去除上述保护膜；步骤(5)，进行第二固化，即对上述晶种进行热处理；以及步骤(6)，使上述晶种附着于晶种支架，从而可在碳化硅单晶锭生长时提高生长稳定性及质量。
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公开(公告)号：CN113261094A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202080008027.9
申请日：2020-03-06
Applicant: SKC株式会社
IPC: H01L23/15 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/525 , H01L23/50 , H01L23/538
Abstract: 本实施方式涉及封装基板和半导体装置，上述半导体装包括具备半导体元件的元件部，及与上述元件部电连接的封装基板；通过将玻璃基板适用作上述封装基板的芯，以使半导体元件和母板更紧密地连接，从而以尽可能短的距离传输电信号。为此，提供一种封装基板，显著改善信号传输速度等电特性，实质上防止寄生元件的产生，从而能够进一步简化绝缘膜处理工序，且可适用于高速电路。
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公开(公告)号：CN113261092A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202080007065.2
申请日：2020-03-06
Applicant: SKC株式会社
IPC: H01L23/15 , H01L23/498 , H01L23/485 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/525
Abstract: 本实施方式涉及封装基板和半导体装置，上述半导体装置包括具备半导体元件的元件部，及与上述元件部电连接的封装基板；通过将玻璃基板适用作为上述封装基板的芯，以使半导体元件和母板更紧密地连接，从而以尽可能短的距离传输电信号。为此，提供一种封装基板，显著改善信号传输速度等电特性，实质上防止寄生元件的产生，从而能够进一步简化绝缘膜处理工序，且可适用于高速电路。
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公开(公告)号：CN112748155A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011184512.X
申请日：2020-10-29
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及用于测量含石墨物品的与感应加热特性有关的物性的测量方法、测量装置以及晶锭生长系统。测量方法包括：配置步骤，在包括卷绕的导线的线圈部配置含石墨物品；以及测量步骤，通过与所述线圈部电连接的计测构件向所述线圈部施加测量用电源，来测量在所述线圈部感应的电磁物性。所述测量方法等测量晶锭生长容器、绝热材料等含石墨物品的电磁物性并提供挑选所需的资料，从而能够确保进一步提高晶锭生长的再现性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112746314A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010530647.0
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统。碳化硅晶锭的制备方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备包括具有内部空间的坩埚本体的坩埚组件，原料装入步骤，将原料装入所述坩埚组件中，而将碳化硅晶种放置在距所述原料间隔规定距离的位置，及生长步骤，通过将所述坩埚组件的内部空间调整为晶体生长气氛，以蒸气的方式传输所述原料，使其沉积在所述碳化硅晶种，从而制备从所述碳化硅晶种生长的碳化硅晶锭，所述坩埚本体的密度的范围为1.70至1.92g/cm3。可以通过控制坩埚的特性来控制在晶锭生长过程中由蒸气传输的气体的过饱和度。本发明提供了能够制备具有更好特性的碳化硅晶锭的生长系统、碳化硅晶锭、由其制备的晶片等。
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公开(公告)号：CN111719181A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910886333.1
申请日：2019-09-19
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及晶锭的制备方法等，所述晶锭的制备方法包括：装入步骤，将含有D50为80μm以上的原料粉末的原料物质装入反应容器；颈缩步骤，通过调节所述反应容器内的温度来形成相邻的所述原料粉末的多个粒子相连的颈缩原料物质；以及晶锭生长步骤，升华多个原料成分，从而由所述颈缩原料物质来生长晶锭。由此可以快速制备实际无缺陷的晶锭。
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公开(公告)号：CN113512759A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202011099175.4
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统，在碳化硅晶锭的制造过程中，在使反应容器的内部空间减压以升温的步骤中，在特定内部空间的上部和下部之间形成温度差。通过根据本发明的碳化硅晶锭的制造方法，可以使作为碳化硅晶锭的后表面的籽晶面的损失最小化，并且可以制造具有较少缺陷和良好晶体质量的碳化硅晶锭。
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公开(公告)号：CN113424304A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013515.9
申请日：2020-03-12
Applicant: SKC株式会社
IPC: H01L21/673 , H01L21/677 , B65D85/48 , H05K13/00
Abstract: 本实施方式涉及一种装载盒以及适用其的对象基板的装载方法。根据本实施方式的装载盒包括：上板；下板，与上述上板隔开间隔相对；边缘支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑对象基板的左、右边缘；及背面支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑上述对象基板的中心和背面边缘。
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