-
公开(公告)号：CN100359565C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510114156.3
申请日：2005-10-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/3136 , G11B5/4853 , G11B5/6064 , G11B5/607
Abstract: 为了恰当地解决开始写入期间写入操作存在的缺失，提供一种薄膜磁头，在这种磁头中，可以将加热部件产生的热量引起的写入磁头部件伸出响应调节到与写入线圈层产生的热量引起的伸出响应相同。该磁头包括：至少一个包含磁极层的写入磁头部件；至少一个第一加热部件，该部件产生热量，从而使该至少一个写入磁头部件热膨胀，该至少一个第一加热部件与该磁极层接触。
-
公开(公告)号：CN101079270A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710104888.3
申请日：2007-05-24
Abstract: 本发明提供一种润滑膜形成方法，其具备对涂布在基材(10)的表面上的具有OH基的润滑剂(21)照射激发OH基的OH键的振动的红外激光的工序。由此，通过红外激光的照射来激发润滑剂的OH基的OH键的振动。因此，润滑剂的OH基与基材的表面的反应性得到提高，使润滑剂容易地化学结合在基材的表面上，润滑剂的耐久性得到提高。
-
-
公开(公告)号：CN102682788B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210070755.X
申请日：2012-03-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B5/66 , G11B2005/0021
Abstract: 热辅助磁记录方法包括第1步骤和第2步骤。在第1步骤中，将热施加至硬盘介质的一部分，在硬盘介质的磁记录层形成移动的高温区域。高温区域是温度与其周围相比较高、且为磁记录层的多个磁性粒子的顽磁力消失温度的最大值以上的温度的区域。高温区域的移动方向上的与高温区域的后端邻接的至少1个磁性粒子具有除0以外的值的顽磁力。在第2步骤中，将记录磁场施加至硬盘介质，使得施加至与高温区域的后端邻接的至少1个磁性粒子的记录磁场的大小为3kOe以下。
-
公开(公告)号：CN101079270B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200710104888.3
申请日：2007-05-24
Abstract: 本发明提供一种润滑膜形成方法，其具备对涂布在基材(10)的表面上的具有OH基的润滑剂(21)照射激发OH基的OH键的振动的红外激光的工序。由此，通过红外激光的照射来激发润滑剂的OH基的OH键的振动。因此，润滑剂的OH基与基材的表面的反应性得到提高，使润滑剂容易地化学结合在基材的表面上，润滑剂的耐久性得到提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100385504C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200610072053.X
申请日：2006-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/455 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(nS1-1-nS2-1)-1·(μ0-μ)·(nμ)-1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。
-
公开(公告)号：CN100367355C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510067701.8
申请日：2005-04-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2029/5006
Abstract: 一种测试TMR元件的方法，包括：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和，通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。
-
公开(公告)号：CN100343901C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510054118.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/455 , G11B2005/0018
Abstract: 一种用来测试TMR元件的方法，包括初始测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第一电阻值的步骤；在连续使电流通过TMR元件预定的时间后，测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第二电阻值的步骤；以及根据TMR元件电阻变化的程度来评价TMR元件的步骤。电阻变化的程度基于第一电阻值和第二电阻值来确定。
-
公开(公告)号：CN100342427C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200510058872.4
申请日：2005-03-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3967
Abstract: 提供了一种复合式薄膜磁头，它包括：一个写头元件；一对用于写头元件的端接点；一对用于写头元件的引线导体，将写头元件与用于写头元件的端接点对电连接；一个读头元件；一对用于读头元件的端接点；和一对用于读头元件的引线导体，将读头元件与用于读头元件的端接点对电连接。用于写头元件的引线导体对和用于读头元件的引线导体对形成为通过仅有一个绝缘层而相互没有重叠部分的结构。
-
公开(公告)号：CN1862664A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080345.8
申请日：2006-05-12
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.028 seconds)
