-
公开(公告)号：CN108205119A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201710961421.4
申请日：2017-10-16
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供能够高精度地检测三轴方位的磁场的三轴磁传感器及其制造方法。三轴磁传感器(1)具备：具有第一面(21)及与其相对的第二面(22)的基板(2)、和设置于第一面(21)上的磁传感器元件组(3)。磁传感器元件组(3)包含X轴方向的磁力检测用的第一磁传感器元件(31)、Y轴方向的磁力检测用的第二磁传感器元件(32)和Z轴方向的磁力检测用的第三磁传感器元件(33)。第一～第三磁传感器元件(31～33)分别包含由至少含有磁化固定层(42)及自由层(44)的层叠体构成的第一～第三磁阻效应元件(4)，第一～第三磁阻效应元件(4)的各磁化固定层(42)的磁化方向M42被固定在相对于第一面(21)以规定的角度θM42倾斜的方向。
-
公开(公告)号：CN102193072A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010596371.2
申请日：2010-12-20
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/0029
Abstract: 本发明提供一种磁传感器，包括自旋阀型磁阻效应元件、电压检测部、线圈以及电流控制部，上述线圈通过流通电流，对上述自旋阀型磁阻效应元件提供测定用磁场，上述电压检测部在检测出上述自旋阀型磁阻效应元件的输出电压成为规定的电压值时，将检测信号输出给上述电流控制部，上述电流控制部控制上述电流，以使上述测定用磁场的强度从初始值单方面增加或单方面减少，在输入了上述检测信号时，将上述电流控制为使上述测定用磁场的强度回到上述初始值，上述初始值是对上述自旋阀型磁阻效应元件提供饱和磁化的磁场的强度。
-
公开(公告)号：CN119967308A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411575646.2
申请日：2024-11-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: H04N25/441 , H04N25/70
Abstract: 本发明涉及一种阵列传感器，从Z方向观察，其具有：多个第一配线(6X)，其分别在X方向上延伸，并在与X方向不同的Y方向上彼此相邻；多个第二配线(6Y)，其分别在Y方向上延伸，并在X方向上彼此相邻；多个热敏电阻元件(5)，其分别连接于多个第一配线(6X)中的一个和多个第二配线(6Y)中的一个的双方；读取电路(13)，其读取多个热敏电阻元件(5)的输出信号；以及多个第一端子(7X)，其与读取电路(13)电连接。多个第一端子(7X)构成至少一部分第一端子(7X)在Y方向上排列配置的至少一个第一端子列(8X‑1)。多个第一端子(7X)的数量比多个第一配线(6X)的数量多，多个第一端子(7X)的仅一部分与多个第一配线(6X)电连接。
-
公开(公告)号：CN109817598B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201811391663.5
申请日：2018-11-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本发明的半导体装置具备：基体、半导体元件、第一导体和第二导体。基体具有外缘，外缘包括第一部分和第二部分以及第三部分，第一部分和第二部分实质上互相平行，第三部分在与第一部分和第二部分双方交叉的方向上延伸。半导体元件被基体覆盖。第一导体与半导体元件连接，并且从外缘中的第一部分向基体的外部突出。第二导体与半导体元件连接，并且从外缘中的第三部分向基体的外部突出。
-
公开(公告)号：CN111886483B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201880090884.0
申请日：2018-03-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J1/02
Abstract: 本发明提供一种电磁波传感器，其能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。电磁波传感器(1)具有：第一基板(2)；与第一基板(2)相对设置的透射红外线的第二基板(3)，在第二基板(3)与第一基板(2)之间形成内部空间(7)；设置在内部空间(7)中的、由第二基板(3)支承的多个辐射热计膜(8)；形成于第一基板(2)的局部热源(9)；将第一基板(2)与第二基板(3)连接的第一电连接部件(5)；和在第二基板(3)上或第二基板(3)内延伸的引线(10)，其将第一电连接部件(5)与辐射热计膜(8)连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886483A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201880090884.0
申请日：2018-03-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J1/02
Abstract: 本发明提供一种电磁波传感器，其能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。电磁波传感器(1)具有：第一基板(2)；与第一基板(2)相对设置的透射红外线的第二基板(3)，在第二基板(3)与第一基板(2)之间形成内部空间(7)；设置在内部空间(7)中的、由第二基板(3)支承的多个辐射热计膜(8)；形成于第一基板(2)的局部热源(9)；将第一基板(2)与第二基板(3)连接的第一电连接部件(5)；和在第二基板(3)上或第二基板(3)内延伸的引线(10)，其将第一电连接部件(5)与辐射热计膜(8)连接。
-
公开(公告)号：CN111693911A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010165768.X
申请日：2020-03-11
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁传感器装置具有自旋阀型的磁阻效应元件，并且能够向该磁阻效应元件的自由层稳定地施加偏置磁场，其具备：自旋阀型的磁阻效应元件；基板，其配置有磁阻效应元件；电源，其供给施加于磁阻效应元件的实质上恒定的电流；以及磁场产生部，其被设置成串联连接于施加于磁阻效应元件的电流的电流路径，并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场，磁场产生部位于一部分的磁阻效应元件的附近，并且位于与基板不同的层。
-
-
公开(公告)号：CN109817598A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811391663.5
申请日：2018-11-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本发明的半导体装置具备：基体、半导体元件、第一导体和第二导体。基体具有外缘，外缘包括第一部分和第二部分以及第三部分，第一部分和第二部分实质上互相平行，第三部分在与第一部分和第二部分双方交叉的方向上延伸。半导体元件被基体覆盖。第一导体与半导体元件连接，并且从外缘中的第一部分向基体的外部突出。第二导体与半导体元件连接，并且从外缘中的第三部分向基体的外部突出。
-
公开(公告)号：CN1841033A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067044.1
申请日：2006-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01L1/005 , G01P15/0894 , G01P15/18 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。所公开穿隧效应元件(1)具有：形成有穿隧势垒的绝缘层(11)；形成于绝缘层(11)下面的具有导电性的下部电极(12)；形成于绝缘层(11)上面的具有导电性的上部电极(13)；形成于绝缘层(11)、下部电极(12)和上部电极(13)周围，把检测对象物的举动传递给绝缘层(11)的传递部件(5)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.026 seconds)
