公开(公告)号：CN113512758A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202011099174.X

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统，其中，在碳化硅晶锭的制造过程中，在正式生长晶锭的步骤下，通过将加热单元以规定速度移动，以根据晶锭的生长改变反应容器内部的温度分布。

公开(公告)号：CN113122930A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010294353.2

申请日：2020-04-15

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明实例的坩埚可扩大内部直径，从而，当进行碳化硅粉末的热处理时，不会发生因膨胀及收缩导致的坩埚的损伤。因此，利用上述坩埚来获取碳化硅粉末的烧结体，基于此，可使单晶碳化硅锭生长，由此可提高工序的有效性。